技術總結
本申請涉及SiC生產技術領域，具體為一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺。本申請?zhí)峁┝艘环N新型的SiC生長坩堝平臺，該裝置通過在石墨平臺上的坩堝槽內鋪設石墨氈，石墨氈內部均勻分布有電阻絲，電阻絲的端部裸露在石墨氈外部，加熱時，直接在石墨氈上通電加熱，使得石墨氈發(fā)熱，從而進一步加熱坩堝。這樣設置，避免了直接給坩堝通電，而造成糊鍋等問題。另一方面，為了能夠使得加熱結束后，石墨平臺能夠在短時間內溫度下降，在石墨槽對應的石墨平臺底部，設置了冷水管，在冷水管中通入冷水，可以使得石墨坩堝中的溫度迅速下降。

技術研發(fā)人員：高超;宗艷民;朱燦;張紅巖
受保護的技術使用者：山東天岳晶體材料有限公司
文檔號碼：201720036335
技術研發(fā)日：2017.01.12
技術公布日：2017.09.22