1.一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：包括如下步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(4)和所述步驟(6)中的氮氣流量為120-125sccm，乙炔流量為30-40sccm。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(5)中的氮氣流量為160-165sccm。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(2)中的離子源電壓為1100-1300v。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(1)中的cr/si混合靶的混合比例為cr:si=9:1。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：所述的薄膜各層厚度為：cr膜100-110nm，第一crsicn膜60-70nm，crsin膜140-150nm，第二crsicn膜200-210nm。
7.根據(jù)權利要求5所述的一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(1)中的cr靶的純度為99.5％及以上；所述的轉架旋轉速度為25-30r/min。
8.根據(jù)權利要求1所述的一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(2)、所述步驟(3)和所述步驟(5)的鍍膜溫度設置在100-180℃。
9.根據(jù)權利要求1所述的一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：所述磁控濺射鍍膜設備包括鍍膜室，鍍膜室內設置有用于放置工件的轉架，轉架連接有公自轉治具，轉架連接有偏壓電源，鍍膜室內設置有靶材和四路氣體流量控制系統(tǒng)。
10.根據(jù)權利要求9所述的一種高硬度鍍膜方法，其特征在于：步驟(2)中的偏壓電源設置為-800v，步驟(3)中的偏壓電源設置為-80v，步驟(4)和步驟(6)中的偏壓電源設置為-120v，步驟(5)中的偏壓電源設置為-150v。