1.一種制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于包括以下幾個(gè)步驟：
1）在氮化硅粉體中按比例加入燒結(jié)助劑，攪拌均勻得到粉體；
2）在得到的粉體中按比例加入有機(jī)溶劑后，經(jīng)研磨混料，制成混合均勻的漿料；
所述漿料pH值為9-10，在行星球磨機(jī)中，混磨22h后出料，將其在-0.09Pa條件下真空攪拌除氣，得到固體積含量56%-58%、流速小于30s、8h內(nèi)不發(fā)生沉降的水基陶瓷料漿；
3）將所述水基陶瓷料漿通過噴凝制成陶瓷坯帶，并烘干成固體坯帶，將坯帶裁制成坯片；
4）將坯片送入燒結(jié)爐內(nèi)燒結(jié)、冷卻后得到氮化硅陶瓷基板生坯；
5）研磨拋光：將所得氮化硅陶瓷基板生坯置于球磨機(jī)中進(jìn)行0.5微米的氮化硅干粉研磨和拋光；
所述的氮化硅陶瓷電路基板的原料按照質(zhì)量百分比計(jì)，由如下組分組成，氮化硅粉體的含量為75%-90%，燒結(jié)助劑的含量為3%-5%，有機(jī)溶劑的含量為7%-20%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于所述的氮化硅粉體的純度在99%以上，平均粒徑為0.4-0.6mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于所述的燒結(jié)助劑為氧化釔、氧化鈦、氮化鈦、氧化鋁中的一種或幾種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于所述的有機(jī)溶劑按質(zhì)量百分比計(jì)，由如下組分組成：聚乙烯10%-15%，聚乙烯縮丁醛15%-18％，潤(rùn)滑劑1%-5%，丙烯酰胺2.5%-10%，熱塑性彈性體O-10%，增塑劑1%-3%，余量為懸浮劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于所述的懸浮劑以有機(jī)溶劑的總質(zhì)量計(jì)算，JA-281分散劑10%-13%，N1N1-亞甲基雙丙烯酰胺懸浮劑1.25%-5%，去離子水12%-60%。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于所述的增塑劑為丙三醇或乙二醇。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于所述的研磨拋光：方法如下：
a.粗磨：所用粗磨研磨劑中，金剛石顆粒的粒度10—80um，金剛石顆粒圓度為0.4—0.7；
b.精磨：所用精磨研磨劑中，金剛石顆粒的粒度為1—10um，金剛石顆粒圓度為0.7—0.8；
c.拋光磨：所用拋光磨研磨劑中，金剛石顆粒的粒度為0.01--1um，金剛石顆粒圓度為0.80—0.85。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于所述粗磨研磨劑、精磨研磨劑和拋光磨研磨劑與研磨基質(zhì)的質(zhì)量比例為1：1—1：6,所述基質(zhì)為水。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于所述的粗磨研磨劑、精磨研磨劑和拋光磨研磨劑按質(zhì)量百分比計(jì)，其組成都為：金剛石顆粒25%，分散劑74%，氧化鈰0.5%，三聚磷酸鈉0.5%。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝，其特征在于所述的分散劑為檸檬酸銨。