本申請涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺。

背景技術(shù)：

人造SiC通常是在坩堝中進行生產(chǎn)的，坩堝是通過石墨平臺進行支撐的，石墨平臺起到均熱作用，在SiC生長過程中，需要對坩堝進行加熱，但是一般的SiC生長坩堝都是直接在坩堝上通電使之加熱，這種加熱方式容易使坩堝能夠在短時間內(nèi)溫度驟升，使得坩堝內(nèi)的溫度難以控制。

另外，當加熱結(jié)束后，由于石墨平臺依然處于溫度較高的狀態(tài)，難以使得坩堝內(nèi)的溫度在短時間內(nèi)降下來，這也造成了SiC生長過程中的溫度難控問題。

基于上述問題，設(shè)計發(fā)明一種新型的SiC生長坩堝平臺就顯得尤為必要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本申請?zhí)峁┝艘环N新型的SiC生長坩堝平臺，該裝置通過在石墨平臺上的坩堝槽內(nèi)鋪設(shè)石墨氈，石墨氈內(nèi)部均勻分布有電阻絲，電阻絲的端部裸露在石墨氈外部，加熱時，直接在石墨氈上通電加熱，使得石墨氈發(fā)熱，從而進一步加熱坩堝。這樣設(shè)置，避免了直接給坩堝通電，而造成糊鍋等問題。另一方面，為了能夠使得加熱結(jié)束后，石墨平臺能夠在短時間內(nèi)溫度下降，在石墨槽對應(yīng)的石墨平臺底部，設(shè)置了冷水管，在冷水管中通入冷水，可以使得石墨坩堝中的溫度迅速下降。

為了實現(xiàn)上述目的，本申請采取的技術(shù)方案如下：

一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺，包括長方體形石墨平臺，所述的長方體形石墨平臺上開設(shè)有坩堝槽，且坩堝槽凹陷在長方體形石墨平臺內(nèi)部，開口與長方體形石墨平臺的上表面平齊；所述的坩堝槽內(nèi)鋪設(shè)石墨氈，且石墨氈內(nèi)部均勻分布有電阻絲，電阻絲的端部裸露在石墨氈的外部，SiC生長坩堝放置在坩堝槽內(nèi)部，其外表面與裸露的電阻絲端部相接；所述的坩堝槽對應(yīng)的長方體形石墨平臺底部設(shè)置有冷水管；

所述的石墨氈外部設(shè)置有通電按鈕；

所述的石墨平臺放置在不銹鋼底座上，冷水管盤繞在不銹鋼底座內(nèi)部，且冷水的進出口位于不銹鋼底座外部；

使用時，將SiC生長坩堝放置在坩堝槽內(nèi)，啟動通電按鈕，開設(shè)對石墨氈加熱，進而加熱坩堝，石墨氈的設(shè)置，使得生長坩堝能夠受熱均勻，在各個方向及位點上，都能受熱，避免了因局部受熱而導致的晶型突變問題。當需要降溫時，在冷水管4內(nèi)連續(xù)通入冷水，即可使得坩堝內(nèi)的溫度迅速下降。

綜上所述，該裝置設(shè)置了石墨氈，在石墨氈上通電加熱，使得坩堝受熱均勻；另外，在坩堝槽底部設(shè)置冷水管，通入冷水，能夠使得坩堝內(nèi)的溫度迅速下降。該SiC生長坩堝平臺能夠使得SiC在長晶過程中，受熱均勻，且迅速冷卻。

附圖說明

圖1為一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺主視示意圖；

圖2為一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺俯視示意圖；

附圖標記

圖中1為坩堝槽，2為長方體形石墨平臺，3為不銹鋼底座，4為冷水管，5為電阻絲，6為石墨氈，7為坩堝，8為通電鈕。

具體實施例

實施例1

一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺，包括長方體形石墨平臺2，所述的長方體形石墨平臺2上開設(shè)有坩堝槽1，且坩堝槽1凹陷在長方體形石墨平臺2內(nèi)部，開口與長方體形石墨平臺2的上表面平齊；所述的坩堝槽1內(nèi)鋪設(shè)石墨氈6，且石墨氈6內(nèi)部均勻分布有電阻絲5，電阻絲5的端部裸露在石墨氈6的外部，SiC生長坩堝7放置在坩堝槽1內(nèi)部，其外表面與裸露的電阻絲端部相接；所述的坩堝槽1對應(yīng)的長方體形石墨平臺2底部設(shè)置有冷水管4；

所述的石墨氈6外部設(shè)置有通電按鈕8；

所述的石墨平臺放置在不銹鋼底座3上，冷水管4盤繞在不銹鋼底座3內(nèi)部，且冷水的進出口位于不銹鋼底座3外部；

使用時，將SiC生長坩堝放置在坩堝槽內(nèi)，啟動通電按鈕8，開設(shè)對石墨氈加熱，進而加熱坩堝，石墨氈的設(shè)置，使得生長坩堝能夠受熱均勻，在各個方向及位點上，都能受熱，避免了因局部受熱而導致的晶型突變問題。當需要降溫時，在冷水管4內(nèi)連續(xù)通入冷水，即可使得坩堝內(nèi)的溫度迅速下降。

綜上所述，該裝置設(shè)置了石墨氈，在石墨氈上通電加熱，使得坩堝受熱均勻；另外，在坩堝槽底部設(shè)置冷水管，通入冷水，能夠使得坩堝內(nèi)的溫度迅速下降。該SiC生長坩堝平臺能夠使得SiC在長晶過程中，受熱均勻，且迅速冷卻。