技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種電輔助的氮化物晶體生長裝置和方法，包括反應(yīng)釜和設(shè)置在該反應(yīng)釜內(nèi)的坩堝，坩堝內(nèi)填充有反應(yīng)物溶液，坩堝內(nèi)底面放置有被反應(yīng)物溶液浸沒的晶種模板，反應(yīng)釜上設(shè)有氮?dú)膺M(jìn)口和排氣口，還包括電裝置，該電裝置包括電壓源、上電極和下電極，上電極和下電極分別通過導(dǎo)線與電壓源連接，上電極延伸至坩堝內(nèi)且位于反應(yīng)物溶液的液面上方，下電極設(shè)在反應(yīng)物溶液內(nèi)。本發(fā)明提高了氮化鎵單晶晶體質(zhì)量及生長速率。

技術(shù)研發(fā)人員：李成明;王琦;胡耀華;巫永鵬;陳蛟;張耿;鄭小平;盧洪;李順峰;張國義
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué)東莞光電研究院
文檔號碼：201610966496
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.28
技術(shù)公布日：2017.03.15