。優(yōu)選地，化學(xué)浴鍋偏移角度為4°?6°。更優(yōu)選地，化學(xué)浴鍋偏移角度為5°。
[0087]可以理解，使基片的反應(yīng)面持續(xù)反復(fù)地、分部分地逐漸露出反應(yīng)液的液面，且基片的反應(yīng)面受到反應(yīng)液的沖刷的實(shí)現(xiàn)方式并不限于此。
[0088]本發(fā)明同時(shí)提供了一種制備ZnS薄膜的方法，在化學(xué)浴沉積過程中基片的反應(yīng)面持續(xù)反復(fù)地、分部分地逐漸露出反應(yīng)液的液面，且受到反應(yīng)液的沖刷；該方法操作方便，生產(chǎn)快速、效率高，制得的薄膜厚度可控、缺陷少、均勻致密，從而提高薄膜太陽能電池的效率，并降低薄膜太陽能電池的制造成本。
[0089]此外，本發(fā)明也為In2S3，In(OH)3, ZnS, CdS, Zn(1_x)Mgx0，ZnSe, ZnO 等薄膜太陽能電池緩沖層的制備提供了一種方法。
[0090]以下為具體實(shí)施例。
[0091]實(shí)施例1
[0092]實(shí)施例1采用上述化學(xué)浴沉積設(shè)備，通過化學(xué)浴沉積法制備硫化鋅(ZnS)薄膜緩沖層，以制備銅銦鎵砸(CIGS)太陽能電池。
[0093]硫化鋅薄膜制備步驟如下:
[0094]在鈉鈣玻璃上采用直流磁控濺射鍍上金屬鉬背電極薄膜，然后再在金屬鉬上鍍上CIGS光吸收層薄膜，得到基片。
[0095]將基片置于0.03mol/L的硫脲溶液中處理lOmin。
[0096]將基片放入反應(yīng)器皿中的基片架上，且基片的反應(yīng)面朝下放置，將反應(yīng)液加入反應(yīng)器皿中，其中反應(yīng)液中ZnSO^濃度為0.3mol/L，NH3- H2O的濃度為3mol/L，SC(NH2)2溶液的濃度為0.6mol/Lo將反應(yīng)液預(yù)熱至85°C。
[0097]將反應(yīng)器皿置于化學(xué)浴鍋中使基片進(jìn)行化學(xué)浴沉積，且在化學(xué)浴沉積過程中基片的反應(yīng)面持續(xù)反復(fù)地、分部分逐漸地露出反應(yīng)液的液面，并受到反應(yīng)液的沖刷，得到ZnS薄膜。
[0098]化學(xué)浴鍋偏離角度為5°?；瘜W(xué)浴沉積的時(shí)間為lOmin。
[0099]將ZnS薄膜分別依次用水、lmol/L的氨水清洗，氨水清洗后直接采用氮?dú)獯蹈伞５玫降谋∧け砻孢B續(xù)致密、附著力好。
[0100]以上實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
[0101]以上實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種化學(xué)浴沉積設(shè)備，其特征在于，包括反應(yīng)器皿和化學(xué)浴鍋，所述反應(yīng)器皿置于所述化學(xué)浴鍋中，所述反應(yīng)器皿用于放置基片和反應(yīng)液，在反應(yīng)過程中，所述基片的反應(yīng)面持續(xù)反復(fù)地、分部分地逐漸露出所述反應(yīng)液的液面，并受到所述反應(yīng)液的沖刷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)浴沉積設(shè)備，其特征在于，所述化學(xué)浴沉積設(shè)備還包括底座，所述化學(xué)浴鍋一端可轉(zhuǎn)動地連接于所述底座，另一端可升降地連接于所述底座，從而使所述化學(xué)浴鍋可發(fā)生角度偏移。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)浴沉積設(shè)備，其特征在于，所述化學(xué)浴沉積設(shè)備還包括偏轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)和驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述偏轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)與所述化學(xué)浴鍋的一端連接以驅(qū)動化學(xué)浴鍋的一端升降，從而驅(qū)動化學(xué)浴鍋發(fā)生角度偏移；所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)和所述偏轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)連接以驅(qū)動所述偏轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，進(jìn)而驅(qū)動所述化學(xué)浴鍋發(fā)生角度偏移。