本發(fā)明涉及陶瓷復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：
以半導(dǎo)體技術(shù)為核心技術(shù)的信息技術(shù)給人類的日常生活帶來了極大的變化，未來電子技術(shù)的發(fā)展，無論是在以微電子技術(shù)領(lǐng)域還是電力電子技術(shù)領(lǐng)域，電子元器件的功率密度都是朝著更大的方向發(fā)展，這就對(duì)電子元器件封裝材料的散熱效率和可靠性帶來更高的要求。為了滿足電子系統(tǒng)小型化、低成本、高可靠和性能提高的市場(chǎng)需要，電子封裝陶瓷基板材料逐漸向高可靠性、高散熱效率、價(jià)格適宜方向發(fā)展。目前普遍使用的陶瓷基板材料主要有Al2O3、BeO、Si3N4、莫來石、AlN以及玻璃陶瓷。傳統(tǒng)的氧化鋁多層陶瓷基板因其工藝成熟，價(jià)格低，在一段時(shí)間內(nèi)仍將占有主要地位，但因其熱導(dǎo)率不足等問題使應(yīng)用將受到一定的限制。其中AlN陶瓷熱導(dǎo)率高（與金屬鋁相近）、無毒、原料來源廣泛、介電常數(shù)與機(jī)械性能與氧化鋁接近而且絕緣性能更好、既可以流延成型又可以常壓燒結(jié)，工藝性好。所以AlN是一種很有希望的高導(dǎo)熱基板，已被視為新一代高密度、大功率電子封裝中最理想的陶瓷基板材料，能夠廣泛應(yīng)用于電力電子功率模塊、微波毫米波功率器件、大功率電源模塊、混合集成電路等領(lǐng)域，特別是利用其高導(dǎo)熱的特點(diǎn)制備的陶瓷基板在動(dòng)力機(jī)車、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。但是，為了增加氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率，往往采取提高燒結(jié)溫度或增加保溫時(shí)間的方法，這就導(dǎo)致氮化鋁陶瓷晶粒異常長大，影響陶瓷材料的力學(xué)性能，其彎曲強(qiáng)度僅能達(dá)到300MPa。這限制了該材料在高可靠電力電子模塊中的應(yīng)用，基板在模塊承受功率循環(huán)的過程中很容易發(fā)生開裂。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料及制法，是將氮化鋁晶須加入到氮化鋁陶瓷中，利用陶瓷晶須斷裂強(qiáng)度高、彈性模量大的特點(diǎn)，提高氮化鋁陶瓷材料的力學(xué)性能，使其作為電子封裝基板使用時(shí)具有更高的可靠性，且制法簡單，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：一種電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料，復(fù)合陶瓷粉料中包括如下固體原料：氮化鋁65wt.%～90wt.%，氮化鋁晶須5wt.%～32wt.%和燒結(jié)助劑3wt.%～5wt.%；復(fù)合陶瓷粉料經(jīng)球磨混合制成陶瓷漿料、造粒、成型、排膠、燒結(jié)制成氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。優(yōu)選的，燒結(jié)助劑選用溶膠凝膠法制備的納米釔鋁石榴石和氟化鈣的混合粉體，其中，納米釔鋁石榴石和氟化鈣的質(zhì)量比為1:1～10：1。優(yōu)選的，氮化鋁為高純微米級(jí)顆粒，氮化鋁含量99.9％，粒徑為1.5～3.0微米；所述氮化鋁晶須為長柱狀單晶，長徑比40～100，直徑0.8～3.5微米。