04(1 >X> 0)相以外還含有一部分Ιη203相，體電阻為15ηιΩ·〇ιι以下，這也 是重要特征之一。
[0045] 此外，上述濺射靶中，具有Ιη203相的最大直徑為ΙΟμπι以下的組織、相對(duì)密度為 95%以上也是特征之一。
[0046] 通過(guò)使用該IGZ0濺射靶進(jìn)行濺射，可以得到具有載流子濃度為5Χ1015 (cm3)以 下、迀移率為5 (cm2/Vs)以上的膜特性的IGZ0膜。這些條件可以對(duì)應(yīng)于提高特性的目的根 據(jù)需要設(shè)定。
[0047] 如上所述，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度能夠?yàn)?5 %以上，并且能夠達(dá)到 98%以上、進(jìn)而能夠達(dá)到99%以上。氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度小于95%時(shí)，不僅膜的載流 子濃度的偏差增大，而且使用該氧化物燒結(jié)體作為濺射靶進(jìn)行濺射成膜的情況下，隨著濺 射時(shí)間的流逝，會(huì)存在電弧放電的產(chǎn)生增多、所得到的膜特性變差這樣的不利情況，因此本 申請(qǐng)發(fā)明的優(yōu)勢(shì)顯而易見。
[0048] 氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度的測(cè)定方法為：首先對(duì)于各組成可以根據(jù)各構(gòu)成元素和 形態(tài)確定氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度達(dá)到100%的密度的值，接著，利用阿基米德法等求出實(shí) 際制作的氧化物燒結(jié)體的密度，相對(duì)密度可以通過(guò)用該密度除以100 %的密度而得到的值 來(lái)求出。
[0049] 氧化物燒結(jié)體中所含的Ιη203的粒徑測(cè)定為：通過(guò)SEM的反射電子圖像等，根據(jù)包 含In2〇3的組織照片通過(guò)圖像分析測(cè)定各In2〇3相的最大的直徑，并求出一個(gè)視野中的最大 直徑。隨機(jī)測(cè)定5個(gè)視野中的上述最大直徑，將其中的最大值作為最大直徑。
[0050] 通過(guò)降低本發(fā)明的靶的體電阻可以降低成膜時(shí)的濺射電壓。濺射電壓高的情況 下，由濺射生成的二次離子、高能量散射粒子會(huì)導(dǎo)致形成的膜受到?jīng)_擊而受損，產(chǎn)生大量氧 缺陷。
[0051] 在氧化物半導(dǎo)體的濺射成膜中，為了降低氧缺陷量并得到規(guī)定的載流子濃度而需 要在成膜氣氛中供給大量氧，但是通過(guò)降低靶的體電阻使濺射電壓降低，由此膜中的氧缺 陷量減少，能夠降低為了得到規(guī)定的載流子濃度而所需的濺射中的氧分壓。
[0052] Ιη203相的尺寸可以通過(guò)成分組成和燒結(jié)溫度來(lái)控制。即，In濃度越高則In203相 越容易長(zhǎng)大，在高溫下進(jìn)行燒結(jié)時(shí)尺寸也增大，因而由此能夠控制Ιη203相的尺寸。燒結(jié)溫 度優(yōu)選設(shè)定為1420度以上且1480度以下。過(guò)度提高燒結(jié)溫度時(shí)，會(huì)引起Ιη203相的粗大 化，電弧放電數(shù)增大，因此不優(yōu)選。
[0053](氧化物燒結(jié)體的制造方法）
[0054] 如果要示出上述本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的制造工序的代表例，則如下所述。
