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      MOCVD設(shè)備的制作方法

      文檔序號:12234620閱讀:1247來源:國知局
      MOCVD設(shè)備的制作方法與工藝

      本實(shí)用新型涉及一種MOCVD設(shè)備,其中MOCVD為Metal-organic Chemical Vapor Deposition,即金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀,屬于氣相外延生長技術(shù)。



      背景技術(shù):

      MOCVD設(shè)備通常包括反應(yīng)腔、加熱裝置、出氣口、溫控裝置,以及噴淋裝置。中國專利文獻(xiàn)CN103451621B公開了一種MOCVD反應(yīng)腔及工藝設(shè)備,其具有一個(gè)腔體,在腔體內(nèi)的支架上設(shè)置若干用于放置襯底的托盤,并配置內(nèi)外加熱裝置。該種結(jié)構(gòu)進(jìn)行外延生長時(shí)不具有連續(xù)性,效率較低。

      中國專利文獻(xiàn)CN204063936U則公開了一種高溫超導(dǎo)帶材卷氣氛熱處理爐體,其對于適于作為帶材進(jìn)行處理的工件,其構(gòu)造方式為管腔結(jié)構(gòu),管腔結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是容易構(gòu)造所需氣氛,但操作相對比較麻煩,尤其是帶材穿繞,以及保證帶材輸送的輔助裝置的裝配和檢修。

      中國專利文獻(xiàn)CN104419913A也公開了一種激光化學(xué)氣相沉積法設(shè)備,其設(shè)備也屬于管腔結(jié)構(gòu),也會存在相關(guān)的缺陷。該類結(jié)構(gòu)采用管腔結(jié)構(gòu)還考慮氣密性(需抽真空)。在某些應(yīng)用中,不需要抽真空,盡管也需要比較高的氣密性,但構(gòu)建管腔結(jié)構(gòu)極復(fù)雜,可維護(hù)性又差,因此,發(fā)明人認(rèn)為管腔結(jié)構(gòu)的必要性并不需要非常高。

      此外,此類設(shè)備,例如CN104419913A中的兩個(gè)副反應(yīng)腔體呈一定角度配置,造成其中的螺旋帶材纏繞滾輪的包角較小,對氣相沉積存在負(fù)面影響。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      因此,本實(shí)用新型的目的在于提供一種可維護(hù)性比較好的MOCVD設(shè)備。

      本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:

      一種MOCVD設(shè)備,包括設(shè)置有加熱裝置和噴淋裝置的反應(yīng)腔室,以用于帶材的氣相外延生長,還包括位于反應(yīng)腔室左側(cè)的左腔室和位于反應(yīng)腔室右側(cè)的右腔室;

      其中,左腔室和右腔室其一內(nèi)設(shè)放料盤,另一內(nèi)設(shè)收料盤,并且左腔室和右腔室通過水平的過渡腔室與所述反應(yīng)腔室連通,從而帶材從放料盤放料穿越反應(yīng)腔室及相應(yīng)的過渡腔室后由收料盤收料;

      反應(yīng)腔室,以及左腔室和右腔室均具有前側(cè)門板,前側(cè)門板與相應(yīng)腔室的門框氣密封接合。

      上述MOCVD設(shè)備,可選地,所述放料盤和收料盤的軸線在相同水平面上,該水平面為過渡腔室的水平中剖面。

      可選地,在放料盤的放料側(cè)設(shè)有放料導(dǎo)向滾輪,而在收料盤的收料側(cè)則設(shè)有收料導(dǎo)向滾輪;

      放料導(dǎo)向滾輪的軸線和收料導(dǎo)向滾輪的軸線位于同一水平面,而所述水平中剖面為放料導(dǎo)向滾輪和收料導(dǎo)向滾輪的上共切面。

      可選地,于帶材方向上,在所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部兩端還設(shè)有用于托持帶材的至少各一個(gè)托輪。

      可選地,兩托輪間設(shè)有在帶材寬度方向約束帶材的約束結(jié)構(gòu)。

      可選地,所述約束結(jié)構(gòu)包括豎直的約束板和垂直于約束板的導(dǎo)柱、對導(dǎo)柱進(jìn)行導(dǎo)引的導(dǎo)柱支架,以套在導(dǎo)柱上以對約束板提供寬度方向上的彈力的彈簧。

      可選地,所述加熱裝置和噴淋裝置均位于反應(yīng)腔室內(nèi),且加熱裝置位于過渡腔室水平中剖面的下側(cè),而噴淋裝置則位于過渡腔室水平中剖面的上側(cè)。

      可選地,驅(qū)動放料盤的放料電機(jī)位于左腔室的外面,而驅(qū)動收料盤的收料電機(jī)位于右腔室的外面。

      依據(jù)本實(shí)用新型,用于帶材的氣相外延生長,一方面滿足基于帶材氣相外延生長的效率比較高的要求,另一方面,將收放料及反應(yīng)部分通過水平的過渡腔室形成水平的走料方式,帶材在處理過程中自身變形小。而將腔室的門板開設(shè)在相應(yīng)腔的前側(cè)(操作臺側(cè)),從而可以打開門板,利于進(jìn)行裝卸料或者設(shè)備的維護(hù)。

      附圖說明

      圖1為依據(jù)本實(shí)用新型的一種MOCVD設(shè)備的主視結(jié)構(gòu)示意圖(省略設(shè)備前側(cè)門板)。

      圖2為相應(yīng)于圖1的俯視結(jié)構(gòu)示意圖(省略設(shè)備頂板)。

      圖中:1.左腔室,2.放料盤,3.放料導(dǎo)向滾輪,4.左過渡腔室,5.托輪,6.反應(yīng)腔室,7.噴淋裝置,8.加熱裝置,9.托輪,10.帶材,11.右過渡腔室,12.收料導(dǎo)向滾輪,13.收料盤,14.右腔室,15.放料電機(jī),16.收料電機(jī)。

