技術(shù)總結(jié)
一種生長非線性光學(xué)晶體LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法。本發(fā)明采用的溶劑為堿金屬硝酸鹽MNO3，其中所述M為Li、Na、K、Rb或Cs。本發(fā)明使用密閉容器抑制溶劑高溫時(shí)的分解，并增強(qiáng)了高溫溶劑對(duì)溶質(zhì)的溶解；有效地降低了LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10晶體的生長溫度，使得其生長溫度在500℃以下，較目前650℃以上的生長溫度有了顯著的降低，有效地節(jié)約了能源；反應(yīng)采用密閉容器，優(yōu)化后采用經(jīng)濟(jì)的耐腐蝕耐高溫材料內(nèi)襯，極大地減少晶體生長過程中的貴金屬損耗；整個(gè)方法簡單易操作，有利于推廣。

技術(shù)研發(fā)人員：林哲帥;公丕富;羅思揚(yáng);吳以成;陳創(chuàng)天
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所
文檔號(hào)碼：201610842272
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.22
技術(shù)公布日：2017.01.04