1.一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于它是按以下步驟完成的：
一、模板制備：在預(yù)制圖形的Si基片上采用熱蒸發(fā)鍍膜技術(shù)制備厚度為90nm～110nm的CsI脫模劑，即得到鍍脫模劑的模板，模板在真空或干燥環(huán)境下保存；所述預(yù)制圖形的Si基片包括邊緣突起部、圖形突起部和凹槽，所述的圖形突起部是根據(jù)微小平面零件的平面結(jié)構(gòu)形狀制備而成，所述凹槽的寬度為10μm～30μm，凹槽的深寬比不小于1，凹槽的陡直度90°±5°；
二、制備微小平面零件材料薄膜：采用沉積法在鍍脫模劑的模板上制備微小平面零件材料薄膜，得到包含微小平面零件材料薄膜的模板；
三、脫模：釋放包含微小平面零件材料薄膜模板表面的微小平面零件薄膜，即得到微小平面零件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于步驟一中所述的預(yù)制圖形的Si基片是按以下方法制備的：①、基片清洗：采用厚度為250μm單晶拋光硅片作為基片，且基片的表面粗糙度Ra＜5nm，對基片進(jìn)行清洗，然后吹干，得到清洗后基片；②、模板加工：采用光刻圖形復(fù)制與Si深反應(yīng)離子刻蝕光刻工藝將基片加工成模板，去掉光刻膠與切屑，洗凈后用氮?dú)獯蹈?，得到預(yù)制圖形的Si基片；所述模板包括邊緣突起部、圖形突起部和凹槽，所述的圖形突起部是根據(jù)微小平面零件的平面結(jié)構(gòu)形狀制備而成，所述凹槽的寬度為10μm～30μm，凹槽的深寬比不小于1，凹槽的陡直度90°±5°，凹槽側(cè)壁粗糙度峰谷極差Rt＜100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于步驟二中所述的沉積法為磁控濺射方法、反應(yīng)磁控濺射方法或輝光放電等離子體方法。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于當(dāng)采用單質(zhì)金屬材料制作微小平面零件時，選擇磁控濺射方法進(jìn)行沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于當(dāng)采用金屬化合物制作微小平面零件時，選擇反應(yīng)磁控濺射方法進(jìn)行沉積。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于當(dāng)采用CH聚合物材料制作微小平面零件時，選擇輝光放電等離子體方法。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于所述的微小平面零件選用化學(xué)活性質(zhì)活潑材料制作時，將微小平面零件制成三層結(jié)構(gòu)薄膜，上、下表面為防護(hù)層，中間為材料層；所述的化學(xué)活性質(zhì)活潑材料為鈾、鐠或钚。