[0055] 作為原料，可以使用氧化銦（Ιη203)、氧化鎵（Ga203)和氧化鋅（ZnO)。為了避免雜 質(zhì)所引起的對(duì)電特性的不良影響，優(yōu)選使用純度4N以上的原料。稱量各種原料粉末以達(dá)到 所期望的組成比。需要說(shuō)明的是，如上所述，這些原料中包含不可避免地含有的雜質(zhì)。
[0056] 接著，進(jìn)行混合和粉碎。粉碎不充分時(shí)，在制造的靶中各成分發(fā)生偏析，存在高電 阻率區(qū)域和低電阻率區(qū)域，導(dǎo)致在濺射成膜時(shí)高電阻率區(qū)域中的由帶電等引起的電弧放電 等異常放電，因此需要充分的混合和粉碎。
[0057] 靶的制作中，根據(jù)需要進(jìn)行原料的煅燒。利用高速混合器將各原料混合后，根據(jù)需 要將它們裝入氧化鋁制燒箱中，在溫度950~1350°C的范圍內(nèi)進(jìn)行煅燒。煅燒的保持時(shí)間 為2~10小時(shí)，在氧氣氣氛或大氣氣氛中進(jìn)行。
[0058] 混合原料為少量的情況下，將原料例如以每一批次1~20kg單位利用磨碎機(jī) (Φ3mm氧化錯(cuò)珠、攬摔器轉(zhuǎn)速300rpm)或LMZ(只夕一S:AshizawaFinetech制）進(jìn)行 約2小時(shí)~約5小時(shí)微粉碎。
[0059] 混合原料為大量的情況下，將原料以每一批次20~1000kg單位利用LMZ(只夕一 S:AshizawaFinetech制）進(jìn)行約2小時(shí)~約8小時(shí)微粉碎（(p0_5mm氧化錯(cuò)珠、輸入 功率2. 0~20. 0千瓦時(shí)）。
[0060] 接著，微粉碎后的漿料中添加粘結(jié)劑，利用造粒機(jī)在100~250°C下進(jìn)行干燥，利 用網(wǎng)眼250μπι篩進(jìn)行篩分后回收粉末。需要說(shuō)明的是，在微粉碎前后，測(cè)定各自粉末的比 表面積。在l〇〇〇g的IGZ0粉末中混合50~200cc的PVA水溶液（PVA固體成分6% )。
[0061] 接著，將粉末lOOOg填充于Φ210πιπι的模具中，以表面壓力為400~lOOOkgf·ο?2 進(jìn)行壓制而得到成型體。利用塑料（匕'二一將該成型體真空包裝兩層，在1500~ 4000kgf/cm2下進(jìn)行CIP。然后，在規(guī)定溫度下進(jìn)行燒結(jié)（保持時(shí)間5~24小時(shí)，氧氣氣氛 中），從而得到燒結(jié)體。
[0062] 制作靶時(shí)，對(duì)通過(guò)上述方法得到的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行外周的圓筒磨削、表面?zhèn)鹊?平面磨削，由此加工成例如152. 4ΦX5tmm的靶。以銦基合金等作為粘接金屬，將該靶與例 如銅制的背板貼合，由此制成濺射靶。
[0063] 實(shí)施例
[0064] 以下，基于實(shí)施例和比較例進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例僅為一個(gè)例子，并 不受該例任何限制。即，本發(fā)明僅受權(quán)利要求書的限制，包含本發(fā)明中所含的實(shí)施例以外的 各種變形。
[0065] 實(shí)施例中所使用的原料粉末如表1所示。對(duì)于IGZ0的原料，配制原料以達(dá)到除氧 以外的In、Ga、Zn以金屬比計(jì)為IrV(In+Ga)彡0. 575且ZnAln+Ga+Zn) < 0. 333、余量為 Ga的組成，改變這些原料組合和制造條件（微粉碎、煅燒溫度、燒結(jié)溫度），從而制作靶，并 進(jìn)行各種試驗(yàn)。將它們的詳細(xì)內(nèi)容示于表1的實(shí)施例1~7中。
[0066] 在下述所示的實(shí)施例和比較例中，需要各種分析測(cè)定、評(píng)價(jià)，以下示出其條件、裝 置名稱等。
[0067](原料的平均粒徑的測(cè)定）