上述電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料的制法，包括下列步驟：（1）將固體原料氮化鋁晶須、氮化鋁和燒結(jié)助劑中加入乙醇、分散劑以及粘結(jié)劑，球磨混合36h-48h制成混合均勻的陶瓷漿料；（2）將混合均勻漿料采用噴霧造粒方法干燥、制粉；采用干壓成型工藝預(yù)置成型，而后等靜壓成型，制得成型坯體；（3）所得成型坯體在550℃～600℃條件下保溫2～4h排除內(nèi)部有機(jī)物；所述有機(jī)物包括乙醇、分散劑以及粘結(jié)劑；（4）在流動(dòng)氮?dú)鈿夥障?700～1850℃、保溫2～4小時(shí)的條件下燒結(jié)，得到陶瓷，經(jīng)雙面磨拋后即制得電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。優(yōu)選的，步驟(1)采用的分散劑為：PVP和聚丙烯酰胺混合物，其中PVP為氮化鋁晶須的分散劑，添加量為氮化鋁晶須質(zhì)量的0.5%～2.0%；聚丙烯酰胺為氮化鋁的分散劑，添加量為固體原料總重量的0.5%～1.0%。進(jìn)一步優(yōu)選的，步驟(1)采用的混料方法為：先將PVP與一部分乙醇混合后再分散氮化鋁晶須，固含量為30wt.%～50wt.%，并調(diào)節(jié)pH至7～10，混合均勻；再與氮化鋁、燒結(jié)助劑、聚丙烯酰胺、粘結(jié)劑和剩余的乙醇混合，球磨混合36h-48h制成混合均勻的陶瓷漿料；步驟(1)需加乙醇總量控制在使陶瓷漿料固含量為40wt.%～70wt.%。這樣混料方式有效減少了氮化鋁晶須的團(tuán)聚，促進(jìn)氮化鋁晶須在基體中均勻分散，保證復(fù)合材料內(nèi)部缺陷少，提高其力學(xué)性能。優(yōu)選的，步驟(1)采用的粘結(jié)劑為：聚碳酸丙烯酯，粘結(jié)劑添加量為固體原料總重量的0.5%～0.8%。優(yōu)選的，步驟(2)等靜壓成型壓力為100～150MPa。聚乙烯吡咯烷酮（Polyvinylpyrrolidone）簡稱PVP。晶須是一種具有一定長徑比的纖維材料，它是以單晶形式生長成的，其原子高度有序、直徑小，強(qiáng)度和彈性模量接近于完整晶體的理論值，因而具有優(yōu)良的耐高熱、耐高溫、耐腐蝕性能，同時(shí)也有良好的電絕緣性、輕質(zhì)量、高強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量等一系列特性。氮化鋁晶須不僅具有氮化鋁材料的固有特性，而且具有晶須材料的長徑比高、結(jié)構(gòu)完整、缺陷少，其強(qiáng)度和模量高等特點(diǎn)。因此，氮化鋁晶須不僅可以作為增強(qiáng)補(bǔ)韌劑用于制備新型結(jié)構(gòu)復(fù)合材料，還可以利用其高導(dǎo)熱性制備新型功能復(fù)合材料。因此，本發(fā)明將氮化鋁晶須加入到氮化鋁陶瓷材料中制備復(fù)合材料，利用晶須的高強(qiáng)度和彈性模量增強(qiáng)陶瓷材料，制備高強(qiáng)度高可靠的氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷基板材料。納米釔鋁石榴石能夠提高氮化鋁的燒結(jié)活性促進(jìn)致密化，氟化鈣促進(jìn)多余的第二相排除。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：1、本發(fā)明利用氮化鋁晶須長徑比高、結(jié)構(gòu)完整、缺陷少、強(qiáng)度和模量高的優(yōu)點(diǎn)與氮化鋁復(fù)合制備出復(fù)合陶瓷基板，彎曲強(qiáng)度達(dá)到450MPa～600MPa，提高了氮化鋁陶瓷的強(qiáng)度，使其作為電子封裝基板使用時(shí)具有更高的可靠性。2、本發(fā)明工藝簡單易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。附圖說明下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明；圖1是本發(fā)明的工藝流程圖。