極/互連28相同的加熱條件下進(jìn)行燒制，并由 此在硅基材27的后表面上形成集電極/互連29和輸出電極/互連30。前電極/互連28 受到兩次熱滯后。這使得前電極/互連28與硅基材27具有較好的電連接。前電極/互連 28、集電極/互連29、和輸出電極/互連以上述方式形成，并得到根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的太 陽能電池。在本實(shí)驗(yàn)例中，以上述方式制備十個(gè)太陽能電池。
[0253] (所制備的太陽能電池的評(píng)估結(jié)果）
[0254] 最開始，視覺檢查本實(shí)驗(yàn)例中制備的十個(gè)太陽能電池。結(jié)果，硅基材27以及形成 在硅基材27上的前電極/互連28、集電極/互連29和輸出電極/互連30沒有例如斷裂 和開裂的缺陷，沒有顯著的翹曲，并且沒有外觀缺點(diǎn)。該效果通過根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的無 鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物實(shí)現(xiàn)。具體而言，電極/互連可以在顯著低的溫度下形成。接下來，將 所制備的十個(gè)太陽能電池進(jìn)行進(jìn)一步檢定，發(fā)現(xiàn)在硅基材27與前電極/互連28之間存在 電連接，并在硅基材27與集電極/互連29之間以及在硅基材27與輸出電極/互連30之 間建立歐姆接觸。使用太陽模擬器來進(jìn)一步檢定十個(gè)太陽能電池以評(píng)估發(fā)電效率。結(jié)果， 發(fā)現(xiàn)即使太陽能電池在相當(dāng)?shù)偷臏囟认轮苽?，太陽能電池也具有與常規(guī)等同物的發(fā)電效率 一樣高的約18%的發(fā)電效率。為確定可靠性，將所制備太陽能電池中的三個(gè)在50°C于溫水 中浸5天，并以與上述相似的方式進(jìn)行檢定以測(cè)量發(fā)電效率。常規(guī)的太陽能電池遭受電極 /互連的腐蝕并具有顯著更低的約12%~13%的發(fā)電效率。相反，本實(shí)驗(yàn)例中制備的太陽 能電池幾乎沒有電極/互連的腐蝕并且近乎沒有發(fā)電效率上的劣化。這可能是因?yàn)楦鶕?jù)本 發(fā)明實(shí)施方式的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物與Ag或Al的特定反應(yīng)可以提供具有如此高可靠性 的太陽能電池，如實(shí)驗(yàn)例4中所述。
[0255] 接下來，分開集電極/互連29和輸出電極/互連30在后表面上的重疊部分并進(jìn)行 檢定。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)重疊部分幾乎不包括由Ag與Al之間的反應(yīng)形成的較脆的金屬間化合物。 因此，硅基材27即使在以集中的方式接收應(yīng)力時(shí)也能抵抗例如開裂的缺陷。此外，硅基材 27顯著較少地遭受翹曲，并且這促成較少的太陽能電池的通常在裝配到模塊中時(shí)處理的不 合格。因此，防止較脆的金屬間化合物形成，并且太陽能電池較少遭受翹曲。這是因?yàn)楦鶕?jù) 本發(fā)明實(shí)施方式的太陽能電池可以在與常規(guī)太陽能電池的燒制溫度（500°C~800°C)相比 顯著低的溫度（290°C )下進(jìn)行燒制。
[0256] 如上，在本實(shí)驗(yàn)例中將太陽能電池代表性地描述為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的電氣/ 電子元件。具體而言，太陽能電池包括使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的各自含有無鉛低熔點(diǎn)玻 璃組合物的導(dǎo)電材料和相應(yīng)導(dǎo)電玻璃漿形成的電極/互連。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的各自含 有無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物的導(dǎo)電材料和相應(yīng)導(dǎo)電玻璃漿可以有效地施用至不僅是這些太 陽能電池而且是各種電氣/電子元件的電極/互連。導(dǎo)電材料和相應(yīng)導(dǎo)電玻璃漿可以提供 具有較好功能例如可靠性并且通常生產(chǎn)性和收率優(yōu)異的電氣/電子元件。
[0257] [實(shí)驗(yàn)例9]
[0258] 在本實(shí)驗(yàn)例中，將石英諧振器封裝代表性地制備為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的電氣/ 電子元件。檢定并評(píng)估根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的導(dǎo)電材料和低溫密封玻璃粉是否以及如何適 用于封裝的導(dǎo)電接合部和/或密封部。在本實(shí)驗(yàn)例中，導(dǎo)電材料和低溫密封玻璃粉分別使 用導(dǎo)電玻璃漿和低溫密封玻璃漿形成。
[0259] 圖19A~19F示出如何制備石英諧振器封裝。圖19G是所制備的石英諧振器封裝 的示意性截面圖。
[0260] 圖19G中示出的石英諧振器封裝包括陶瓷基材33和石英諧振器32。陶瓷基材33 包括互連34。石英諧振器32經(jīng)由導(dǎo)電接合部35布置在陶瓷基材33上方?；ミB34和導(dǎo)電 接合部35相互電連接。這使得石英諧振器32與外部電連接。封裝還包括用于保護(hù)石英諧 振器32的陶瓷蓋36。陶瓷蓋36在密封部37中氣密地接合于陶瓷基材33的外周部。導(dǎo)電 接合部35使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的導(dǎo)電材料形成，并且密封部37使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施 方式的低溫密封玻璃粉形成。
[0261] 石英諧振器封裝以以下方式制備。