      具體實(shí)施方式

      參照說明附圖1,為一種MOCVD設(shè)備的主視圖,并且省略了設(shè)備的前側(cè)面板,通常,朝向操作者的方向?yàn)樵O(shè)備的前側(cè),即相對而言的圖2的下側(cè)。

      常規(guī)條件下,MOCVD設(shè)備都會設(shè)置加熱裝置8以使帶材10達(dá)到所需要的氣相外延生長溫度,并提供噴淋裝置7,用于提供生長源材料。

      加熱裝置8可以設(shè)置在反應(yīng)腔室6,也可以設(shè)置在反應(yīng)腔室6內(nèi),如果設(shè)置在反應(yīng)腔室6內(nèi),則加熱裝置8設(shè)置在帶材10通道的下側(cè),利用輻射熱和對流進(jìn)行帶材10的加熱。

      對于噴淋裝置7也可以設(shè)置在反應(yīng)腔室6內(nèi),或者設(shè)置在反應(yīng)腔室6外,如果設(shè)置在反應(yīng)腔室6外,則需要管路引入。

      參見附圖1和2,圖中所示的MOCVD設(shè)備具有三個(gè)基本腔室,從左至右依次是左腔室1、反應(yīng)腔室6和右腔室14,另有兩個(gè)水平的過渡腔室,其中左過渡腔室4用于左腔室1與反應(yīng)腔室6的連通,右過渡腔室11用于右腔室14與反應(yīng)腔室6的連通。

      此處的連通是構(gòu)建帶材通道的連通,而不是常規(guī)條件下的流體意義上的連通。如圖2所示,基于放料電機(jī)15和收料電機(jī)16的協(xié)同作用,一方放料,一方收料,并使介于圖1中放料盤2和收料盤13之間的帶材10張緊拉平,從而有利于結(jié)晶生長。

      放料盤2與右腔室14內(nèi)設(shè)的收料盤13可以直接依靠自身進(jìn)行張拉,即被張拉的帶材10與出料位置水平相切,被張拉的部分下側(cè)可以設(shè)置若干托輪,以使被張拉的部分保持大致的水平。

      進(jìn)而,如圖1所示,帶材10采用料盤形成卷料,圖中左腔室1內(nèi)設(shè)放料盤2,放量盤2的軸線水平,并與走料方向垂直。

      那么基于前述的描述可知,參見說明書附圖1和2,帶材10從放料盤2放料,然后依次穿越左過渡腔室4,反應(yīng)腔室6及右過渡腔室11,然后進(jìn)入右腔室14后由收料盤13收料。

      關(guān)于反應(yīng)腔室6,以及左腔室1和右腔室14均具有前側(cè)門板,前側(cè)門板與相應(yīng)腔室的門框氣密封接合,以構(gòu)造相應(yīng)氣氛所需要的空間。

      進(jìn)一步保證的,所述放料盤2和收料盤13的軸線在相同水平面上,該水平面為過渡腔室的水平中剖面,此結(jié)構(gòu)可見于說明書附圖1。

      在一些實(shí)施例中,料帶10的位置可以在上述水平中剖面靠上。

      在一些實(shí)施例中,在放料盤2的放料側(cè),例如圖1中所示的放料盤2的右側(cè),在此位置設(shè)置放料導(dǎo)向滾輪3,用以實(shí)現(xiàn)帶材10在一端張拉。而在收料盤13的收料側(cè),即圖1中所示的收料盤13的左側(cè),則設(shè)有收料導(dǎo)向滾輪12,用以實(shí)現(xiàn)帶材10在另一端張拉。

      其中,放料導(dǎo)向滾輪3的軸線和收料導(dǎo)向滾輪12的軸線位于同一水平面,那么張拉的帶材10部分處于大致水平的狀態(tài),而所述水平中剖面為放料導(dǎo)向滾輪3和收料導(dǎo)向滾輪12的上共切面,從而形成相對理想的水平狀態(tài)。

      于帶材10方向上,即圖中所示的左右方向,在所述反應(yīng)腔室6的內(nèi)部兩端還設(shè)有用于托持帶材10的至少各一個(gè)托輪5、9,使得被張拉的部分的水平能夠更好地保持。相對而言,被張拉的帶材部分的水平越理想,則例如晶體生長越理想。

      進(jìn)一步地,為了提高例如晶體生長的質(zhì)量,兩托輪間設(shè)有在帶材10寬度方向約束帶材10的約束結(jié)構(gòu),使帶材10能夠很平穩(wěn)的前行。

      于一些實(shí)施例中,所述約束結(jié)構(gòu)包括豎直的約束板和垂直于約束板的導(dǎo)柱、對導(dǎo)柱進(jìn)行導(dǎo)引的導(dǎo)柱支架,以套在導(dǎo)柱上以對約束板提供寬度方向上的彈力的彈簧,該彈簧采用輕彈簧,即勁度系數(shù)相對比較小的彈簧,使約束板輕觸在帶材10的邊沿。

      在一些實(shí)施例中,此外,導(dǎo)柱可以設(shè)有螺紋段,導(dǎo)柱穿過相應(yīng)的導(dǎo)引孔后,通過螺母調(diào)整其探出的長度。

      在優(yōu)選的實(shí)施例中,驅(qū)動放料盤2的放料電機(jī)15位于左腔室1的外面,而驅(qū)動收料盤13的收料電機(jī)16位于右腔室14的外面,保證電機(jī)的溫度不會過高。

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