本發(fā)明涉及一種晶體生長(zhǎng)用的藍(lán)寶石單晶爐真空計(jì)防污染裝置和真空計(jì)模塊，尤其是一種用于泡生法藍(lán)寶石單晶爐晶體生長(zhǎng)用的真空計(jì)防污染裝置。

背景技術(shù)：

藍(lán)寶石單晶爐是LED產(chǎn)業(yè)鏈中重要的晶體生長(zhǎng)設(shè)備。目前，世界上用于藍(lán)寶石單晶體生長(zhǎng)的主流方法有以下幾種：導(dǎo)模法、提拉法、熱交換法和泡生法。泡生法在引晶、擴(kuò)肩生長(zhǎng)后的晶錠直徑較大，有利于生長(zhǎng)出大尺寸、低缺陷密度、高品質(zhì)的藍(lán)寶石單晶體，因此具有更大的優(yōu)勢(shì)。

泡生法是將一根受冷的籽晶與三氧化二鋁熔液接觸后熔化。當(dāng)界面的溫度低于凝固點(diǎn)，則籽晶開始生長(zhǎng)，為了使籽晶晶體不斷長(zhǎng)大，需逐漸降低熔體的溫度，同時(shí)旋轉(zhuǎn)籽晶裝置，以改善熔體的溫度分布。當(dāng)晶體生長(zhǎng)到一定階段時(shí)，須緩慢上提籽晶裝置，以擴(kuò)大散熱面。晶體生長(zhǎng)過程中，爐體最高溫度超過2000℃。為保證內(nèi)部零部件不在高溫下氧化及晶體的純度，爐內(nèi)需要為高真空環(huán)境。以保持在爐內(nèi)無氧化性氣體。晶體生長(zhǎng)過程中，爐內(nèi)一直保持著較高溫度，同時(shí)需要高真空環(huán)境。目前，用于泡生法晶體生長(zhǎng)的設(shè)備多采用油擴(kuò)散泵作為主泵使設(shè)備，達(dá)到所需的真空度。并采用電離真空計(jì)來測(cè)量設(shè)備內(nèi)部的真空，以保證設(shè)備的安全性。

由于設(shè)備在運(yùn)行過程中，處于極高溫度的高真空的環(huán)境內(nèi)，設(shè)備內(nèi)部的材料的蒸汽壓急劇上升，各種材料揮發(fā)較大，對(duì)真空計(jì)造成污染，并且，由于高溫低壓，一些安裝過程中的油脂也會(huì)揮發(fā)，和抽真空的機(jī)械泵和擴(kuò)散泵也會(huì)由于“返油”使一些泵油進(jìn)入真空系統(tǒng)內(nèi)，這對(duì)測(cè)量真空的真空計(jì)的性能和壽命造成了極大影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有泡生法藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐的真空計(jì)受污染問題，提供一種新型成本較低，利于維護(hù)的防污染裝置。通過此裝置的連接， 使真空計(jì)受到污染的情況得到改善。

技術(shù)方案：本發(fā)明所述的藍(lán)寶石單晶爐真空計(jì)防污染裝置，包括殼體、下隔離板、分子篩層，所述殼體下方設(shè)置有開口，該開口處設(shè)置有下隔離板，在殼體內(nèi)所述下隔離板的上方設(shè)置有分子篩層。通過隔板的作用將單晶爐內(nèi)的污染物進(jìn)行物理隔離，同時(shí)采用分子篩對(duì)通過物理隔離后的污染物進(jìn)一步進(jìn)行吸附。

進(jìn)一步地，還包括上隔離板，所述殼體上方設(shè)置有開口，該開口處設(shè)置有上隔離板。

進(jìn)一步地，所述分子篩層為若干氧化鋁球組成的氧化鋁球?qū)?。通過設(shè)置氧化鋁球?qū)?，一方面可以吸附污染物，另一方面也可以防止吸附劑的加入帶來新的雜質(zhì)。

進(jìn)一步地，所述下隔離板上設(shè)置有若干篩孔。

進(jìn)一步地，所述篩孔為圓形篩孔，且該圓形篩孔直徑1～2mm所述氧化鋁球的直徑3～5mm篩孔太小會(huì)影響真空計(jì)的測(cè)量，太大則使得氧化鋁球的直徑隨之增大，氧化鋁球的個(gè)數(shù)較少，影響吸附效果。

進(jìn)一步地，所述分子篩層為若干氧化鋁球組成的氧化鋁球?qū)樱錾细綦x板上設(shè)置有篩孔，所述篩孔為圓形篩孔，且該圓形篩孔直徑小于所述氧化鋁球的直徑。

進(jìn)一步地，所述殼體為管狀殼體。

本發(fā)明還包括上述任一所述藍(lán)寶石單晶爐真空計(jì)防污染裝置的藍(lán)寶石單晶爐真空計(jì)模塊，該藍(lán)寶石單晶爐真空計(jì)模塊包括所述藍(lán)寶石單晶爐真空計(jì)防污染裝置。

進(jìn)一步地，還包括真空計(jì)，所述真空計(jì)設(shè)置于上隔離板上

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是：通過物理隔離作用和吸附作用，使得設(shè)備在工作揮發(fā)的物質(zhì)及油類物質(zhì)不容易污染到真空計(jì)。并盡量的減少對(duì)真空測(cè)量結(jié)果的影響。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所述的藍(lán)寶石單晶爐真空計(jì)防污染裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。

實(shí)施例1：

如圖1所示，整個(gè)裝置分為上隔離板1、殼體2、下隔離板4、分子篩層3。上隔離板1位于可以內(nèi)的上方，通過殼體2，與下隔離板4構(gòu)成一個(gè)籠狀裝置，氧化鋁球構(gòu)成的分子篩層3置于下隔離板上方。

其中，上隔離板1為一篩狀零件，其中心部位是一個(gè)邊緣為鋸齒狀的圓孔，既保證足夠的氣流通過，并同時(shí)隔離一部分污染物，從而使真空計(jì)捕獲到分子，從而測(cè)量到真空值，殼體2為不銹鋼零部件制作的管狀殼體，保證內(nèi)部與外部完全隔離；下隔離板4也是一篩狀零件，保證氣流通過的同時(shí)，確保氧化鋁球不會(huì)從此裝置內(nèi)跑出；同時(shí)還可以隔離一部分污染物。

如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)表示和表述了本發(fā)明，但其不得解釋為對(duì)本發(fā)明自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍前提下，可對(duì)其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。