具體實(shí)施方式實(shí)施例1一種電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料，復(fù)合陶瓷粉料中包括如下固體原料：氮化鋁65wt.%，氮化鋁晶須30wt.%和燒結(jié)助劑5wt.%；復(fù)合陶瓷粉料經(jīng)球磨混合制成陶瓷漿料、造粒、成型、加熱、燒結(jié)制成氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。燒結(jié)助劑選用溶膠凝膠法制備的納米釔鋁石榴石和氟化鈣的混合粉體，其中，納米釔鋁石榴石和氟化鈣的質(zhì)量比為5:1。氮化鋁為高純微米級(jí)顆粒，氮化鋁含量99.9％，粒徑為1.5～3.0微米。氮化鋁晶須為長柱狀單晶，長徑比40～100，直徑0.8～3.5微米。上述電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料的制法，包括下列步驟：（1）將固體原料氮化鋁晶須、氮化鋁和燒結(jié)助劑中加入乙醇、分散劑以及粘結(jié)劑，球磨混合36h制成混合均勻的陶瓷漿料。采用的分散劑為：PVP和聚丙烯酰胺混合物，其中PVP為氮化鋁晶須的分散劑，添加量為氮化鋁晶須質(zhì)量的2.0%；聚丙烯酰胺為氮化鋁的分散劑，添加量為固體原料總重量的0.9%。采用的粘結(jié)劑為：聚碳酸丙烯酯，粘結(jié)劑添加量為固體原料總重量的0.55%。步驟(1)采用的混料方法為：先將PVP與一部分乙醇混合后再分散氮化鋁晶須，固含量為35wt.%，并用5wt.%氫氧化鈉水溶液調(diào)節(jié)pH至8，混合均勻后，再與氮化鋁、燒結(jié)助劑、聚丙烯酰胺、粘結(jié)劑和剩余的乙醇混合，球磨混合36h制成混合均勻的陶瓷漿料。步驟(1)需加乙醇總量控制在使陶瓷漿料固含量為70wt.%。（2）將混合均勻漿料采用噴霧造粒方法干燥、制粉；采用干壓成型工藝預(yù)置成型，而后等靜壓成型，等靜壓成型壓力為100MPa，制得成型坯體。（3）所得成型坯體在550℃～570℃條件下保溫4h排除內(nèi)部有機(jī)物；有機(jī)物包括分散劑和粘結(jié)劑。（4）在流動(dòng)氮?dú)鈿夥障?800～1820℃、保溫4小時(shí)的條件下燒結(jié)，得到陶瓷，經(jīng)雙面磨拋后即制得電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。實(shí)施例2一種電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料，復(fù)合陶瓷粉料中包括如下固體原料：氮化鋁90wt.%，氮化鋁晶須7wt.%和燒結(jié)助劑3wt.%；復(fù)合陶瓷粉料經(jīng)球磨混合制成陶瓷漿料、造粒、成型、加熱、燒結(jié)制成氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。燒結(jié)助劑選用溶膠凝膠法制備的納米釔鋁石榴石和氟化鈣的混合粉體，其中，納米釔鋁石榴石和氟化鈣的質(zhì)量比為10：1。氮化鋁為高純微米級(jí)顆粒，氮化鋁含量99.9％，粒徑為1.5～3.0微米。氮化鋁晶須為長柱狀單晶，長徑比40～100，直徑0.8～3.5微米。上述電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料的制法，包括下列步驟：（1）將固體原料氮化鋁晶須、氮化鋁和燒結(jié)助劑中加入乙醇、分散劑以及粘結(jié)劑，球磨混合48h制成混合均勻的陶瓷漿料。采用的分散劑為：PVP和聚丙烯酰胺混合物，其中PVP為氮化鋁晶須的分散劑，添加量為氮化鋁晶須質(zhì)量的0.5%；聚丙烯酰胺為氮化鋁的分散劑，添加量為固體原料總重量的0.8%。采用的粘結(jié)劑為：聚碳酸丙烯酯QPAC，粘結(jié)劑添加量為固體原料總重量的0.75%。