技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種制備多層膜元件過程中非靈敏層誤差控制方法及裝置，利用晶控法制備薄層靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)，控制制備非靈敏層前端部分，使剩余光控沉積厚度部分落在最佳靈敏位置監(jiān)控，減少光控信號不靈敏帶來的監(jiān)控誤差，利用光控法制備非靈敏層后端部分，使剩余光控沉積厚度部分落在最佳靈敏位置監(jiān)控，可以同時(shí)補(bǔ)償晶控部分及光控本身控制沉積所帶來的制備誤差，采用光控與晶控結(jié)合的方式沉積多層膜薄膜元件中非靈敏層薄膜層，避免了只采用光控法制備非敏感層所帶來的控制誤差，顯著提高了光控系統(tǒng)中非靈敏層的沉積精度。

技術(shù)研發(fā)人員：靳京城;李春;鄧文淵;金春水
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
文檔號碼：201611133633
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.10
技術(shù)公布日：2017.05.31