蒸鍍的速率為2.5A/S，第三膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第三膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
D、鍍第四膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時控制第四膜層蒸鍍的速率為7A/S，第四膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第四膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
E、鍍第五膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材銀的氧化物，銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米銀形式在步驟D中第四膜層的表面形成薄層，同時控制第五膜層蒸鍍的速率為1A/S，第五膜層最終形成后的厚度為5-20nm;
F、鍍第六膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第六膜層的膜材，第六膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層的表面，同時控制第六膜層蒸鍍的速率為1A/S，第六膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第六膜層的膜材為ITO，形成ITO層。
[0018]G、鍍第七膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第七膜層的膜材，第七膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟F中第六膜層的表面，同時控制第七膜層蒸鍍的速率為7A/S，第六膜層最終形成后的厚度為10-50nm;其中，所述第六膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅高硬度晶體或者一氧化硅高硬度晶體，形成高硬度層。
[0019]H、鍍第八膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電阻加熱第八膜層的膜材，第八膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟G中第七膜層的表面，同時控制第八膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第八膜層最終形成后的厚度為3-1 Onm;其中，所述第八膜層的膜材為氟化鎂，形成氟化物層。
[0020]所述的步驟I)中對基片進行清洗、干燥的具體步驟如下:將基片放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基片的外表面5-10分鐘進行清洗。
[0021]本發(fā)明采用電子束真空蒸鍍的原理，利用帶電荷的粒子在電場中加速后具有一定動能的特點，將離子引向欲被鍍膜的基片制成的電極，并通過電子槍高溫轟擊將高純度膜材，蒸發(fā)出來的納米分子使其沿著一定的方向運動到基片并最終在基片上沉積成膜的方法。本項發(fā)明技術(shù)結(jié)合利用磁場的特殊分布控制電場中的電子運動軌跡，以此改進鍍膜的工藝，使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制備的膜層致密性好、附著力強。
[0022]本發(fā)明在基片上真空蒸鍍有五氧化三鈦層，充分利用了五氧化三鈦晶體材料鍍膜操作性好，膜層密集，均勻，穩(wěn)定，應(yīng)力小等性能，以及五氧化三鈦晶體材料在可見光波段內(nèi)具有最高的折射率，結(jié)晶性好，蒸鍍穩(wěn)定，無放氣和噴濺等優(yōu)點，使其適合在儀表盤或照相機視窗基片上鍍制增透性好的多層膜。
[0023]本發(fā)明在基片上真空蒸鍍有二氧化硅層，主要起增加膜層附著力、耐磨性以及抗沖擊性的作用，同時可以吸收有害光。
[0024]本發(fā)明的五氧化三鈦層和二氧化硅層相互配合，主要起到控制過濾波長的防炫增透的效果。本發(fā)明通過上述膜層相互配合，起到吸收、反射、轉(zhuǎn)化、過濾等功效，是儀表盤或照相機視窗鍍膜殺菌防炫耐磨的核心技術(shù);同時，通過調(diào)節(jié)上述各膜層的厚度，使得波長較長的可見光產(chǎn)生相干干涉，從而進一步產(chǎn)生防炫效果;設(shè)置納米銀層，對大腸桿菌、淋球菌、沙眼衣原體等數(shù)十種致病微生物都有強烈的抑制和殺滅作用，而且不會產(chǎn)生耐藥性，納米銀層的膜材為銀的氧化物，如Ag2O、AgO或Ag2O3,銀的氧化物經(jīng)過電子槍蒸鍍過程氧離子從銀的氧化物中分離得到納米銀，納米銀在第四層膜的表面形成薄層;此外設(shè)置ITO層可以有效的防輻射和防紫外線;設(shè)置高硬度層能夠有效提高了儀表盤或照相機視窗的耐磨性，可以防止其刮花;設(shè)置氟化物層，氟化物具有很好的防水和防油污功能，因此本發(fā)明產(chǎn)品表面通過多層鍍膜實現(xiàn)多種功能效果，設(shè)計合理，實用性強。
【附圖說明】
[0025]以下結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明做進一步詳細(xì)說明:
圖1為本發(fā)明多功能儀表盤或照相機的分解結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0026]如圖1所示，一種多功能儀表盤或照相機視窗，包括基片I，所述基片I的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層2、第二膜層3、第三膜層4、第四膜層5、第五膜層6、第六膜層7、第七膜層8和第八膜層9;所述第一膜層2和第三膜4層均為五氧化三鈦層，厚度均為1-1OOnm;所述第二膜層3和第四膜層5均為二氧化硅層，厚度均為50-100nm;所述第五膜層6為納米銀層，第五膜層6的厚度為5-20nm;所述第六膜層7為ITO層，厚度為1-1OOnm;所述第七膜層8為高硬度層，厚度為10_50nm;所述第八膜層9為氟化物層，厚度為3-10nmo
[0027]所述的五氧化三鈦層的膜材為五氧化三鈦，并由電子槍蒸鍍成型，二氧化硅層的膜材為二氧化硅，并由電子槍蒸鍍成型。
[0028]所述納米銀層的膜材為銀的氧化物，并使用電子槍蒸鍍成型，所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag2O3，所述ITO層的膜材為ITO，并由電子槍蒸鍍成型。
[0029]所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
[0030]所述氟化物層的膜材為氟化鎂，并由電阻加熱蒸鍍成型。
[0031]所述基片I由樹脂或玻璃成型。
[0032]所述基片I由樹脂成型時，所述制備方法具體包括以下步驟:
1)對基片I進行清洗、干燥；
2)對基片I的外表面進行鍍膜；
A、鍍第一膜層2:
將真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值調(diào)整至小于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層2的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于基片I的外表面，同時控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層3:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層3的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層2的表面，同時控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層4:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層4的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層3的表面，同時控制第三膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第三膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第三膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
D、鍍第四膜層5:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值小于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第四膜層5的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層4的表面，同時控制第四膜層蒸鍍的速率為7A/S，第四膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第四膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
E、鍍第五膜層6:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的壓力值大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