1.制造方法，是單晶、球狀的單晶球狀碳納米粒子的制造方法，包括將包含鹵化碳的原料液與包含由鋰、鈉或鉀和稠合芳族化合物生成的所述稠合芳族化合物的陰離子的還原液混合并使其反應(yīng)的工序，所述稠合芳族化合物的陰離子通過將鋰、鈉或鉀與稠合芳族化合物在不到0℃下混合而得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造方法，其中，使用采用透射電子顯微鏡觀察的所述單晶球狀碳納米粒子的投影圖像的周長(z)和面積(s)，采用數(shù)學(xué)式：4πs/z2算出的圓形度的平均值為0.9以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述制造方法，其中，平均粒徑為1nm～30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的制造方法，其中，使用如下裝置將所述原料液和所述還原液混合并使其反應(yīng)，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其中，將所述開口部設(shè)置在通入所述兩處理用面間的被處理流動體的流動成為層流的點的下游側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的制造方法，其中，所述鋰、鈉或鉀與所述鹵化碳的摩爾比為7：1～4：1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的制造方法，其中，所述稠合芳族化合物為選自聯(lián)苯、萘、1，2-二氫萘、蒽、菲和芘中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，在所述稠合芳族化合物為聯(lián)苯、萘或蒽的情況下，在還原液的ir吸收光譜中，在1200cm-1～1100cm-1的波數(shù)范圍中顯示吸收峰。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項所述的制造方法，其中，所述還原液所含的溶劑是殘留水分為10ppm以下的四氫呋喃和/或二甲氧基乙烷。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項所述的制造方法，其中，所述還原液所含的溶劑是包含酚系的阻聚劑、殘留水分為10ppm以下、殘留氧濃度不到0.1ppm的四氫呋喃。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項所述的制造方法，其中，所述原料液所含的溶劑是殘留水分為10ppm以下、殘留氧濃度不到0.1ppm的四氫呋喃。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項所述的制造方法，其中，所述鹵化碳為四氯化碳、四溴化碳或四碘化碳。
13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項所述的制造方法，其中，所述單晶球狀碳納米粒子為六方晶，空間晶格由簡單晶格、菱面體晶格或簡單晶格和菱面體晶格構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中任一項所述的制造方法，其中，所述單晶球狀碳納米粒子在ir吸收光譜中在2800cm-1～2950cm-1的波數(shù)范圍中顯示吸收峰，將900cm-1～1900cm-1的波數(shù)范圍進(jìn)行波形分離而得到的1000cm-1～1100cm-1的吸收峰的面積相對于900cm-1～1900cm-1的波數(shù)范圍的總面積，為15％以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求1～14中任一項所述的制造方法，其中，所述單晶球狀碳納米粒子在ir吸收光譜中將900cm-1～1900cm-1的波數(shù)范圍進(jìn)行波形分離而得到的1300cm-1～1400cm-1的吸收峰的面積相對于900cm-1～1900cm-1的波數(shù)范圍的總面積，為10％以下。
16.根據(jù)權(quán)利要求1～15中任一項所述的制造方法，其中，所述單晶球狀碳納米粒子在拉曼散射光譜中，將1550cm-1～1650cm-1的峰的強(qiáng)度設(shè)為ig，將1250cm-1～1350cm-1的峰的強(qiáng)度設(shè)為id時，id/ig之比為1.0以下。
17.根據(jù)權(quán)利要求1～16中任一項所述的制造方法，其中，所述單晶球狀碳納米粒子在熒光光譜中，在400nm～600nm的波長范圍產(chǎn)生熒光極大。