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      一種納米級銅粉末的快速生成裝置的制作方法

      文檔序號:40283112發(fā)布日期:2024-12-11 13:25閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,所述切割飛輪包括飛輪主體和多個切割刀片,所述飛輪主體套設(shè)于所述安裝軸上,多個所述切割刀片沿所述飛輪主體的周向方向設(shè)置。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,所述柔性撥桿與所述切割刀片的刀面接觸,且所述柔性撥桿與所述切割刀片接觸的一端形成有導(dǎo)向面,當(dāng)所述傳動齒輪轉(zhuǎn)動時,所述柔性撥桿的導(dǎo)向面作用于所述切割刀片的刀面,以使所述切割飛輪轉(zhuǎn)動。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,所述彈性支撐組件包括殼體、隔板、第一彈簧、支撐柱以及限位組件,所述隔板設(shè)于所述殼體內(nèi),將所述殼體分隔為復(fù)位腔和限位腔,所述復(fù)位腔位于所述限位腔下方并連通,所述第一彈簧設(shè)于所述復(fù)位腔內(nèi),所述支撐柱設(shè)于限位腔內(nèi)且所述支撐柱的一端延伸至所述限位腔外部并與所述銅液分流箱的底部連接,另一端與所述第一彈簧連接,所述限位組件設(shè)于所述限位腔內(nèi),用于限制所述支撐柱復(fù)位;

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,所述第一傳動軸、所述傳動齒輪、所述柔性撥桿以及所述傳動齒條的數(shù)量均為兩個,一個所述第一傳動軸、一個所述傳動齒輪以及一個所述柔性撥桿共同構(gòu)成一個一級粉碎傳動組件,兩個一級粉碎傳動組件分別位于所述安裝軸的兩端,一個所述一級粉碎傳動組件中的所述傳動齒輪與一個所述傳動齒條嚙合。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,所述一級粉碎機構(gòu)還包括兩個位于所述一級粉碎箱內(nèi)的第一錐齒輪,兩個所述第一錐齒輪分別套設(shè)于兩個所述第一傳動軸,所述第一錐齒輪的一部分延伸至所述二級粉碎機構(gòu)內(nèi);

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,所述安裝軸和所述第一傳動軸上均設(shè)有多個噴氣嘴和多個噴霧嘴,多個所述噴氣嘴和多個所述噴霧嘴均與所述切割飛輪錯開設(shè)置。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,所述銅液分流箱內(nèi)設(shè)有多個銅液分隔塊,相鄰兩個所述銅液分隔塊之間限定出一條銅液流道,所述銅液流道由上至下的剖面徑向?qū)挾戎饾u減??;所述銅液分流箱的頂部設(shè)有冷卻液接口,所述銅液分流箱內(nèi)設(shè)有多個冷卻液分隔塊,相鄰兩個所述冷卻液分隔塊之間限定出冷卻液流道,所述冷卻液流道由上至下的剖面徑向?qū)挾戎饾u減小,且所述冷卻液流道由上至下逐漸朝向所述銅液流道靠攏。

      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,所述三級粉碎機構(gòu)包括三級粉碎箱、驅(qū)動電機以及粉碎桶,所述三級粉碎箱與所述二級粉碎機構(gòu)連通,所述驅(qū)動電機和所述粉碎桶均設(shè)于所述三級粉碎箱內(nèi),所述驅(qū)動電機的輸出端與所述粉碎桶連接,以帶動所述粉碎桶轉(zhuǎn)動;

      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級銅粉末的快速生成裝置,其特征在于,所述干燥機構(gòu)包括漏斗狀外殼和電熱絲,所述漏斗狀外殼與所述三級粉碎機構(gòu)連通,所述電熱絲設(shè)于所述漏斗狀外殼的內(nèi)壁。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請實施例公開了一種納米級銅粉末的快速生成裝置,涉及化工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該裝置包括銅液分流箱,用于存儲銅液并對銅液分流;彈性支撐組件,設(shè)于銅液分流箱底部;傳動齒條,設(shè)于銅液分流箱的一側(cè)并可隨銅液分流箱在豎直方向上升降;一級粉碎機構(gòu),設(shè)于彈性支撐組件下方并與銅液分流箱連通,以承接銅液分流箱中的液體,一級粉碎機構(gòu)與傳動齒條傳動連接;二級粉碎機構(gòu),設(shè)于一級粉碎機構(gòu)的下方并與一級粉碎機構(gòu)連通;三級粉碎機構(gòu),設(shè)于二級粉碎機構(gòu)下方并與二級粉碎機構(gòu)連通;干燥機構(gòu),設(shè)于三級粉碎機構(gòu)下方并與三級粉碎機構(gòu)連通;集料倉,設(shè)于干燥機構(gòu)下方并與干燥機構(gòu)連通。本申請能夠通過銅液制備得到納米級的銅粉。

      技術(shù)研發(fā)人員:申昌明,滕昊
      受保護的技術(shù)使用者:蘇州華錁熙光納米科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/10
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