步驟(1)采用的混料方法為：先將PVP與一部分乙醇混合后再分散氮化鋁晶須，固含量為30wt.%，并用6wt.%氫氧化鈉水溶液調(diào)節(jié)pH至10，混合均勻后，再與氮化鋁、燒結(jié)助劑、聚丙烯酰胺、粘結(jié)劑和剩余的乙醇混合，球磨混合48h制成混合均勻的陶瓷漿料。步驟(1)需加乙醇總量控制在使陶瓷漿料固含量為60wt.%。（2）將混合均勻漿料采用噴霧造粒方法干燥、制粉；采用干壓成型工藝預(yù)置成型，而后等靜壓成型，等靜壓成型壓力為150MPa，制得成型坯體。（3）所得成型坯體在580℃～600℃條件下保溫3.5h排除內(nèi)部有機(jī)物；有機(jī)物包括分散劑和粘結(jié)劑。（4）在流動(dòng)氮?dú)鈿夥障?790～1810℃、保溫3小時(shí)的條件下燒結(jié)，得到陶瓷，經(jīng)雙面磨拋后即制得電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。實(shí)施例3一種電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料，復(fù)合陶瓷粉料中包括如下固體原料：氮化鋁75wt.%，氮化鋁晶須21wt.%和燒結(jié)助劑4wt.%；復(fù)合陶瓷粉料經(jīng)球磨混合制成陶瓷漿料、造粒、成型、加熱、燒結(jié)制成氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。燒結(jié)助劑選用溶膠凝膠法制備的納米釔鋁石榴石和氟化鈣的混合粉體，其中，納米釔鋁石榴石和氟化鈣的質(zhì)量比為5:1。氮化鋁為高純微米級(jí)顆粒，氮化鋁含量99.9％，粒徑為1.5～3.0微米。氮化鋁晶須為長柱狀單晶，長徑比40～100，直徑0.8～3.5微米。上述電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料的制法，包括下列步驟：（1）將固體原料氮化鋁晶須、氮化鋁和燒結(jié)助劑中加入乙醇、分散劑以及粘結(jié)劑，球磨混合42h制成混合均勻的陶瓷漿料。采用的分散劑為：PVP和聚丙烯酰胺混合物，其中PVP為氮化鋁晶須的分散劑，添加量為氮化鋁晶須質(zhì)量的1.0%；聚丙烯酰胺為氮化鋁的分散劑，添加量為固體原料總重量的0.7%。采用的粘結(jié)劑為：聚碳酸丙烯酯，粘結(jié)劑添加量為固體原料總重量的0.5%。步驟(1)采用的混料方法為：先將PVP與一部分乙醇混合后再分散氮化鋁晶須，固含量為40wt.%，并用7wt.%氫氧化鈉水溶液調(diào)節(jié)pH至8，混合均勻后，再與氮化鋁、燒結(jié)助劑、聚丙烯酰胺、粘結(jié)劑和剩余的乙醇混合，球磨混合42h制成混合均勻的陶瓷漿料。步驟(1)需加乙醇總量控制在使陶瓷漿料固含量為50wt.%。（2）將混合均勻漿料采用噴霧造粒方法干燥、制粉；采用干壓成型工藝預(yù)置成型，而后等靜壓成型，等靜壓成型壓力為110MPa，制得成型坯體。（3）所得成型坯體在550℃～560℃條件下保溫2.5h排除內(nèi)部有機(jī)物；有機(jī)物包括分散劑和粘結(jié)劑。（4）在流動(dòng)氮?dú)鈿夥障?830～1850℃、保溫4小時(shí)的條件下燒結(jié)，得到陶瓷，經(jīng)雙面磨拋后即制得電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。實(shí)施例4一種電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料，復(fù)合陶瓷粉料中包括如下固體原料：氮化鋁90wt.%，氮化鋁晶須5wt.%和燒結(jié)助劑5wt.%；復(fù)合陶瓷粉料經(jīng)球磨混合制成陶瓷漿料、造粒、成型、加熱、燒結(jié)制成氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。