1.一種制備多層膜元件過(guò)程中非靈敏層誤差控制方法，其特征在于，包括：
確定多層膜膜系光控整體劃分；
根據(jù)多層膜數(shù)據(jù)按膜類(lèi)型劃分出若干非靈敏單層膜；
針對(duì)每個(gè)單層膜配置對(duì)應(yīng)的監(jiān)控波長(zhǎng)；
根據(jù)單層膜對(duì)應(yīng)的監(jiān)控信號(hào)靈敏度確定是否為光控中的非靈敏層；
將所述非靈敏層按照自身厚度和光控信號(hào)位置劃分為晶振控制沉積層和光控控制沉積層；
對(duì)所述晶振控制沉積層進(jìn)行晶控沉積控制；
當(dāng)所述晶振控制沉積層完成晶控沉積后，對(duì)剩余的非靈敏層進(jìn)行光控沉積，直至達(dá)到光控沉積目標(biāo)值，得到所述光控控制沉積層；
依次完成對(duì)多層膜膜系中非靈敏膜的非靈敏區(qū)的沉積操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，達(dá)到光控沉積目標(biāo)值時(shí)，所述光控控制沉積層的光學(xué)信號(hào)處于靈敏區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在進(jìn)行晶振控制是振動(dòng)頻率與晶振控制沉積層質(zhì)量成反比。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶控沉積采用石英晶體的壓電效應(yīng)和質(zhì)量負(fù)荷效應(yīng)對(duì)膜層進(jìn)行監(jiān)控。
5.一種制備多層膜元件過(guò)程中非靈敏層誤差控制裝置，其特征在于，包括：
第一確定單元，用于確定多層膜膜系光控整體劃分；
第一劃分單元，用于根據(jù)多層膜數(shù)據(jù)按膜類(lèi)型劃分出若干非靈敏單層膜；
配置單元，用于針對(duì)每個(gè)單側(cè)膜配置對(duì)應(yīng)的監(jiān)控波長(zhǎng)；
第二確定單元，用于根據(jù)每層單層膜對(duì)應(yīng)的監(jiān)控波長(zhǎng)確定多層膜系中的非靈敏層；
第二劃分單元，用于將所述非靈敏層按照自身厚度和光控信號(hào)位置劃分為晶振控制沉積層和光控控制沉積層；
第一沉積單元，用于對(duì)所述晶振控制沉積層進(jìn)行晶控沉積控制；
第二沉積單元，用于當(dāng)所述晶振控制沉積層完成晶控沉積后，對(duì)剩余的非靈敏層進(jìn)行光控沉積，直至達(dá)到光控沉積目標(biāo)值，得到所述光控控制沉積層；
執(zhí)行單元，用于依次完成對(duì)每非靈敏單層膜的非靈敏區(qū)的沉積操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，達(dá)到達(dá)到光控沉積目標(biāo)值時(shí)，所述光控控制沉積層的光學(xué)信號(hào)處于靈敏區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，在進(jìn)行晶振控制是振動(dòng)頻率與晶振控制沉積層質(zhì)量成反比。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述晶控沉積采用石英晶體的壓電效應(yīng)和質(zhì)量負(fù)荷效應(yīng)對(duì)膜層進(jìn)行監(jiān)控。