圖4、圖5A、圖5B、圖6、圖7A、圖7B、圖8A以及圖8B所示結(jié)構(gòu)之示意圖，本發(fā)明將據(jù)此進(jìn)行詳細(xì)之說(shuō)明如下。
[0043]首先，如步驟S202所述，本發(fā)明首先提供有一基板100，根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例，此基板100之材質(zhì)例如可為一種化學(xué)強(qiáng)化玻璃(Chemical Strength Glass)或薄化玻璃。并且，為了方便后續(xù)鉆孔之設(shè)置，此基板100上是設(shè)計(jì)有至少一預(yù)留區(qū)12，以供后續(xù)之至少一孔洞(hole)設(shè)置。
[0044]之后，如步驟S204所述，本發(fā)明續(xù)于該預(yù)留區(qū)12上形成一保護(hù)層(Passivat1nlayer) 22。其中，此保護(hù)層22之形成方式例如可透過(guò)蒸鍍或?yàn)R鍍等方式而形成于此預(yù)留區(qū)12上，圖3A與圖3B是揭露本發(fā)明一實(shí)施例之上視圖，由此上視圖可以明顯看出，保護(hù)層22是成功覆蓋于基板100之預(yù)留區(qū)12上，以作為一屏蔽之用。
[0045]之后，如步驟S206所示，本發(fā)明接著針對(duì)此鍍有保護(hù)層22保護(hù)之基板100進(jìn)行一化學(xué)強(qiáng)化程序，其制程之架構(gòu)示意圖，請(qǐng)參閱圖式圖4所示。如圖所示，兩預(yù)熱徐冷槽40a、40b是各自與作用匣(cassette) 42a、42b相連接，且預(yù)熱徐冷槽40a更連接至一化強(qiáng)爐46，以經(jīng)由化強(qiáng)爐46所提供之能量進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。詳細(xì)而言，根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例，在針對(duì)基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化之制程時(shí)，其是將所需使用之基板浸入一硝酸鉀溶液中，并在一高溫環(huán)境下，例如400 °C?500 °C之間，較佳者為440 °C?480 °C，利用離子交換的方式進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。請(qǐng)參考圖式圖5A及圖5B所示，其揭露一現(xiàn)有之離子交換步驟之示意圖，由此兩張圖式可以明顯看出，當(dāng)基板浸入硝酸鉀溶液后，由于硝酸鉀經(jīng)高溫制程下，可經(jīng)由鉀離子50與鈉離子52進(jìn)行離子交換，而藉此形成應(yīng)力層。因此，如圖式圖6所示，本發(fā)明之主要目的，乃在于預(yù)先針對(duì)基板100上欲設(shè)置鉆孔的位置(即預(yù)留區(qū)12)上鍍有保護(hù)層22，利用保護(hù)層22作為一屏蔽，藉此避免基板100上欲設(shè)置鉆孔的位置(即預(yù)留區(qū)12)進(jìn)行離子交換而形成應(yīng)力層。換言之，根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例，當(dāng)應(yīng)用此方法時(shí)，則因離子交換而形成之應(yīng)力層，其僅會(huì)形成在基板100上不具有該保護(hù)層22覆蓋之區(qū)域上，至于，有保護(hù)層22屏蔽之區(qū)域(即預(yù)留區(qū)12)，即不會(huì)具有應(yīng)力層之生成。
[0046]緣此，為了達(dá)成如上所述屏蔽離子交換而形成應(yīng)力層之功效，本發(fā)明所使用保護(hù)層22之材質(zhì)即需經(jīng)過(guò)善加的設(shè)計(jì)與選用。舉例來(lái)說(shuō)，為了屏障大部分(不僅硝酸鉀類型)之離子交換，則保護(hù)層22之材質(zhì)應(yīng)選為一種抗酸性之材料，其較佳地，例如可為抗酸性之金屬、合金或塑料，例如:可抗硝酸鉀之物質(zhì)；更佳地，則可選為銅或鋁等蝕刻液。
[0047]因此，查圖7A與圖7B所示，當(dāng)本發(fā)明所使用之基板100上已經(jīng)成功預(yù)先鍍有所述之保護(hù)層22時(shí)，那么，如圖式圖1所示之步驟S208所述，則本發(fā)明即可在具有該保護(hù)層22屏蔽之預(yù)留區(qū)12上直接進(jìn)行一鉆孔制程(如圖8A與圖8B中之箭頭方向所示)，以順利地在基板100上制造出至少一孔洞24。根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例，由于利用本發(fā)明所揭露之制造方法，其于基板上預(yù)先形成有保護(hù)層作為屏蔽，可有效地阻擋化學(xué)強(qiáng)化中應(yīng)力層之形成，因此在沒(méi)有應(yīng)力層之存在的情況下，即可針對(duì)基板之預(yù)留區(qū)直接使用一般的鉆孔制程方式進(jìn)行后續(xù)鉆孔的制造。然，根據(jù)本發(fā)明之其他實(shí)施例，則當(dāng)然亦可選擇使用超音波(ultrasonic)等方式以對(duì)基板進(jìn)行切割與研磨，藉此形成鉆孔。大抵而言，以上所舉之實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明之技術(shù)思想及所用手段，其目的在使本領(lǐng)域之人士能夠了解本發(fā)明之內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能以之限定本發(fā)明之專利范圍，熟習(xí)本領(lǐng)域之技藝人士自可根據(jù)本發(fā)明所揭示之實(shí)施例作一均等之變化或修飾，然仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明之專利范圍內(nèi)。
[0048]是以，綜上所述，根據(jù)本發(fā)明所揭露之一種在基板上形成孔洞之制造方法，其是透過(guò)與現(xiàn)有制程結(jié)合的方式，利用在基板上預(yù)先形成有保護(hù)層，來(lái)成功達(dá)到降低習(xí)見(jiàn)鉆孔制程之昂貴成本之目的，同時(shí)也避免了習(xí)見(jiàn)基板容易產(chǎn)生破片或延裂等問(wèn)題發(fā)生的機(jī)率。換言之，本發(fā)明是結(jié)合現(xiàn)有的制程，以在無(wú)須額外增加制作流程與工時(shí)，更無(wú)須增加額外的機(jī)臺(tái)設(shè)備上，成功達(dá)到在基板上有效形成鉆孔之功效。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所揭露之方法，顯然具有較佳之成本效益與產(chǎn)能效率，實(shí)具有極佳之產(chǎn)業(yè)發(fā)展性與廣于發(fā)展之潛力，不僅可有效實(shí)現(xiàn)本發(fā)明節(jié)省習(xí)見(jiàn)耗材及制作機(jī)臺(tái)成本等之效益，更成功地解決了現(xiàn)有基板容易發(fā)生破片或延裂等問(wèn)題之發(fā)生。
