用過(guò)程中的精度偏移;高分子材料易形成膜型材料，即形成具有厚度較薄的薄膜，能夠減少材料厚度對(duì)開(kāi)口尺寸的制約(為保障后期蒸鍍質(zhì)量，掩模單元上開(kāi)口需要符合一定的“寬厚比”，即開(kāi)口尺寸與片材厚度尺寸的比值不能小于某一確定值，例如一些現(xiàn)有技術(shù)中要求開(kāi)口尺寸與片材厚度尺寸的比值必須大于1)，從而在掩模層上形成開(kāi)口尺寸更小的通孔結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠形成密度更大的通孔陣列，以更好的適應(yīng)OLED高分辨率的蒸鍍要求。
[0019]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模單元的掩模支撐層是通過(guò)激光工藝、電鑄工藝、蝕刻工藝中的一種或多種工藝結(jié)合制作形成；構(gòu)成所述掩模單元的掩模層是通過(guò)曝光、顯影工藝相結(jié)合的方式制作形成。
[0020]進(jìn)一步，所述S3步驟中，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模支撐層通過(guò)激光焊接工藝直接固定在所述掩模框架上。
[0021]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模單元的掩模支撐層兩端具有用于夾持的外部夾持端，所述外部夾持端是在所述掩模單元的長(zhǎng)度方向上在掩模支撐層兩端延伸形成。
[0022]進(jìn)一步，所述掩模支撐層兩端的外部夾持端與所述掩模支撐層兩端通過(guò)凹槽連接，所述掩模支撐層上的凹槽通過(guò)蝕刻或激光切割形成。
[0023]進(jìn)一步，所述S3步驟之后還包括以下步驟:
S4:外部夾持端去除步驟，通過(guò)機(jī)械撕除或激光切除的方式去除所述掩模支撐層兩端的外部夾持端。
[0024]根據(jù)本專利【背景技術(shù)】中對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)成掩模組件的掩模單元結(jié)構(gòu)難以進(jìn)一步提高掩模蒸鍍區(qū)內(nèi)通孔的位置精度，從而對(duì)后續(xù)OLED基板上蒸鍍沉積有機(jī)材料的位置精度帶來(lái)局限。本發(fā)明所提供的以上技術(shù)方案掩模單元由兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，掩模層的掩模開(kāi)口區(qū)與掩模支撐層的陣列孔圖形區(qū)局部區(qū)域共同構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)，合理的設(shè)計(jì)可以有效的提高構(gòu)成的掩模板組件掩模板蒸鍍區(qū)內(nèi)通孔的位置精度，從而制備出性能優(yōu)異的OLED產(chǎn)品。
[0025]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【附圖說(shuō)明】
[0026]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所不為OLED發(fā)光材料的蒸鏈不意圖；
圖2所示為現(xiàn)有蒸鍍模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍用掩模板的制作示意圖；
圖4所示為現(xiàn)有技術(shù)中掩模單元21的機(jī)構(gòu)示意圖；
圖5所示為圖4中a區(qū)域放大示意圖；
圖6所示為掩模板外部夾持端與掩模單元非蒸鍍區(qū)連接處的截面放大示意圖；
圖7所示為本發(fā)明高精度蒸鍍用掩模板組件的一種組裝結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8所示為掩模板組件制作流程示意圖；
圖9所示為構(gòu)成本發(fā)明掩模單元的支撐層平面示意圖；
圖10所不為圖9中b區(qū)域的放大不意圖；
圖11所示為構(gòu)成本發(fā)明掩模單元的掩模層一種平面示意圖；
圖12所示為圖11中C區(qū)域的放大示意圖；
圖13所示為掩模單元的局部放大示意圖(即圖10及圖12所示結(jié)構(gòu)貼合在一起的示意圖)；
圖14所示為圖8中所示截面的局部放大示意圖；
圖15所示為本發(fā)明支撐層的另一實(shí)施例平面示意圖；
圖16所示為本發(fā)明支撐層的第三種不同實(shí)施例平面示意圖。
[0027]
