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      一種電輔助的氮化物晶體生長(zhǎng)裝置及方法與流程

      文檔序號(hào):12110469閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種電輔助的氮化物晶體生長(zhǎng)裝置,包括反應(yīng)釜和設(shè)置在該反應(yīng)釜內(nèi)的坩堝,坩堝內(nèi)填充有反應(yīng)物溶液,坩堝內(nèi)底面放置有被反應(yīng)物溶液浸沒(méi)的晶種模板,反應(yīng)釜上設(shè)有氮?dú)膺M(jìn)口和排氣口,其特征在于,還包括電裝置,該電裝置包括電壓源、上電極和下電極,上電極和下電極分別通過(guò)導(dǎo)線與電壓源連接,上電極延伸至坩堝內(nèi)且位于反應(yīng)物溶液的液面上方,下電極設(shè)在反應(yīng)物溶液內(nèi)。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電輔助的氮化物晶體生長(zhǎng)裝置,其特征在于,所述上電極由金屬支撐棒和金屬平板組成,金屬平板安裝在金屬支撐棒下端,金屬支撐棒通過(guò)導(dǎo)線與電壓源連接,金屬平板位于反應(yīng)物溶液的液面上方。

      3.一種電輔助的氮化物晶體生長(zhǎng)裝置,包括反應(yīng)釜和設(shè)置在該反應(yīng)釜內(nèi)的坩堝,坩堝內(nèi)填充有反應(yīng)物溶液,坩堝內(nèi)底面放置有被反應(yīng)物溶液浸沒(méi)的晶種模板,反應(yīng)釜上設(shè)有氮?dú)膺M(jìn)口和排氣口,其特征在于,還包括電裝置,該電裝置包括電壓源、上電極和下電極,上電極和下電極分別通過(guò)導(dǎo)線與電壓源連接,上電極延伸至坩堝內(nèi)且位于反應(yīng)物溶液的液面上方,下電極設(shè)在反應(yīng)物溶液內(nèi)并且與晶種模板連接。

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電輔助的氮化物晶體生長(zhǎng)裝置,其特征在于,所述上電極由金屬支架和安裝在該金屬支架下端的導(dǎo)電金屬板組成,金屬支架通過(guò)導(dǎo)線與電壓源連接,導(dǎo)電金屬板位于反應(yīng)物溶液的液面上方,并且反應(yīng)釜上設(shè)有氮等離子體進(jìn)入口。

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電輔助的氮化物晶體生長(zhǎng)裝置,其特征在于,所述氮等離子體進(jìn)入口設(shè)置在導(dǎo)電金屬板與反應(yīng)物溶液的液面之間對(duì)應(yīng)的反應(yīng)釜部分。

      6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電輔助的氮化物晶體生長(zhǎng)裝置,其特征在于,所述上電極為金屬探針。

      7.一種根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的電輔助的氮化物晶體生長(zhǎng)方法,包括以下步驟:

      設(shè)置一個(gè)位于坩堝內(nèi)的反應(yīng)物溶液的液面上方的上電極以及一個(gè)位于反應(yīng)物溶液內(nèi)的下電極;

      通過(guò)電壓源向上電極和下電極通電產(chǎn)生放電現(xiàn)象,在上電極和反應(yīng)物溶液之間形成電場(chǎng);

      使電場(chǎng)對(duì)坩堝內(nèi)的氮?dú)膺M(jìn)行電離,并且使溶液表面多晶層分解,重新融入反應(yīng)物溶液中。

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