1.一種利用斐索干涉儀檢測大口徑元件膜厚均勻性的方法，其特征在于：包括以下步驟：
對所述大口徑元件進行預處理，消除大口徑元件內部殘余應力；
靜置第一預設時間后，利用斐索干涉儀對大口徑元件進行面形測量，并標記為初始面形W1；
為大口徑元件進行鍍膜；
靜置第二預設時間后，利用斐索干涉儀再次對鍍膜后的大口徑元件進行面形測量，并標記為測試面形W2；
利用公式ΔW＝W2-W1得到鍍膜引起的元件面形改變量ΔW；
利用面形改變量ΔW對膜厚修正擋板進行優(yōu)化。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：對所述大口徑元件進行預處理，消除大口徑元件內部殘余應力的步驟，具體為：
采用超聲波清洗機對所述大口徑元件進行清洗或采用加熱退火的方法對大口徑元件進行處理以消除其內部殘余應力。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：靜置第一預設時間后，利用斐索干涉儀對大口徑元件進行面形測量，并標記為初始面形W1的步驟具體包括：
當第一預設時間達到時，利用斐索干涉儀對大口徑元件進行至少兩次面形測量；
比較至少兩次的面形測量結果是否一致，若是，則記錄為初始面形W1，若否，則重復上述步驟。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：為大口徑元件進行鍍膜的步驟具體包括：
采用具有行星轉動系統(tǒng)的鍍膜機在所述大口徑元件表面鍍制膜系。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：在利用公式ΔW＝W2-W1得到鍍膜引起的元件面形改變量ΔW的步驟之后，利用面形改變量ΔW對膜厚修正擋板進行優(yōu)化的步驟之前，還包括步驟：
根據實際采用的膜厚修正擋板計算真實元件的膜厚分布，并通過數值計算將膜厚分布轉化為面形數據Wt；
比較面形改變量ΔW與面形數據Wt的相關性。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：靜置第二預設時間后，利用斐索干涉儀再次對鍍膜后的大口徑元件進行面形測量，并標記為測試面形W2的步驟具體包括：
當第二預設時間達到時，利用斐索干涉儀對大口徑元件進行至少兩次面形測量；
比較至少兩次的面形測量結果是否一致，若是，則記錄為測試面形W2，若否，則重復上述步驟。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：利用公式ΔW＝W2-W1計算所述鍍膜引起的元件面形改變量ΔW之前，對準所述初始面形與所述測試面形中的預設標記點。
8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：鍍膜時采用膜厚修正擋板將大口徑元件表面物理厚度調整至接近100％。
9.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：采用蒸發(fā)或者濺射方法為大口徑元件鍍膜。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一預設時間及所述第二預設時間均不小于24h。