一種多功能儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種多功能儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗較少有殺菌功能，人們?cè)谑褂眠^(guò)程中通過(guò)觸摸的需要容易從儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗上感染細(xì)菌，或帶給儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗外表面細(xì)菌，給人體造成交叉感染，影響使用者身心健康。
[0003]現(xiàn)有的儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗的透光性能不好，容易炫目?，F(xiàn)有的儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗也不具有防輻射、防紫外線(xiàn)等功能。
[0004]此外，人們的手觸摸到儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗時(shí)，手上的油污和水漬很容易在儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗上留下痕跡，這些痕跡又很不容易擦除掉，這樣就會(huì)影響使用者觀察事物的效果，給使用者帶來(lái)不便。長(zhǎng)期使用后，儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗不僅容易滋生細(xì)菌，而且還容易吸附周?chē)h(huán)境中的灰塵等細(xì)小顆粒，從而不利于使用者的身體健康。
[0005]另外，現(xiàn)有的儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗在使用過(guò)程中很容易被刮花或蹭花，影響美觀，更嚴(yán)重的是，儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗的表面刮花或蹭花后，內(nèi)層暴露在空氣中，容易受腐蝕，影響使用壽命。因此市場(chǎng)上迫切需要出現(xiàn)多功能的儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗來(lái)取代現(xiàn)有的儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種表面帶多層鍍膜層的多功能儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗及其制備方法。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種多功能儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗，包括基片，所述基片的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層、第七膜層和第八膜層;所述第一膜層和第三膜層均為五氧化三鈦層，厚度均為1-1OOnm;所述第二膜層和第四膜層均為二氧化硅層，厚度均為50-100nm;所述第五膜層為納米銀層，第五膜層的厚度為5-20nm;所述第六膜層為ITO層，厚度為1-1OOnm;所述第七膜層為高硬度層，厚度為10-50nm;所述第八膜層為氟化物層，厚度為3-10nmo
[0008]所述的五氧化三鈦層的膜材為五氧化三鈦，并由電子槍蒸鍍成型，二氧化硅層的膜材為二氧化硅，并由電子槍蒸鍍成型。
[0009]所述納米銀層的膜材為銀的氧化物，并使用電子槍蒸鍍成型，所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag2O3，所述ITO層的膜材為ITO，并由電子槍蒸鍍成型。
[0010]所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
[0011 ]所述氟化物層的膜材為氟化鎂，并由電阻加熱蒸鍍成型。
[0012]所述基片由樹(shù)脂或玻璃成型。
[0013]所述基片由樹(shù)脂成型時(shí)，所述制備方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基片進(jìn)行清洗、干燥；
2)對(duì)基片的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值調(diào)整至小于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基片的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第三膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第三膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
D、鍍第四膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時(shí)控制第四膜層蒸鍍的速率為7A/S，第四膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第四膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
E、鍍第五膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材銀的氧化物，銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米銀形式在步驟D中第四膜層的表面形成薄層，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為1A/S，第五膜層最終形成后的厚度為5-20nm;
F、鍍第六膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第六膜層的膜材，第六膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層的表面，同時(shí)控制第六膜層蒸鍍的速率為1A/S，第六膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第六膜層的膜材為ΙΤ0，形成ITO層。
[0014]G、鍍第七膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第七膜層的膜材，第七膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟F中第六膜層的表面，同時(shí)控制第七膜層蒸鍍的速率為7A/S，第六膜層最終形成后的厚度為10-50nm;其中，所述第六膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅高硬度晶體或者一氧化硅高硬度晶體，形成高硬度層。
[0015]H、鍍第八膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50_70°C，采用電阻加熱第八膜層的膜材，第八膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟G中第七膜層的表面，同時(shí)控制第八膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第八膜層最終形成后的厚度為3-1 Onm;其中，所述第八膜層的膜材為氟化鎂，形成氟化物層。
[0016]所述的步驟I)中對(duì)基片進(jìn)行清洗、干燥的具體步驟如下:將基片放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基片的外表面2-3分鐘進(jìn)行清洗。
[0017]所述基片由玻璃成型時(shí)，所述制備方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基片進(jìn)行清洗、干燥；
2)對(duì)基片的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值調(diào)整至小于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基片的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層