1.一種用于在襯底中制造多個(gè)通孔的方法，所述方法包括：
用接合層將包括多個(gè)孔洞的所述襯底的第一面接合至載體的第一面，其中，所述接合層在所述襯底的第一面與所述載體的第一面之間具有厚度t，并且延伸到所述多個(gè)孔洞中的至少一些孔洞內(nèi)，以形成具有從所述玻璃襯底的第一面起的高度h的粘合插塞；
通過所述襯底中的所述多個(gè)孔洞將所述接合層蝕刻至深度d，其中，所述深度d小于或等于所述厚度t與所述高度h之和；以及
用材料填充所述多個(gè)孔洞以形成所述多個(gè)通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：通過使用脈沖激光束進(jìn)行鉆孔而在所述襯底中形成所述多個(gè)孔洞。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，蝕刻所述接合層包括利用濕法蝕刻工藝。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，蝕刻所述接合層包括利用干法蝕刻工藝。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，
所述材料是延伸到接合層內(nèi)長度l的導(dǎo)電材料，其中，所述長度l等于所述深度d與所述高度h之間的差；并且
所述方法進(jìn)一步包括：將包括所述多個(gè)通孔的所述襯底從所述接合層以及所述載體去接合，其中形成所述多個(gè)通孔的所述導(dǎo)電材料的一部分從所述襯底的第一面突出。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述深度d等于所述接合層的所述厚度t與所述高度h之和，使得所述長度l等于所述厚度t。
7.一種用于在襯底中制造多個(gè)通孔的方法，所述方法包括：
用接合層將包括多個(gè)孔洞的所述襯底的第一面接合至載體的第一面，其中，所述接合層在所述襯底的第一面與所述載體的第一面之間具有厚度t；
使用濕法蝕刻工藝，通過所述襯底中的所述多個(gè)孔洞將所述接合層蝕刻至深度d；
用導(dǎo)電材料填充所述多個(gè)孔洞以在玻璃中形成多個(gè)通孔，其中，所述導(dǎo)電材料以長度l延伸到所述接合層內(nèi)，并且其中，所述長度l小于所述厚度t；以及
將包括所述多個(gè)通孔的所述襯底從所述接合層以及所述載體去接合，其中，所述導(dǎo)電材料從所述襯底的第一面突出。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述襯底具有小于或等于100μm的厚度。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述襯底的厚度小于100μm。
10.如權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻工藝包括：將所述接合層暴露至從HF與丙酮中選出的溶劑。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述接合層通過所述襯底被暴露至所述溶劑，使得所述襯底是用于所述蝕刻工藝的硬掩模。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述襯底具有小于或等于100μm的厚度。
13.如權(quán)利要求7-12中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料包括銅材料。
14.如權(quán)利要求7-13中任一項(xiàng)所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括：將包括所述多個(gè)通孔的所述襯底結(jié)合到三維堆疊的集成電路內(nèi)。
15.一種用于在襯底中制造多個(gè)通孔的方法，所述方法包括：
使用接合層將包括多個(gè)孔洞的所述襯底的第一面接合至載體的第一面，其中，所述接合層在所述襯底的第一面與所述載體的第一面之間具有厚度t；
使用干法蝕刻工藝，通過所述襯底中的所述多個(gè)孔洞將所述接合層蝕刻至深度d，其中，所述深度d等于所述蝕刻從所述襯底的第一面延伸到所述接合層內(nèi)的長度l與由延伸到所述多個(gè)孔洞中的至少一些孔洞內(nèi)的接合層形成的粘合插塞的高度h之和，其中，所述長度l等于所述厚度t，所述載體的所述第一面是所述干法蝕刻工藝的停止層；
用導(dǎo)電材料填充所述多個(gè)孔洞以在所述襯底中形成所述多個(gè)通孔，其中，所述導(dǎo)電材料延伸通過所述接合層而至所述載體的第一面；以及
將包括所述多個(gè)通孔的所述襯底從所述接合層以及所述載體去接合，其中，所述導(dǎo)電材料形成從所述玻璃襯底的第一面延伸長度l的柱。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述干法蝕刻工藝包括：將所述接合層暴露至從含O2或含氬氣的氣體中的一者中生成的等離子體。
17.如權(quán)利要求15或16所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料包括銅。
18.如權(quán)利要求15-17中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述柱中的每一個(gè)柱都包括圓柱，所述圓柱從所述襯底的第一面、在基本上垂直于所述襯底的第一面的方向上延伸。
19.如權(quán)利要求15-18中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述襯底具有小于或等于100μm的厚度。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述襯底的厚度小于100μm。