技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明為一種鎳摻雜納米氧化錫(Ni?doped?SnO2)粉體的制備方法，特別是涉及一種應(yīng)用于納米電接觸領(lǐng)域的鎳摻雜納米氧化錫(Ni?doped?SnO2)粉體的制備方法?；谀壳癆gSnO2電接觸材料在服役過(guò)程中容易出現(xiàn)兩相分離、相偏析，弱化其最初良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱特性進(jìn)而導(dǎo)致電壽命試驗(yàn)失效，這主要是由于SnO2與Ag潤(rùn)濕性差，二者結(jié)合力不高所致。因此，采用引入第三組元改善銀基體和氧化錫增強(qiáng)相之間的結(jié)合狀態(tài)，同時(shí)通過(guò)摻雜第二元素Ni將有助于改善SnO2的電導(dǎo)特性。故本發(fā)明采用水熱法通過(guò)調(diào)控溶液pH值、Ni摻雜量、水熱反應(yīng)溫度等工藝參數(shù)，所獲Ni?doped?nano?SnO2納米粉體的尺寸在2000nm范圍，粉體分散性較好，制備出相純度高、形貌可控的Ni?doped?nano?SnO2納米粉體，并將其應(yīng)用于銀基電接觸材料領(lǐng)域。

技術(shù)研發(fā)人員：楊芳兒;鄭曉華;裘凱鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江工業(yè)大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610914692
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.20
技術(shù)公布日：2017.03.22