本實用新型涉及一種晶體生產裝置，具體涉及一種碳化硅晶體生產裝置。

背景技術：

目前，碳化硅晶體生長裝置的結構設置不合理，工作溫度和壓力不易控制，感應線圈不完全軸對稱導致石墨坩堝產生的晶體生長溫場不完全軸對稱，從而產生不對稱晶體生長。

技術實現要素：

發(fā)明目的：本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足，提供一種結構設置合理，控制精確，產品質量高的碳化硅單晶爐。

技術方案：為了解決上述技術問題，本實用新型所述的一種碳化硅單晶爐，它包括坩堝，在所述坩堝上方設有坩堝蓋，在所述坩堝底部設有旋轉機構，在所述坩堝內設有物料室，在所述坩堝蓋下端面設有籽晶，所述籽晶至少設置一個，在所述坩堝外部設有保溫層，所述坩堝和坩堝蓋都設在反應室內，在所述反應室外部設有感應線圈，所述感應線圈的分布高度占反應室高度的1/2-7/10，所述坩堝的內徑長度占反應室內徑長度的3/5-4/5，在所述反應室上設有壓力控制裝置和監(jiān)測裝置。

所述坩堝和坩堝蓋都由石墨制成。

所述感應線圈的分布高度占反應室高度的3/5。

所述坩堝的內徑長度占反應室內徑長度的7/10。

有益效果：本實用新型與現有技術相比，其顯著優(yōu)點是：本實用新型整體結構設置合理，采用分布高度占反應室高度3/5的對稱感應線圈及設在坩堝外的保溫層，使反應室內溫度穩(wěn)定，晶體對稱生長，采用內徑長度占反應室內徑長度7/10的坩堝，保證晶體處于最穩(wěn)定生產環(huán)境，設置壓力控制裝置和監(jiān)測裝置，控制精確。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明。

如圖1所示，本實用新型所述的一種碳化硅單晶爐，它包括坩堝1，在所述坩堝1上方設有坩堝蓋2，在所述坩堝1底部設有旋轉機構3，在所述坩堝1內設有物料室4，在所述坩堝蓋2下端面設有籽晶5，所述籽晶5至少設置一個，在所述坩堝1外部設有保溫層6，所述坩堝1和坩堝蓋2都設在反應室7內，在所述反應室7外部設有感應線圈8，所述感應線圈8的分布高度占反應室7高度的3/5，所述坩堝1的內徑長度占反應室7內徑長度的7/10，在所述反應室7上設有壓力控制裝置9和監(jiān)測裝置10；所述坩堝1和坩堝蓋2都由石墨制成。本實用新型整體結構設置合理，采用分布高度占反應室高度3/5的對稱感應線圈及設在坩堝外的保溫層，使反應室內溫度穩(wěn)定，晶體對稱生長，采用內徑長度占反應室內徑長度7/10的坩堝，保證晶體處于最穩(wěn)定生產環(huán)境，設置壓力控制裝置和監(jiān)測裝置，控制精確。

本實用新型提供了一種思路及方法，具體實現該技術方案的方法和途徑很多，以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍，本實施例中未明確的各組成部分均可用現有技術加以實現。