12. 0m2/g。在粉末的燒結(jié)溫度為1430°C、燒結(jié)氣氛為 氧氣氣氛的條件下進行燒結(jié)。
[0086] 其結(jié)果是,密度為6. 33g/cm3、相對密度為97. 3 %的高密度,體電阻值為 5. 8πιΩμπι,具有足以能夠進行DC濺射的低體電阻值。相狀態(tài)為InxGa(1χ))2Ζη04相的單相。
[0087] 并且,載流子濃度為1. 34X1015(cm3)、迀移率為6. 46(cm2/Vs)。另外,濺射中的電 弧放電的產(chǎn)生少至86次。均滿足本申請發(fā)明的條件。
[0088] (實施例3)
[0089] 作為Ιη203原料,使用粒徑1. 3μm、比表面積4. 4m2/g的Ιη203粉末;作為Ga203原 料,使用粒徑5. 6μm、比表面積9.lm2/g的Ga203粉末;作為ZnO原料,使用粒徑1. 1μm、比 表面積3. 8m2/g的ZnO粉末。
[0090] 將這些粉末調(diào)節(jié)成Ιη203原料為45. 4重量%、Ga203原料為29. 2重量%、Ζη0原料 為25. 4重量%,合計為100重量%,由此得到如下組成:除氧以外的In、Ga、Zn以金屬比計, IrV(In+Ga)為 0· 512,ZnAln+Ga+Zn)為 0· 328,余量為Ga。
[0091] 接著,混合這些粉末(不進行煅燒)。粉碎前的比表面積為5. 8m2/g。另外,粉碎 后的比表面積為16. 8m2/g。該差值為11. 0m2/g。在粉末的燒結(jié)溫度為1430°C、燒結(jié)氣氛為 氧氣氣氛的條件下進行燒結(jié)。
[0092] 其結(jié)果是,密度為6. 33g/cm3、相對密度為97. 1 %的高密度,體電阻值為 4·3πιΩ·cm,具有足以能夠進行DC濺射的低體電阻值。Ιη203相的最大尺寸(長徑)為 5. 2μπκ相狀態(tài)為InxGauχ))2Ζη04相和In203相的雙相。
[0093] 并且,載流子濃度為1. 56X1015(cm3)、迀移率為7. 23 (cm2/Vs)。另外,濺射中的電 弧放電的產(chǎn)生少至130次。均滿足本申請發(fā)明的條件。
[0094] (實施例4)
[0095] 作為Ιη203原料,使用粒徑1. 3μm、比表面積4. 4m2/g的Ιη203粉末;作為Ga203原 料,使用粒徑5. 6μm、比表面積9.lm2/g的Ga203粉末;作為ZnO原料,使用粒徑1. 1μm、比 表面積3. 8m2/g的ZnO粉末。
[0096] 將這些粉末調(diào)節(jié)成Ιη203原料為46. 6重量%、Ga203原料為28. 6重量%、ZnO原料 為24. 8重量%,合計為100重量%,由此得到如下組成:In、Ga、Zn以金屬比計,In/(In+Ga) 為 0· 524,ZnAln+Ga+Zn)為 0· 323,余量為Ga。
[0097] 接著,混合這些粉末(不進行煅燒)。粉碎前的比表面積為5. 9m2/g。另外,粉碎 后的比表面積為17. 5m2/g。該差值為11. 6m2/g。在粉末的燒結(jié)溫度為1430°C、燒結(jié)氣氛為 大氣中的條件下進行燒結(jié)。
[0098] 其結(jié)果是,密度為6. 32g/cm3、相對密度為96. 8 %的高密度,體電阻值為 2·9πιΩ·cm,具有足以能夠進行DC濺射的低體電阻值。Ιη203相的最大尺寸(長徑)為 4. 3μπκ相狀態(tài)為InxGauχ))2Ζη04相和In203相的雙相。
[0099] 并且,載流子濃度為1. 72X1015(cm3)、迀移率為8. 62(cm2/Vs)。另外,濺射中的電 弧放電的產(chǎn)生少至128次。均滿足本申請發(fā)明的條件。
[0100] (實施例5)
[0101] 作為Ιη203原料,使用粒徑1. 3μL?、比表面積4. 4m2/g的Ιη203粉末;作為Ga203原 料,使用粒徑5. 6μm、比表面積9.lm2/g的Ga203粉末;作為ZnO原料,使用粒徑1. 1μm、比 表面積3. 8m2/g的ZnO粉末。
[0102] 將這些粉末調(diào)節(jié)成Ιη203原料為46. 6重量%、Ga203原料為28. 6重量%、Ζη0原料 為24. 8重量%,合計為100重量%,由此得到如下組成:In、Ga、Zn以金屬比計,In/(In+Ga) 為 0· 524,ZnAln+Ga+Zn)為 0· 323,余量為Ga。
[0103] 接著,混合這些粉末(不進行煅燒)。粉碎前的比表面積為5. 9m2/g。另外,粉碎 后的比表面積為17. 5m2/g。該差值為11. 6m2/g。在粉末的燒結(jié)溫度為1370°C、燒結(jié)氣氛為 氧氣氣氛的條件下進行燒結(jié)。