燒結(jié)助劑選用溶膠凝膠法制備的納米釔鋁石榴石和氟化鈣的混合粉體，其中，納米釔鋁石榴石和氟化鈣的質(zhì)量比為2:1。氮化鋁為高純微米級(jí)顆粒，氮化鋁含量99.9％，粒徑為1.5～3.0微米。氮化鋁晶須為長柱狀單晶，長徑比40～100，直徑0.8～3.5微米。上述電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料的制法，包括下列步驟：（1）將固體原料氮化鋁晶須、氮化鋁和燒結(jié)助劑中加入乙醇、分散劑以及粘結(jié)劑，球磨混合39h制成混合均勻的陶瓷漿料。采用的分散劑為：PVP和聚丙烯酰胺混合物，其中PVP為氮化鋁晶須的分散劑，添加量為氮化鋁晶須質(zhì)量的1.5%；聚丙烯酰胺為氮化鋁的分散劑，添加量為固體原料總重量的0.6%。采用的粘結(jié)劑為：聚碳酸丙烯酯，粘結(jié)劑添加量為固體原料總重量的0.8%。步驟(1)采用的混料方法為：先將PVP與一部分乙醇混合后再分散氮化鋁晶須，固含量為50wt.%，并用8wt.%氫氧化鈉水溶液調(diào)節(jié)pH至9，混合均勻后，再與氮化鋁、燒結(jié)助劑、聚丙烯酰胺、粘結(jié)劑和剩余的乙醇混合，球磨混合39h制成混合均勻的陶瓷漿料。步驟(1)需加乙醇總量控制在使陶瓷漿料固含量為40wt.%。（2）將混合均勻漿料采用噴霧造粒方法干燥、制粉；采用干壓成型工藝預(yù)置成型，而后等靜壓成型，等靜壓成型壓力為120MPa，制得成型坯體。（3）所得成型坯體在590℃～600℃條件下保溫3h排除內(nèi)部有機(jī)物；有機(jī)物包括分散劑和粘結(jié)劑。（4）在流動(dòng)氮?dú)鈿夥障?700～1720℃、保溫4小時(shí)的條件下燒結(jié)，得到陶瓷，經(jīng)雙面磨拋后即制得電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。實(shí)施例5一種電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料，復(fù)合陶瓷粉料中包括如下固體原料：氮化鋁65wt.%，氮化鋁晶須32wt.%和燒結(jié)助劑3wt.%；復(fù)合陶瓷粉料經(jīng)球磨混合制成陶瓷漿料、造粒、成型、加熱、燒結(jié)制成氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。燒結(jié)助劑選用溶膠凝膠法制備的納米釔鋁石榴石和氟化鈣的混合粉體，其中，納米釔鋁石榴石和氟化鈣的質(zhì)量比為7:1。氮化鋁為高純微米級(jí)顆粒，氮化鋁含量99.9％，粒徑為1.5～3.0微米。氮化鋁晶須為長柱狀單晶，長徑比40～100，直徑0.8～3.5微米。上述電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料的制法，包括下列步驟：（1）將固體原料氮化鋁晶須、氮化鋁和燒結(jié)助劑中加入乙醇、分散劑以及粘結(jié)劑，球磨混合45h制成混合均勻的陶瓷漿料。采用的分散劑為：PVP和聚丙烯酰胺混合物，其中PVP為氮化鋁晶須的分散劑，添加量為氮化鋁晶須質(zhì)量的0.8%；聚丙烯酰胺為氮化鋁的分散劑，添加量為固體原料總重量的0.5%。采用的粘結(jié)劑為：聚碳酸丙烯酯，粘結(jié)劑添加量為固體原料總重量的0.6%。步驟(1)采用的混料方法為：先將PVP與一部分乙醇混合后再分散氮化鋁晶須，固含量為45wt.%，并用9wt.%氫氧化鈉水溶液調(diào)節(jié)pH至7，混合均勻后，再與氮化鋁、燒結(jié)助劑、聚丙烯酰胺、粘結(jié)劑和剩余的乙醇混合，球磨混合45h制成混合均勻的陶瓷漿料。步驟(1)需加乙醇總量控制在使陶瓷漿料固含量為55wt.%。（2）將混合均勻漿料采用噴霧造粒方法干燥、制粉；采用干壓成型工藝預(yù)置成型，而后等靜壓成型，等靜壓成型壓力為130MPa，制得成型坯體。