圖1中，I為待沉積的基板，2為掩模板組件，21為掩模單元，22為掩模框架，3為承載臺(tái)，4為有機(jī)材料蒸鍍?cè)矗?br> 圖4中，200為凹槽，210為外部夾持端，211為蒸鍍區(qū)211，212為非蒸鍍區(qū)；
圖7中，71為掩模層，72為支撐層，73為掩?？蚣?，①②③④⑤⑥⑦⑧⑨分別代表相應(yīng)掩模單元的安裝順序；；
圖8中，711為掩模開(kāi)口區(qū)，712為掩模遮擋區(qū)，721為支撐層陣列孔圖形區(qū)，722為支撐層非開(kāi)口區(qū)，80為掩模板蒸鍍區(qū)；
圖9中，701為凹槽，720為外部夾持端，7200為夾持端部，b為待放大區(qū)域；
圖10中，7210為構(gòu)成支撐層陣列孔圖形區(qū)721的小開(kāi)口圖11中，c為待放大區(qū)域；
圖12中，7110為構(gòu)成掩模開(kāi)口區(qū)711的通孔；
圖15、16中，7211為陣列孔圖形區(qū)721的端部。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0029]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“底”、“頂”、“前”、“后”、“內(nèi)”、“外”、“橫”、“豎”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0030]圖7所示為本發(fā)明高精度蒸鍍用復(fù)合掩模板組件的一種組裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖8所示為掩模板組件制作流程示意圖。
[0031 ]在本實(shí)施例中，一種OLED蒸鍍用復(fù)合掩模板組件制作方法，其包括以下步驟:
S1:掩模支撐層制作步驟，制作表面具有陣列孔圖形區(qū)721的掩模支撐層72，陣列孔圖形區(qū)721由連續(xù)小開(kāi)口 7210陣列構(gòu)成；
S2:掩模層制作步驟，在制作完成的掩模支撐層72—表面涂布或壓貼一層有機(jī)感光材料，并通過(guò)曝光、顯影工藝形成掩模層71，掩模層71上設(shè)置有若干掩模開(kāi)口區(qū)711，掩模開(kāi)口區(qū)711由通孔7110陣列形成，掩模層71與掩模支撐層72共同構(gòu)成掩模單元；
S3:掩模組件組裝步驟，將掩模單元繃緊拉平后按一定的規(guī)則固定在掩模框架73上，形成掩模板組件；
組裝后的掩模板組件包括掩?？蚣?3及設(shè)置在所述掩模框架上的至少一組掩模單元，具體于本實(shí)施例中，掩模單元為9組。掩模單元由掩模支撐層72及設(shè)置在掩模支撐層72上方的掩模層71構(gòu)成，掩模層71貼合的設(shè)置在掩模支撐層72上表面，掩模單元通過(guò)掩模支撐層72固定在掩?？蚣?3上；掩模層71上設(shè)置有若干掩模開(kāi)口區(qū)711，掩模開(kāi)口 711區(qū)由通孔7110陣列形成，具體在本實(shí)施例中，掩模層71上設(shè)置有6個(gè)掩模開(kāi)口區(qū)711;掩模支撐層72上設(shè)置有連續(xù)小開(kāi)口 7210構(gòu)成的陣列孔圖形區(qū)721;掩模支撐層72上陣列孔圖形區(qū)721的覆蓋范圍能夠完全覆蓋掩模層71上的掩模開(kāi)口區(qū)711，掩模層71上的掩模開(kāi)口區(qū)711與掩模支撐層72上陣列孔圖形區(qū)721重合部分構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)80;在掩模板蒸鍍區(qū)80內(nèi)部，構(gòu)成掩模層71掩模開(kāi)口區(qū)711的通孔7110與構(gòu)成掩模支撐層72陣列孔圖形區(qū)721的小開(kāi)口 7210共同形成蒸鍍通道。每個(gè)掩模板蒸鍍區(qū)內(nèi)部具有一系列掩模通道(參考圖14，后續(xù)進(jìn)一步做展開(kāi))。
[0032]在一些實(shí)施例中，構(gòu)成掩模組件的掩模單元也可以只有一組，即掩模單元由一片完整的掩模層71和一片完整的掩模支撐層72構(gòu)成;在另一些實(shí)施例中，掩模單元的數(shù)量為多組，但不局限于9組，其具體數(shù)量根據(jù)掩模板組件的尺寸進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。
[0033]另外，在一些實(shí)施例中，掩模層71上的掩模開(kāi)口區(qū)的數(shù)量不局限于6個(gè)，其具體數(shù)量及位置分布均根據(jù)實(shí)際要求可作適當(dāng)調(diào)整。
[0034]圖8所示為圖7中掩模單元沿A-A'方向的截面示意圖，其展示的是