技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種磁控濺射反應(yīng)氣氛自反饋控制系統(tǒng)及其使用方法，由磁控濺射裝置和反饋控制裝置組成，磁控濺射裝置包括反應(yīng)氣體存儲(chǔ)裝置和真空室，反應(yīng)氣體存儲(chǔ)裝置通過(guò)導(dǎo)氣管和真空室連通，真空室內(nèi)設(shè)有磁電管，磁電管上設(shè)有放電等離子體；反饋控制裝置由光探頭、光譜儀、控制器和電磁閥組成，光探頭位于所述真空室內(nèi)，光譜儀通過(guò)光纖和光探頭相連，控制器和光譜儀電連接，控制器和電磁閥電連接。本發(fā)明通過(guò)對(duì)等離子體區(qū)中反應(yīng)成分的控制，能夠控制所制備薄膜的成分、厚度以及均勻性等參數(shù)，提高鍍膜產(chǎn)品質(zhì)量。能夠使反應(yīng)濺射化合物薄膜的工藝維持在一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的工作點(diǎn)上，工藝穩(wěn)定性得到了大大改善，沉積速率也得到了提高。

技術(shù)研發(fā)人員：文曉斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：文曉斌
文檔號(hào)碼：201611149231
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.14
技術(shù)公布日：2017.05.31