（3）所得成型坯體在570℃～590℃條件下保溫4h排除內(nèi)部有機(jī)物；有機(jī)物包括分散劑和粘結(jié)劑。（4）在流動(dòng)氮?dú)鈿夥障?800～1850℃、保溫2.5小時(shí)的條件下燒結(jié)，得到陶瓷。（5）陶瓷經(jīng)雙面磨拋后即制得電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。實(shí)施例6一種電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料，復(fù)合陶瓷粉料中包括如下固體原料：氮化鋁82wt.%，氮化鋁晶須15wt.%和燒結(jié)助劑3wt.%；復(fù)合陶瓷粉料經(jīng)球磨混合制成陶瓷漿料、造粒、成型、加熱、燒結(jié)制成氮化鋁晶須增強(qiáng)氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。燒結(jié)助劑選用溶膠凝膠法制備的納米釔鋁石榴石和氟化鈣的混合粉體，其中，納米釔鋁石榴石和氟化鈣的質(zhì)量比為3:1。氮化鋁為高純微米級(jí)顆粒，氮化鋁含量99.9％，粒徑為1.5～3.0微米。氮化鋁晶須為長柱狀單晶，長徑比40～100，直徑0.8～3.5微米。上述電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料的制法，包括下列步驟：（1）將固體原料氮化鋁晶須、氮化鋁和燒結(jié)助劑中加入乙醇、分散劑以及粘結(jié)劑，球磨混合36h制成混合均勻的陶瓷漿料。采用的分散劑為：PVP和聚丙烯酰胺混合物，其中PVP為氮化鋁晶須的分散劑，添加量為氮化鋁晶須質(zhì)量的1.7%；聚丙烯酰胺為氮化鋁的分散劑，添加量為固體原料總重量的1.0%。采用的粘結(jié)劑為：聚碳酸丙烯酯，粘結(jié)劑添加量為固體原料總重量的0.7%。步驟(1)采用的混料方法為：先將PVP與一部分乙醇混合后再分散氮化鋁晶須，固含量為32wt.%，并用10wt.%氫氧化鈉水溶液調(diào)節(jié)pH至8，混合均勻后，再與氮化鋁、燒結(jié)助劑、聚丙烯酰胺、粘結(jié)劑和剩余的乙醇混合，球磨混合36h制成混合均勻的陶瓷漿料。步驟(1)需加乙醇總量控制在使陶瓷漿料固含量為45wt.%。（2）將混合均勻漿料采用噴霧造粒方法干燥、制粉；采用干壓成型工藝預(yù)置成型，而后等靜壓成型，等靜壓成型壓力為140MPa，制得成型坯體。（3）所得成型坯體在560℃～580℃條件下保溫2h排除內(nèi)部有機(jī)物；有機(jī)物包括分散劑和粘結(jié)劑。（4）在流動(dòng)氮?dú)鈿夥障?800～1830℃、保溫4小時(shí)的條件下燒結(jié)，得到陶瓷。（5）陶瓷經(jīng)雙面磨拋后即制得電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷復(fù)合材料。最終制得的電子封裝用氮化鋁晶須增強(qiáng)的氮化鋁陶瓷材料主要性能如下：熱導(dǎo)率170～200W/m·K彎曲強(qiáng)度450MPa～600MPa密度3.3g/cm3介電常數(shù)：8.7±0.2(1MHz)損耗因子：6×10-4(1MHz)電阻率：>1014Ω?cm擊穿電壓：>14KV/mm熱膨脹系數(shù)（25℃～300℃）：4.7±0.3ppm/℃。本發(fā)明利用氮化鋁晶須長徑比高、結(jié)構(gòu)完整、缺陷少、強(qiáng)度和模量高的優(yōu)點(diǎn)與氮化鋁復(fù)合制備出復(fù)合陶瓷基板，彎曲強(qiáng)度達(dá)到450MPa～600MPa，比現(xiàn)有陶瓷強(qiáng)度提高了50%～100%，使其作為電子封裝基板使用時(shí)具有更高的可靠性。本發(fā)明工藝簡單易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。