技術(shù)特征：

1.一種氧化物單晶的制造方法，其是利用加熱源加熱熔融投入到坩堝中的單晶用原料來(lái)制作原料熔體，使晶種與該原料熔體接觸，通過(guò)旋轉(zhuǎn)提拉法制造氧化物單晶的氧化物單晶的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物單晶的制造方法，其中，在所述第一工序和所述第二工序中，通過(guò)設(shè)置成能觀察所述坩堝內(nèi)的原料熔體的液面的觀察窗，使用輻射溫度計(jì)測(cè)定所述原料熔體的液面溫度，基于測(cè)定的該液面溫度調(diào)整所述加熱源的輸出功率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化物單晶的制造方法，其中，在將所述原料熔體的液面位置處的坩堝的內(nèi)徑設(shè)為r的情況下，測(cè)定所述原料熔體的液面溫度的位置與所述原料熔體的液面的中心位置之間的距離為2/3r以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化物單晶的制造方法，其中，測(cè)定使所述晶種接觸的引晶位置的液面溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化物單晶的制造方法，其中，測(cè)定所述原料熔體的液面溫度的位置與使所述晶種接觸的所述原料熔體的液面的位置之間的距離為15mm以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求2～5中任一項(xiàng)所述的氧化物單晶的制造方法，其中，至少在所述第二工序中，將氣氛氣體導(dǎo)入到所述觀察窗的表面來(lái)防止所述觀察窗的起霧。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的氧化物單晶的制造方法，其中，在所述第二工序中，以比下述最大輸出功率小的輸出功率、且比下述最小輸出功率大的輸出功率調(diào)整所述加熱源的輸出功率：

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的氧化物單晶的制造方法，其中，

9.一種氧化物單晶的制造裝置，其是利用加熱源加熱熔融投入到坩堝中的單晶用原料來(lái)制作原料熔體，使晶種與該原料熔體接觸，通過(guò)旋轉(zhuǎn)提拉法制造氧化物單晶的氧化物單晶的制造裝置，其特征在于，具備：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氧化物單晶的制造裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氧化物單晶的制造裝置，其中，在將所述原料熔體的液面位置處的坩堝的內(nèi)徑設(shè)為r的情況下，測(cè)定所述原料熔體的液面溫度的位置與所述原料熔體的液面的中心位置之間的距離為2/3r以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氧化物單晶的制造裝置，其中，測(cè)定使所述晶種接觸的引晶位置的液面溫度。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氧化物單晶的制造裝置，其中，測(cè)定所述原料熔體的液面溫度的位置與使所述晶種接觸的所述原料熔體的液面的位置之間的距離為15mm以上。

14.根據(jù)權(quán)利要求10～13中任一項(xiàng)所述的氧化物單晶的制造裝置，其中，所述制造裝置還具備將氣氛氣體導(dǎo)入到所述觀察窗的表面來(lái)防止所述觀察窗的起霧的防觀察窗起霧裝置，

15.根據(jù)權(quán)利要求9～14中任一項(xiàng)所述的氧化物單晶的制造裝置，其中，所述控制部在所述第二工序中以比下述最大輸出功率小的輸出功率、且比下述最小輸出功率大的輸出功率調(diào)整所述加熱源的輸出功率：

16.根據(jù)權(quán)利要求9～15中任一項(xiàng)所述的氧化物單晶的制造裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的氧化物單晶的制造方法的特征在于，包括：第一工序，加熱坩堝(6)內(nèi)的單晶用原料(8)使得將一部分單晶用原料(8)熔體化；第二工序，加熱單晶用原料(8)使得將全部單晶用原料(8)熔體化，從而制作原料熔體(8)，并使晶種(2)與原料熔體(8)的液面接觸；第三工序，在一邊測(cè)定晶種棒(3)的重量一邊提拉晶種棒(3)的同時(shí)，以使得從晶種(2)生長(zhǎng)的單晶的單晶提拉重量速度為規(guī)定值的方式調(diào)整加熱源(7)的輸出功率，從晶種形成單晶的頸部、錐部和直體部，并將已形成直體部的單晶與液面分離；以及第四工序，以加熱源(7)的預(yù)先規(guī)定的輸出功率將與液面分離的單晶緩慢冷卻；并自動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)第一～第四工序。本發(fā)明的氧化物單晶的制造裝置是可自動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)上述第一～第四工序的制造裝置。根據(jù)本發(fā)明，可提供減輕操作者負(fù)擔(dān)，消除操作者的失誤，進(jìn)而導(dǎo)致氧化物單晶的成品率提高的氧化物單晶的制造方法及氧化物單晶的制造裝置。

技術(shù)研發(fā)人員：阿部淳,加藤公二,森山隼,桑原由則
受保護(hù)的技術(shù)使用者：信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19