[0104] 其結(jié)果是,密度為6. 32g/cm3、相對密度為96. 8 %的高密度,體電阻值為 8·0πιΩ·cm,具有足以能夠進行DC濺射的低體電阻值。Ιη203相的最大尺寸(長徑)為 3. 5μπκ相狀態(tài)為InxGa(1x山Ζη04相和In203相的雙相。
[0105] 并且,載流子濃度為2. 61X1015(cm3)、迀移率為8. 89 (cm2/Vs)。另外,濺射中的電 弧放電的產(chǎn)生少至142次。均滿足本申請發(fā)明的條件。
[0106] (實施例6)
[0107] 作為Ιη203原料,使用粒徑1. 3μπι、比表面積4. 4m2/g的Ιη203粉末;作為Ga203原 料,使用粒徑5. 6μm、比表面積9.lm2/g的Ga203粉末;作為ZnO原料,使用粒徑1. 1μm、比 表面積3. 8m2/g的ZnO粉末。
[0108] 將這些粉末調(diào)節(jié)成Ιη203原料為49. 9重量%、Ga203原料為24. 9重量%、Ζη0原料 為25. 3重量%,合計為100重量%,由此得到如下組成:In、Ga、Zn以金屬比計,InAln+Ga) 為 0· 575,ZnAln+Ga+Zn)為 0· 332,余量為Ga。
[0109] 接著,混合這些粉末(不進行煅燒)。粉碎前的比表面積為5. 6m2/g。另外,粉碎 后的比表面積為17. 8m2/g。該差值為12. 2m2/g。在粉末的燒結(jié)溫度為1430°C、燒結(jié)氣氛為 氧氣氣氛的條件下進行燒結(jié)。
[0110] 其結(jié)果是,密度為6. 38g/cm3、相對密度為97. 5 %的高密度,體電阻值為 9. 8πιΩμπι,具有足以能夠進行DC濺射的低體電阻值。相狀態(tài)為InxGa(1χ))2Ζη04相的單相。
[0111] 并且,載流子濃度為3. 53X1015(cm3)、迀移率為9. 53 (cm2/Vs)。另外,濺射中的電 弧放電的產(chǎn)生少至134次。均滿足本申請發(fā)明的條件。
[0112] (實施例7)
[0113] 作為Ιη203原料,使用粒徑1. 3μπι、比表面積4. 4m2/g的Ιη203粉末;作為Ga203原 料,使用粒徑5. 6μm、比表面積9.lm2/g的Ga203粉末;作為ZnO原料,使用粒徑1. 1μm、比 表面積3. 8m2/g的ZnO粉末。
[0114] 將這些粉末調(diào)節(jié)成Ιη203原料為52. 4重量%、Ga203原料為26. 2重量%、ZnO原料 為21. 4重量%,合計為100重量%,由此得到如下組成:In、Ga、Zn以金屬比計,In/(In+Ga) 為 0· 575,ZnAln+Ga+Zn)為 0· 286,余量為Ga。
[0115] 接著,混合這些粉末(不進行煅燒)。粉碎前的比表面積為6. 2m2/g。另外,粉碎 后的比表面積為15. 5m2/g。該差值為9. 3m2/g。在粉末的燒結(jié)溫度為1430°C、燒結(jié)氣氛為 氧氣氣氛的條件下進行燒結(jié)。
[0116] 其結(jié)果是,密度為6. 42g/cm3、相對密度為97. 2 %的高密度,體電阻值為 2.ΙπιΩ·cm,具有足以能夠進行DC濺射的低體電阻值。Ιη203相的最大尺寸(長徑)為 8. 8μπκ相狀態(tài)為InxGa(1x山Ζη04相和In203相的雙相。
[0117] 并且,載流子濃度為4. 55X1015(cm3)、迀移率為7. 34 (cm2/Vs)。另外,濺射中的電 弧放電的產(chǎn)生少至173次。均滿足本申請發(fā)明的條件。
[0118] (比較例1)
[0119] 作為Ιη203原料,使用粒徑1. 3μπι、比表面積4. 4m2/g的Ιη203粉末;作為Ga203原 料,使用粒徑5. 6μm、比表面積9.lm2/g的Ga203粉末;作為ZnO原料,使用粒徑1. 1μm、比 表面積3. 8m2/g的ZnO粉末。
[0120] 將這些粉末調(diào)節(jié)成Ιη203原料為44. 2重量%、Ga203原料為29. 9重量%、ZnO原料 為25. 9重量%,合計為100重量%,由此得到如下組成:In、Ga、Zn以金屬比計,InAln+Ga) 為 0· 500,ZnAln+Ga+Zn)為 0· 333,余量為Ga。
[0121] 接著,混合這些粉末(不進行煅燒)。粉碎前的比表面積為5. 6m2/g。另外,粉碎 后的比表面積為16. 6m2/g。該差值為11.0m2/g。在粉末的燒結(jié)溫度為1430°C、燒結(jié)氣氛為 氧氣氣氛的條件下進行燒結(jié)。
[0122] 其結(jié)果是,密度為6. 33g/cm3、相對密度為97. 3%的高密度,體電阻值高達 32πιΩ.cm,不足以進行DC濺射。相狀態(tài)為InxGa(lx))2Zn04相的單相。
[0123] 并且,載流子濃度高達5.87X1015