本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種研磨組件。

背景技術(shù)：

化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工藝的過(guò)程主要包括晶圓被一個(gè)可活動(dòng)的研磨頭壓在研磨墊上，晶圓和研磨墊同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)，同時(shí)配合研磨性和腐蝕性的拋光液。在這個(gè)過(guò)程中，晶圓表面的材料和不規(guī)則結(jié)構(gòu)都被除去，從而達(dá)到平坦化的目的。

隨著半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展，化學(xué)機(jī)械拋光被認(rèn)為是目前唯一能提供晶片全局和局部平坦化的工藝技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械拋光工藝已被廣泛用于層間介質(zhì)、金屬層(如鎢栓塞、銅連線)、淺溝槽隔離的去除和平整，成為半導(dǎo)體制造工藝中發(fā)展最快的領(lǐng)域之一。現(xiàn)有的研磨組件通常包括：基座、研磨環(huán)、吸附機(jī)構(gòu)，在具體的操作過(guò)程中，每完成一片晶圓的研磨后研磨組件都會(huì)自動(dòng)進(jìn)行一次清洗，但是基座與吸附機(jī)構(gòu)間的逢隙無(wú)法得到有效的清洗，導(dǎo)致部分玷污物(包括磨料顆粒、被拋光材料帶來(lái)的顆粒以及研磨液殘留)藏于此處，這些玷污物積攢后形成大顆粒玷污物，在后面晶圓的研磨過(guò)程中掉落，可導(dǎo)致后面的晶圓出現(xiàn)宏觀劃痕(macro scratch)。因此，為了減少宏觀劃痕，通常需要定期拆下研磨組件進(jìn)行人工清洗，這樣將會(huì)降低機(jī)臺(tái)的有效工作時(shí)間，同時(shí)浪費(fèi)人力。

因此，提供一種改進(jìn)型的化學(xué)機(jī)械研磨組件非常必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種研磨組件，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的進(jìn)行晶圓研磨時(shí)，基座與吸附機(jī)構(gòu)間的逢隙無(wú)法得到有效的清洗，導(dǎo)致晶圓出現(xiàn)宏觀劃痕的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供的研磨組件無(wú)需定期拆下進(jìn)行人工清洗。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種研磨組件，所述研磨組件包括：基座；吸附機(jī)構(gòu)，所述吸附機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述基座的下表面；研磨環(huán)，所述研磨環(huán)設(shè)置于所述基座的下表面，且設(shè)置于所述吸附機(jī)構(gòu)的外圍，其中，所述研磨環(huán)上設(shè)置橫向貫穿所述研磨環(huán)的通孔。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述研磨環(huán)可拆卸套置于所述吸附機(jī)構(gòu)的外圍。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述研磨環(huán)固定設(shè)置于所述吸附機(jī)構(gòu)的外圍。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述通孔沿所述研磨環(huán)的周向均勻分布。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述吸附機(jī)構(gòu)呈倒“T”形，包括第一直徑部和第二直徑部，所述第一直徑部與所述基座的下表面相接觸，所述第一直徑部的直徑小于所述第二直徑部的直徑。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述通孔設(shè)置于所述研磨環(huán)與所述吸附機(jī)構(gòu)的所述第一直徑部對(duì)應(yīng)的位置。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述研磨環(huán)與所述吸附機(jī)構(gòu)的所述第二直徑部具有間隙。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述間隙的水平距離為1.00mm-1.15mm。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述研磨組件還設(shè)有清洗管，所述清洗管位于所述研磨環(huán)外圍，且至少所述清洗管的管嘴與所述通孔位于同一平面內(nèi)。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述清洗管沿所述研磨環(huán)的周向均勻分布。

如上所述，本實(shí)用新型的研磨組件，在具體操作過(guò)程中，具有如下有益效果：

1、進(jìn)行晶圓研磨時(shí)，使基座與吸附機(jī)構(gòu)間的逢隙得到有效的清洗，減少晶圓出現(xiàn)的宏觀劃痕；

2、無(wú)需定期拆下研磨組件清洗，提高機(jī)臺(tái)的有效工作時(shí)間，節(jié)約人力。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為本實(shí)用新型實(shí)施例一中提供的研磨組件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為本實(shí)用新型實(shí)施例一中提供的研磨組件的立體圖。

圖3a及圖3b顯示為本實(shí)用新型實(shí)施例二中提供的研磨組件的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖3b為圖3a的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

11 基座

12 研磨環(huán)

121 通孔

13 吸附機(jī)構(gòu)

131 第一直徑部

132 第二直徑部

14 清洗管

141 管嘴

15 間隙

4 清洗液

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖1至圖3b。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想，雖圖示中僅顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局形態(tài)也可能更為復(fù)雜。

實(shí)施例一

如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型提供一種研磨組件，所述研磨組件包括：基座11；吸附機(jī)構(gòu)13，所述吸附機(jī)構(gòu)13設(shè)置于所述基座11的下表面；研磨環(huán)12，所述研磨環(huán)設(shè)置于所述基座11的下表面，且設(shè)置于所述吸附機(jī)構(gòu)13的外圍，其中，所述研磨環(huán)12上設(shè)置橫向貫穿所述研磨環(huán)12的通孔121。

其中，如圖所示，所述通孔121開(kāi)設(shè)于所述研磨環(huán)12上，并貫穿所述研磨環(huán)12的，使得所述吸附機(jī)構(gòu)13與外界連通，在此并不限制所述通孔121的形狀與數(shù)量，一切可以實(shí)現(xiàn)上述功能的通孔均可以。優(yōu)選地，所述通孔121垂于所述研磨環(huán)12側(cè)壁并貫穿。