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)浴沉積設(shè)備，其特征在于，所述偏轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括連接塊和連接桿，所述連接塊與所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)固定連接，并由所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)驅(qū)動而轉(zhuǎn)動；所述連接塊內(nèi)設(shè)有偏離所述連接塊的轉(zhuǎn)動軸的偏心點(diǎn)，所述連接塊的轉(zhuǎn)動軸垂直于所述化學(xué)浴鍋的一端的升降方向，所述連接桿一端連接于所述偏心點(diǎn)，另一端連接于所述化學(xué)浴鍋，所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)帶動偏心點(diǎn)的上下運(yùn)動，使得所述化學(xué)浴鍋的一端發(fā)生角度偏移。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的化學(xué)浴沉積設(shè)備，其特征在于，所述連接桿包括第一桿、第二桿和第三桿，所述第一桿平行于所述連接塊的轉(zhuǎn)動軸，所述第一桿一端連接于所述偏心點(diǎn)，另一端可轉(zhuǎn)動地連接于所述第二桿的一端，所述第二桿的另一端連接于所述第三桿的一端，所述第三桿的另一端連接于化學(xué)浴鍋，所述第二桿和所述第三桿與所述連接塊的轉(zhuǎn)動軸呈一定夾角。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)浴沉積設(shè)備，其特征在于，所述化學(xué)浴沉積設(shè)備還包括支撐件，所述支撐件包括第一支撐件和第二支撐件，所述第一支撐件和所述第二支撐件設(shè)置于所述底座上，所述化學(xué)浴鍋的一端通過所述第二支撐件可轉(zhuǎn)動地連接于所述底座，所述第一支撐件與所述偏轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)連接從而使所述化學(xué)浴鍋的另一端可升降地連接于所述底座，其中所述第一支撐件與所述第二支撐件呈三角形排布。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)浴沉積設(shè)備，其特征在于，所述化學(xué)浴沉積設(shè)備還包括速度控制器或/和溫度控制器，所述速度控制器控制所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)的轉(zhuǎn)速，從而控制所述化學(xué)浴鍋發(fā)生角度偏移的速度；所述溫度控制器控制所述反應(yīng)液的溫度。
8.一種制備ZnS薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟: 在鈉鈣玻璃表面上鍍金屬鉬背電極薄膜，然后再在金屬鉬背電極薄膜上鍍CIGS光吸收層薄膜，得到基片； 將所述基片置于硫脲溶液中處理；及 將所述基片以反應(yīng)面朝下的方式置于反應(yīng)液中進(jìn)行化學(xué)浴沉積，且在化學(xué)浴沉積過程中所述基片的反應(yīng)面持續(xù)反復(fù)地、分部分地逐漸露出所述反應(yīng)液的液面，并受到所述反應(yīng)液的沖刷，得到ZnS薄膜，其中所述反應(yīng)液為ZnS04、NH3.H2O和SC(NH2)2的混合液。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備ZnS薄膜的方法，其特征在于，所述反應(yīng)液的溫度為80°C?95°C，所述反應(yīng)液中ZnSOj^濃度為0.1?0.5mol/L，NH 3.H2O的濃度為2?5mol/L，SC (NH2)2的濃度為 0.1 ?1.2mol/Lo
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備ZnS薄膜的方法，其特征在于，還包括步驟:將所述ZnS薄膜分別依次用水、氨水清洗，氨水清洗后直接采用氮?dú)獯蹈伞?br>【專利摘要】本發(fā)明涉及一種化學(xué)浴沉積設(shè)備，包括反應(yīng)器皿和化學(xué)浴鍋，所述反應(yīng)器皿置于所述化學(xué)浴鍋中，所述反應(yīng)器皿用于放置基片和反應(yīng)液，在反應(yīng)過程中，所述基片的反應(yīng)面持續(xù)反復(fù)地、分部分地逐漸露出所述反應(yīng)液的液面，并受到所述反應(yīng)液的沖刷。該化學(xué)浴沉積設(shè)備，在化學(xué)浴沉積過程中基片的反應(yīng)面持續(xù)反復(fù)地、分部分地逐漸露出所述反應(yīng)液的液面，且受到反應(yīng)液的沖刷，有利于快速制備薄膜材料，可應(yīng)用于薄膜太陽能電池緩沖層如In2S3，In(OH)3，ZnS，CdS，Zn(1-x)MgxO，ZnSe，ZnO等的制備，制得的薄膜厚度可控、缺陷少、均勻致密，從而提高薄膜太陽能電池的效率，并降低薄膜太陽能電池的制造成本。此外，本發(fā)明還提供了一種制備ZnS薄膜的方法。
【IPC分類】C23C18-00
【公開號】CN104762611
【申請?zhí)枴緾N201510166863
【發(fā)明人】張倩, 楊春雷, 顧光一, 熊治雨, 王婷婷, 程亞, 肖旭東
【申請人】深圳先進(jìn)技術(shù)研究院, 香港中文大學(xué)
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2015年4月9日