[0068] 粒徑的測(cè)定使用粒度分布測(cè)定裝置（日機(jī)裝株式會(huì)社制、MicrotracMT3000)進(jìn) 行。
[0069](密度的測(cè)定）
[0070] 密度的測(cè)定通過(guò)使用純水作為溶劑的阿基米德法進(jìn)行測(cè)定。用于計(jì)算相對(duì)密度 的理論密度根據(jù)與組成對(duì)應(yīng)的重量比對(duì)各原料的密度（In203:7. 18g/cm3、Ga203:6. 44g/cm3、 Zn0:5. 61g/cm3)進(jìn)行體積換算而算出。
[0071](體電阻值的測(cè)定）
[0072] 體電阻值的測(cè)定使用電阻率測(cè)定器（NPS株式會(huì)社制、Σ-5+)利用四探針?lè)ㄟM(jìn)行。
[0073](濺射條件）
[0074] 濺射裝置使用DC磁控濺射裝置，成膜條件為室溫、DC500W、氧濃度6%，退火條件 是在大氣氣氛中在300°C下進(jìn)行1小時(shí)。
[0075] 膜的載流子濃度、迀移率的測(cè)定使用東陽(yáng)TECHNICA制（ResiTeSt8400霍爾效應(yīng)測(cè) 量裝置）進(jìn)行。將載流子濃度為5X1015(cm3)以下、迀移率為5(cm2/Vs)以上作為目標(biāo)。
[0076]
[0077](實(shí)施例1)
[0078] 作為Ιη203原料，使用粒徑1·3μ m、比表面積（BET) 4. 4m2/g的Ιη203粉末；作為Ga203 原料，使用粒徑5. 6μm、比表面積9.lm2/g的Ga203粉末；作為ZnO原料，使用粒徑1. 1μm、 比表面積3. 8m2/g的ZnO粉末。將這些粉末調(diào)節(jié)成Ιη203原料為46. 6重量％、Ga203原料為 28. 6重量％、ZnO原料為24. 8重量％，合計(jì)為100重量％，由此得到如下組成：In、Ga、Zn以 金屬比計(jì)，IrV(In+Ga)為 0· 524,ZrV(In+Ga+Zn)為 0· 323,余量為Ga。
[0079] 接著，混合這些粉末（不進(jìn)行煅燒）。粉碎前的比表面積為6. 0m2/g。另外，粉碎 后的比表面積為17. 8m2/g。該差值為11. 8m2/g。在粉末的燒結(jié)溫度為1430°C、燒結(jié)氣氛為 氧氣氣氛的條件下進(jìn)行燒結(jié)。
[0080] 其結(jié)果是，密度為6. 32g/cm3、相對(duì)密度為96. 8 %的高密度，體電阻值為 3·8πιΩ·cm，具有足以能夠進(jìn)行DC濺射的低體電阻值。Ιη203相的最大尺寸（長(zhǎng)徑）為 4. 9μπκ相狀態(tài)為InxGauχ))2Ζη04相和In203相的雙相。
[0081] 并且，載流子濃度為2.21X1015(cm3)、迀移率為9. 14 (cm2/Vs)。另外，濺射中的電 弧放電的產(chǎn)生少至121次。均滿足本申請(qǐng)發(fā)明的條件。
[0082] (實(shí)施例2)
[0083] 作為Ιη203原料，使用粒徑1. 3μm、比表面積4. 4m2/g的Ιη203粉末；作為Ga203原 料，使用粒徑5. 6μm、比表面積9.lm2/g的Ga203粉末；作為ZnO原料，使用粒徑1. 1μm、比 表面積3. 8m2/g的ZnO粉末。
[0084] 將這些粉末調(diào)節(jié)成Ιη203原料為44. 7重量％、Ga203原料為29. 6重量％、ZnO原料 為25. 7重量％，合計(jì)為100重量％，由此得到如下組成：In、Ga、Zn以金屬比計(jì)，InAln+Ga) 為 0· 505,ZnAln+Ga+Zn)為 0· 331，余量為Ga。
[0085] 接著，混合這些粉末（不進(jìn)行煅燒）。粉碎前的比表面積為6. 0m2/g。另外，粉碎 后的比表面積為18. 0m2/g。該差值為