技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種光作用的晶體生長(zhǎng)裝置，包括反應(yīng)釜、坩堝和加熱器，坩堝設(shè)在反應(yīng)釜內(nèi)，加熱器設(shè)在坩堝側(cè)面，所述反應(yīng)釜上設(shè)有調(diào)節(jié)閥，反應(yīng)釜上設(shè)有延伸至坩堝內(nèi)的光傳輸通道，該光傳輸通道與光源連接使光源發(fā)出的光線(xiàn)經(jīng)光傳輸通道射入坩堝內(nèi)，光傳輸通道的下端位于坩堝內(nèi)的溶液液面的上方或內(nèi)部，并且坩堝內(nèi)還設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)流體流動(dòng)的葉片，坩堝底面設(shè)有旋轉(zhuǎn)支撐桿。本實(shí)用新型通過(guò)引入光作用，依靠照射Ga?Na熔體及加速氣體電離的光能量，有效地提高了GaN晶體生長(zhǎng)速率。

技術(shù)研發(fā)人員：李成明;陳蛟;王琦;盧洪;童玉珍;李順?lè)?張國(guó)義
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué)東莞光電研究院
文檔號(hào)碼：201621329743
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.06
技術(shù)公布日：2017.09.22