作為示例，所述研磨環(huán)12可拆卸套置于所述吸附機(jī)構(gòu)13的外圍。

其中，所述研磨環(huán)12相對(duì)于所述基座11可以不固定連接，可以可拆卸的套置于所述吸附機(jī)構(gòu)13的外圍，這種連接方式，方便具體的操作以及后續(xù)的維護(hù)。

作為示例，所述研磨環(huán)12固定設(shè)置于所述吸附機(jī)構(gòu)13的外圍。

其中，在實(shí)際的實(shí)施方式中，所述研磨環(huán)12也可以與所述基座11的下表面固定連接，進(jìn)而相對(duì)于所述吸附機(jī)構(gòu)13固定于其外圍。

作為示例，所述通孔121沿所述研磨環(huán)12的周向均勻分布。

作為示例，所述吸附機(jī)構(gòu)13呈倒“T”形，包括第一直徑部131和第二直徑部132，所述第一直徑部131與所述基座11的下表面相接觸，所述第一直徑部131的直徑小于所述第二直徑部132的直徑。

作為示例，所述通孔121設(shè)置于所述研磨環(huán)12與所述吸附機(jī)構(gòu)13的所述第一直徑部131對(duì)應(yīng)的位置。在具體的實(shí)施方式中，所述研磨環(huán)12與所述吸附機(jī)構(gòu)13的所述第二直徑部具有間隙15。

作為示例，所述間隙15的橫向尺寸為1.00mm-1.15mm。在本實(shí)施例中，所述間隙15的橫向尺寸為1.08mm。

其中，基于以上所述的具體實(shí)施方式，在實(shí)際操作時(shí)，清洗液，如超純水，可以從所述通孔121進(jìn)入所述吸附機(jī)構(gòu)13的所述第一直徑部131，進(jìn)行清洗，再進(jìn)入所述研磨環(huán)12與所述吸附機(jī)構(gòu)13的間隙15當(dāng)中，并可從所述間隙15流出，使其得到更有效的清洗?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)與方法，所述基座11與所述吸附機(jī)構(gòu)13間的逢隙便得到了有效的清洗，藏于此處的玷污物(包括磨料顆粒、被拋光材料帶來(lái)的顆粒以及研磨液殘留等)被清洗掉，進(jìn)而避免了這些玷污物在此處積攢后形成大顆粒玷污物，也減少了在后面晶圓的研磨過(guò)程中的掉落，進(jìn)而減少了因其導(dǎo)致的晶圓出現(xiàn)宏觀劃痕的可能性。

實(shí)施例二

如圖3a和圖3b所示，本實(shí)用新型還提供一種研磨組件，本實(shí)施例中所述的研磨組件與實(shí)施例一中所述的研磨組件的結(jié)構(gòu)大致相同，二者的區(qū)別在于：本實(shí)施例所提供的研磨組件在實(shí)施例一中所述的研磨組件的基礎(chǔ)上還增設(shè)有清洗管14，所述清洗管14位于所述研磨環(huán)12外圍，且至少所述清洗管14的管嘴141與所述通孔121位于同一平面內(nèi)。

其中，在其他實(shí)施例中，所述清洗管14還可以具體包括水平部和豎直部，所述水平部設(shè)置有所述管嘴141，清洗液通過(guò)所述清洗管14的管嘴141進(jìn)入所述通孔121，進(jìn)而可以通過(guò)調(diào)節(jié)水流的大小，改變管嘴的位置等更有效的進(jìn)行清洗，這里，對(duì)清洗管的數(shù)量和形狀不做具體限制，具體為可以實(shí)現(xiàn)上述方案的任意數(shù)量和形狀。

作為示例，所述清洗管14沿所述研磨環(huán)12的周向均勻分布。在其他實(shí)施方式中，所述清洗管14還可以沿所述研磨環(huán)12的周向呈非均勻分布。

在本實(shí)施例中，所述清洗管14的數(shù)量為4個(gè)，其沿所述研磨環(huán)12的周向均勻分布，所述管嘴141與其對(duì)應(yīng)位置的所述通孔121配合，完成研磨組件的清洗。

本實(shí)施例中的所述研磨組件的其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一中所述的研磨組件的其他結(jié)構(gòu)完全相同，圖3a和圖3b只示出了相關(guān)改進(jìn)部分的結(jié)構(gòu)，其余結(jié)構(gòu)具體請(qǐng)參閱實(shí)施例一，此處不再累述。

綜上所述，本實(shí)用新型提供一種研磨組件，所述研磨組件包括：基座；吸附機(jī)構(gòu)，所述吸附機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述基座的下表面；研磨環(huán)，所述研磨環(huán)設(shè)置于所述基座的下表面，且設(shè)置于所述吸附機(jī)構(gòu)的外圍，其中，所述研磨環(huán)上設(shè)置橫向貫穿所述研磨環(huán)的通孔。通過(guò)上述方案，在進(jìn)行晶圓研磨時(shí)，不僅使基座與吸附機(jī)構(gòu)間的逢隙有效得到有效的清洗，減少晶圓出現(xiàn)的宏觀劃痕；無(wú)需定期拆下研磨組件清洗，提高機(jī)臺(tái)的有效工作時(shí)間，節(jié)約人力。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。