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      鋁靶材的制造方法_3

      文檔序號(hào):9859513閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      上。
      [0059]本實(shí)施例中,可以采用鐵皮帶(未示出)捆綁上述疊合在一起的五個(gè)第二鋁靶材坯料102。在捆綁時(shí),可以將五個(gè)第二鋁靶材坯料102首尾均勻捆綁一起。鐵皮帶本身機(jī)械強(qiáng)度適用于大型物件的捆扎,并且不易受溫度上升影響韌性。在其它實(shí)施例中,也可以采用其它方式對(duì)接觸在一起的第二鋁靶材坯料102進(jìn)捆綁。
      [0060]需要說(shuō)明的是,在其它實(shí)施例中,也可以將兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)或者六個(gè)以上的第二鋁靶材坯料接觸在一起,但當(dāng)然需要考慮到熱處理爐中一次能夠容納的第二鋁靶材坯料個(gè)數(shù)??紤]到高世代的TFT-LCD面板所使用的鋁靶材通常為多個(gè),例如6代線一次使用十個(gè)大面積的鋁靶材,8.5代線一次使用十二個(gè)大面積的鋁靶材。因此,可以多采用將三個(gè)、四個(gè)或者五個(gè)第二鋁靶材坯料接觸在一起,并同時(shí)進(jìn)行后續(xù)的第三熱處理,這樣能夠保證形成的不同鋁靶材之間,晶粒大小均一性較高。同樣的,在同時(shí)將其它個(gè)數(shù)的第二鋁靶材坯料接觸在一起時(shí),當(dāng)?shù)诙X靶材坯料仍為長(zhǎng)方體,并且第二鋁靶材坯料仍然通過(guò)主表面疊合在一起時(shí),仍然可以采用鋁板覆蓋在未與其它主表面疊合的主表面上。
      [0061]請(qǐng)繼續(xù)參考圖4,對(duì)接觸在一起的五個(gè)第二鋁靶材坯料102同時(shí)進(jìn)行第三熱處理,以形成鋁靶材(未示出)。
      [0062]本實(shí)施例中,第三熱處理的熱處理溫度可以為245°C?255°C,熱處理時(shí)間可以為14.5min?15.5min。第三熱處理的目的是提高第二鋁靶材坯料102中原子的擴(kuò)散能力,以減小前面鍛打和軋制引起的內(nèi)部組織缺陷,并消除第二鋁靶材坯料102的殘余應(yīng)力,以使第二鋁靶材坯料102內(nèi)部發(fā)生再結(jié)晶現(xiàn)象。而且,本實(shí)施例中,同時(shí)對(duì)接觸在一起的五個(gè)第二鋁靶材坯料102進(jìn)行第三熱處理,還能夠充分利用不同第二鋁靶材坯料102之間的金屬熱傳遞作用,從而更好地控制最終得到的鋁靶材的晶粒大小均一性。并且,由于一次對(duì)五個(gè)第二鋁靶材坯料102進(jìn)行第三熱處理,也同時(shí)提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
      [0063]需要說(shuō)明的是,在上述第一熱處理、第二熱處理或第三熱處理之后,均可以采用相應(yīng)的冷卻工藝對(duì)鋁錠100或者鋁靶材坯料(包括第一鋁靶材坯料101和第二鋁靶材坯料102)進(jìn)行冷卻。具體的方式可以采用空冷??绽錈o(wú)需對(duì)鋁錠100或者鋁靶材坯料進(jìn)行額外的操作,也不需要消耗其它任何物品,因此簡(jiǎn)化工藝且節(jié)約成本。并且空冷的最終溫度為室溫,一方面,可以使得熱處理后的冷卻溫度差最大化,有利于鋁錠100或者鋁靶材坯料的晶粒更加均勻化;另一方面,室溫較好控制,可以使得每個(gè)階段工藝的起始溫度一致,即,每個(gè)階段的工藝的溫度會(huì)具有相同的起點(diǎn),進(jìn)而更有利于整個(gè)鋁靶材的制造工藝的控制。
      [0064]在第三熱處理后,本實(shí)施例得到了鋁靶材。后續(xù)工藝步驟中,還可以對(duì)鋁靶材進(jìn)行機(jī)械加工。所述機(jī)械加工包括粗加工和精加工等工藝,以制成尺寸符合濺射要求的鋁靶材。其中粗加工是指輪廓車削,精加工是指產(chǎn)品尺寸車削,包括周圈線切割,上下平面磨床加工。例如通過(guò)直線鋸工藝去除鋁靶材多余的尺寸余量,通過(guò)彎曲度矯正工藝對(duì)鋁靶材彎曲度進(jìn)行矯正,并經(jīng)過(guò)面銑工藝,對(duì)鋁靶材表面進(jìn)行銑平等。在機(jī)械加工后,還可以對(duì)成品進(jìn)行清洗和干燥等處理。
      [0065]最后,還可以對(duì)鋁靶材進(jìn)行微觀晶粒分析。具體的,可以取部分結(jié)構(gòu)作為樣品(面積為Imm2?2mm2),對(duì)其進(jìn)行拋光,以去除其表面的氧化層,并對(duì)拋光后的樣品進(jìn)行腐蝕,再用顯微鏡觀察鋁靶材的內(nèi)部晶粒的大小,以及晶粒組織結(jié)構(gòu)是否均勻。可以采用電子背散射衍射分析儀(Electron Back Scattered Diffract1n, EBSD)來(lái)檢測(cè)招革巴材的晶體取向是否符合要求。
      [0066]本實(shí)施例所提供的制造方法制作得到的鋁靶材中,對(duì)同時(shí)進(jìn)行同一次第三熱處理所形成的五個(gè)鋁靶材進(jìn)行取樣檢測(cè)。檢測(cè)結(jié)果顯示:五個(gè)鋁靶材的五個(gè)樣品中,晶粒尺寸均可以達(dá)到小于或者等于ΙΟΟμπι的水平;并且,五個(gè)鋁靶材的五個(gè)樣品之間,最大晶粒尺寸與最小晶粒尺寸差可以降低至小于或者等于15μπι的水平。可見(jiàn),本實(shí)施例接觸在一起的五個(gè)第二鋁靶材坯料102所形成的五個(gè)鋁靶材中,各鋁靶材內(nèi)部晶粒大小的均一性較高,并且不同鋁靶材內(nèi)部晶粒大小的均一性也較高。因此,所述造方法制作得到的鋁靶材各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到大世代(例如6代線以上)TFT-1XD面板的使用要求。
