技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種二硫化鉬/石墨烯層狀組裝體的制備方法，采用單根石英管，配合雙加熱爐的管式爐；將轉(zhuǎn)移有石墨烯薄膜的SiO2/Si基板，置于放有三氧化鉬粉末的容器上方，將放有硫粉的容器置于管式爐的第一個加熱爐中心；再將放有三氧化鉬的容器放于管式爐的第二個加熱爐中心；通入氬氣；在氬氣氣氛下，將管式爐內(nèi)壓強(qiáng)調(diào)至133.29Pa，將第一加熱區(qū)升溫到硫粉的揮發(fā)溫度，第二加熱區(qū)升溫至三氧化鉬的揮發(fā)溫度；使二硫化鉬沉積在基底，然后降至室溫，得到二硫化鉬/石墨烯層狀組裝體。具有大面積、高質(zhì)量的特點(diǎn)，光強(qiáng)為94μW/cm2，光電流密度達(dá)到3.0μA/cm2，光電流響應(yīng)在光開?關(guān)瞬間2.3s內(nèi)完成；具有很好應(yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：馮奕鈺;鄭楠楠;封偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.28
技術(shù)公布日：2017.07.21