[0049]另一方面而言，本發(fā)明所揭露之一種在基板上形成孔洞之制造方法，其不僅可針對(duì)現(xiàn)有之化學(xué)強(qiáng)化玻璃、薄化玻璃等玻璃基板或觸控面板產(chǎn)品的領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用外，更對(duì)于其他有需要進(jìn)行特殊外型加工的產(chǎn)品，皆可利用本發(fā)明所揭露之工法來(lái)進(jìn)行之。換言之，本發(fā)明所能應(yīng)用之范疇，相較于現(xiàn)有技術(shù)顯然大幅地成長(zhǎng)與擴(kuò)充，將兼具有較高之產(chǎn)業(yè)應(yīng)用性與發(fā)展?jié)摿?。由此觀之，本發(fā)明所揭露之方法的確提供了一種創(chuàng)新且前所未見(jiàn)的技術(shù)手段，顯見(jiàn)本發(fā)明之目的及功效是明顯優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)，且本發(fā)明所揭露之技術(shù)特征、方法手段與達(dá)成之功效是顯著地不同于現(xiàn)行方案，實(shí)非為熟悉該項(xiàng)技術(shù)者能輕易完成者，故具備有專利要件。
[0050]以上所述之諸多實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明之技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使熟習(xí)此項(xiàng)技藝之人士能夠了解本發(fā)明之內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能以之限定本發(fā)明之專利范圍，即大凡依本發(fā)明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明之專利范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，包括: 提供一基板，且該基板上具有至少一預(yù)留區(qū)，以供后續(xù)至少一孔洞設(shè)置； 在該預(yù)留區(qū)上形成一保護(hù)層； 對(duì)該基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化；以及 在具有該保護(hù)層之該預(yù)留區(qū)上進(jìn)行一鉆孔制程，以在該基板上制造出該至少一孔洞。2.如權(quán)利要求1所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，該基板是為一化學(xué)強(qiáng)化玻璃或薄化玻璃。3.如權(quán)利要求1所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，該保護(hù)層是以蒸鍍或?yàn)R鍍方式形成于該預(yù)留區(qū)上。4.如權(quán)利要求1所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，該保護(hù)層是可為抗酸性之材質(zhì)。5.如權(quán)利要求1所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，在對(duì)該基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化之步驟中更包括利用一離子交換方式，以在該基板上不具有該保護(hù)層覆蓋之區(qū)域形成一應(yīng)力層。6.如權(quán)利要求5所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，該離子交換方式是包括將該基板浸入一硝酸鉀溶液中。7.如權(quán)利要求6所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，將該基板浸入該硝酸鉀溶液之步驟是在一高溫環(huán)境下進(jìn)行，以利用離子交換形成該應(yīng)力層。8.如權(quán)利要求6所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，該保護(hù)層之材質(zhì)是可為抗酸性之金屬、合金或塑料。9.如權(quán)利要求8所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，該保護(hù)層之材質(zhì)是為可抗硝酸鉀之物質(zhì)。10.如權(quán)利要求9所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，該保護(hù)層之材質(zhì)是可為銅或鋁。11.如權(quán)利要求1所述之在基板上形成孔洞之制造方法，其特征在于，該鉆孔制程更包括透過(guò)一超音波以對(duì)該基板進(jìn)行切割與研磨。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種在基板上形成孔洞之制造方法，其首先提供一基板，并在基板上具有至少一預(yù)留區(qū)，以供后續(xù)至少一孔洞設(shè)置，之后，在預(yù)留區(qū)上形成有保護(hù)層，再針對(duì)此基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。由于化學(xué)強(qiáng)化是利用一離子交換方式，以在基板上不具有該保護(hù)層覆蓋之區(qū)域形成應(yīng)力層，因此本發(fā)明可利用一般簡(jiǎn)易之鉆孔制程針對(duì)預(yù)留區(qū)進(jìn)行鉆孔，即可在基板上成功制造出至少一孔洞。藉由此方法，本發(fā)明有效節(jié)省了習(xí)見(jiàn)鉆孔制程及其后續(xù)加工之昂貴成本與復(fù)雜工序，并藉此有效提升其應(yīng)用效益。
【IPC分類】C03C21/00, C03C17/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105293940
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510710361
【發(fā)明人】郭毓弼, 張俊德, 莊偉仲
【申請(qǐng)人】業(yè)成光電（深圳）有限公司, 英特盛科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年10月27日