      [0067]本發(fā)明實(shí)施例所提供的鋁靶材的制造方法中,用金屬的熱傳遞性能,最大限度的使形成的鋁靶材受熱均勻,有效地控制了鋁靶材的晶粒大小和晶粒均一性,并且能夠一次批量地對(duì)兩個(gè)以上的第二鋁靶材坯料進(jìn)行第三熱處理,大幅提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
      [0068]雖然本發(fā)明披露如上,但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動(dòng)與修改,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種鋁靶材的制造方法,其特征在于,包括: 提供鋁錠; 對(duì)所述鋁錠進(jìn)行第一熱處理; 在所述第一熱處理后,對(duì)所述鋁錠進(jìn)行鍛打以形成第一鋁靶材坯料; 對(duì)所述第一鋁靶材坯料進(jìn)行第二熱處理; 在所述第二熱處理后,對(duì)所述第一鋁靶材坯料進(jìn)行軋制以形成第二鋁靶材坯料; 將至少兩個(gè)所述第二鋁靶材坯料接觸在一起; 對(duì)接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料同時(shí)進(jìn)行第三熱處理,以形成鋁靶材。2.如權(quán)利要求1所述的鋁靶材的制造方法,其特征在于,所述第二鋁靶材坯料的形狀呈長(zhǎng)方體,所述長(zhǎng)方體中面積最大的兩個(gè)表面為主表面,其它表面為側(cè)面;將至少兩個(gè)所述第二鋁靶材坯料接觸在一起的步驟包括:將相鄰兩個(gè)所述第二鋁靶材坯料中,第一個(gè)所述第二鋁靶材坯料的其中一個(gè)所述主表面與第二個(gè)所述第二鋁靶材坯料的其中一個(gè)所述主表面至少部分疊合在一起。3.如權(quán)利要求2所述的鋁靶材的制造方法,其特征在于,將全部所述第二鋁靶材坯料按階梯錯(cuò)開(kāi)式疊合,以使相互疊合的所述主表面至少有部分暴露在外,并在每個(gè)所述第二鋁靶材坯料的所述主表面連接一個(gè)熱電偶。4.如權(quán)利要求2所述的鋁靶材的制造方法,其特征在于,將全部所述第二鋁靶材坯料按完全重疊式疊合,以使相互疊合的所述主表面完全重疊在一起,并在每個(gè)所述第二鋁靶材坯料的所述側(cè)面連接一個(gè)熱電偶。5.如權(quán)利要求2所述的鋁靶材的制造方法,其特征在于,接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料具有兩個(gè)完全暴露在外的所述主表面,采用鋁板與至少其中一個(gè)完全暴露在外的所述主表面疊合。6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的鋁靶材的制造方法,其特征在于,還包括:對(duì)接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料進(jìn)行捆綁,在捆綁后對(duì)所述第二鋁靶材坯料進(jìn)行所述第三熱處理。7.如權(quán)利要求6任一項(xiàng)所述的鋁靶材的制造方法,其特征在于,將三個(gè)、四個(gè)或者五個(gè)所述第二鋁靶材坯料接觸在一起。8.如權(quán)利要求1所述的鋁靶材的制造方法,其特征在于,所述第三熱處理的熱處理溫度為245°C?255°C,熱處理時(shí)間為14.5min?15.5min。9.如權(quán)利要求1所述的鋁靶材的制造方法,其特征在于,所述第二熱處理的熱處理溫度為395°C~ 405°C,熱處理時(shí)間為29.5min?30.5min。10.如權(quán)利要求1所述的鋁靶材的制造方法,其特征在于,所述第一熱處理的熱處理溫度為295°C~ 305°C,熱處理時(shí)間為29.5min?30.5min。
      【專利摘要】一種鋁靶材的制造方法,包括:提供鋁錠;對(duì)所述鋁錠進(jìn)行第一熱處理;在所述第一熱處理后,對(duì)所述鋁錠進(jìn)行鍛打以形成第一鋁靶材坯料;對(duì)所述第一鋁靶材坯料進(jìn)行第二熱處理;在所述第二熱處理后,對(duì)所述第一鋁靶材坯料進(jìn)行軋制以形成第二鋁靶材坯料;將至少兩個(gè)所述第二鋁靶材坯料接觸在一起;對(duì)接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料同時(shí)進(jìn)行第三熱處理,以形成鋁靶材。所述制造方法提高了所形成的鋁靶材中,不同鋁靶材之間晶粒大小的均一性,并且提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
      【IPC分類】C22F1/04, C23C14/34
      【公開(kāi)號(hào)】CN105624591
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410606957
      【發(fā)明人】姚力軍, 潘杰, 相原俊夫, 大巖一彥, 王學(xué)澤, 吳旌
      【申請(qǐng)人】寧波江豐電子材料股份有限公司
      【公開(kāi)日】2016年6月1日
      【申請(qǐng)日】2014年10月31日
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