[0262] 最開始，制備帶有互連34的陶瓷基材33 (圖19A)。接下來，將導(dǎo)電玻璃漿施用到 互連34上，干燥，并在空氣或惰性氣體中加熱以使得導(dǎo)電玻璃漿中的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合 物軟化并流動(dòng)，從而形成導(dǎo)電接合部35 (圖19B)。
[0263] 將石英諧振器32布置在導(dǎo)電接合部35上（圖19C)，在惰性氣體或真空中加熱以 使得導(dǎo)電接合部35中的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物再次軟化并流動(dòng)，由此建立電連接。
[0264] 另外，制備陶瓷蓋36 (圖19D)。將低溫密封玻璃漿施用至陶瓷蓋36的外周部（圖 19E)，干燥，并在空氣中加熱以使得在低溫密封玻璃漿中的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物軟化并 流動(dòng)，從而形成密封部37。
[0265] 將承載有石英諧振器32和導(dǎo)電接合部35的陶瓷基材33(參見圖19C)如圖19F 所示般布置，以面向包括密封部37的陶瓷蓋36 (參見圖19E)，并在惰性氣體或真空中加熱 且同時(shí)施加一些負(fù)荷38,以使密封部37中的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物再次軟化并流動(dòng)。得到 石英諧振器封裝（圖19G)。
[0266] 可以仔細(xì)執(zhí)行工序以防止導(dǎo)電接合部35與石英諧振器32和互連34分離。出于 該原因，陶瓷蓋36和陶瓷基材33優(yōu)選地在與導(dǎo)電接合部35中的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物的 軟化點(diǎn)相等或低于該軟化點(diǎn)的溫度下密封。具體而言，將要包含在低溫密封玻璃漿中的無 鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物優(yōu)選地不同于將要包含在導(dǎo)電玻璃漿中的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物，并 且軟化點(diǎn)低于將要包含在導(dǎo)電玻璃漿中的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物。這兩種無鉛低熔點(diǎn)玻璃 組合物之間的軟化點(diǎn)差值可以為20°C或更高，且優(yōu)選40°C或更高。
[0267] (導(dǎo)電玻璃漿和低溫密封玻璃漿的制備）
[0268] 在本實(shí)驗(yàn)例中，將要包含在導(dǎo)電玻璃漿中的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物是軟化點(diǎn)為 280°C的VTA-142 (參見表2和3);并且將要包含在低溫密封玻璃漿中的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組 合物是軟化點(diǎn)為240°C的VTA-132 (參見表2和3)。VTA-142和VTA-132具有40°C的軟化 點(diǎn)差值，并且能夠進(jìn)行密封而沒有例如導(dǎo)電接合部35的分離等問題。這表明，均處于滿意 水平的導(dǎo)電接合部35和密封部37可以同時(shí)獲得。
[0269] 最開始，將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物顆粒、金屬顆粒和溶劑 調(diào)配，混合，并得到用于形成導(dǎo)電接合部35的導(dǎo)電玻璃漿。本文所用的無鉛低熔點(diǎn)玻璃 組合物顆粒是平均粒徑為約3 μ m的VTA-142顆粒，金屬顆粒是平均粒徑為約1. 5 μ m的球 形銀（Ag)顆粒；且溶劑為α-松油醇。漿料中還添加異冰片基環(huán)己醇作為粘度調(diào)節(jié)劑。 VTA-142顆粒和Ag顆粒以30:70體積％的比率調(diào)配。導(dǎo)電玻璃漿制備成具有約80質(zhì)量％ 的固含量，其中"固含量"是指VTA-142和Ag的總含量。
[0270] 另外，將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物顆粒、低熱膨脹陶瓷顆粒 和溶劑調(diào)配，混合，并得到用于形成密封部37的低溫密封玻璃漿。本文使用的無鉛低熔點(diǎn) 玻璃組合物顆粒是平均粒徑為約3 μ m的VTA-132顆粒；低熱膨脹陶瓷顆粒是平均粒徑為約 10 μ m的CF-Ol (鎢酸磷酸鋯）顆粒（參見表4);且溶劑為α -松油醇。漿料中還添加異冰 片基環(huán)己醇作為粘度調(diào)節(jié)劑。VTA-132顆粒和CF-Ol顆粒以70:30體積％的比率調(diào)配。低 溫密封玻璃漿制備成具有約80質(zhì)量％的固含量，其中"固含量"是指VTA-132和CF-Ol的 總含量。
[0271] (石英諧振器封裝的制備）
[0272] 在本實(shí)驗(yàn)例中通過將在以下具體示出的方法制備石英諧振器封裝。本實(shí)驗(yàn)例中使 用的陶瓷基材33和陶瓷蓋36均由氧化錯(cuò)（a -Al2O3)制得。
[0273] 將制備的導(dǎo)電玻璃漿通過點(diǎn)膠施用到陶瓷基材33中的互連34,并在空氣中于 120°C~150°C干燥（圖19Α和19Β)。將其在空氣中以每分鐘20°C的升溫速率加熱至220°C， 保持20分鐘，以與上述相同的升溫速率加熱至330°C，并保持10分鐘，以在陶瓷基材33的 互連34上形成導(dǎo)電接合部35。加熱溫度330°C比VTA-142的軟化點(diǎn)高出50°C。
[0274] 接下來，將石英諧振器32布置在所形成的導(dǎo)電接合部35上，在惰性氣體（氬）中 以每分鐘20°C的升溫速率加熱至330°C，并保持10分鐘，以使石英諧振器32連接至導(dǎo)電接 合部35(圖19C)。
[0275] 另外，將制備的低溫密封玻璃漿通過絲網(wǎng)印刷法施用至陶瓷蓋36的外周部，并在 空氣中于120°C~150°C干燥（圖19D和19E)。將其在空氣中以每分鐘10°C的升溫速率 加熱至220°C，保持20分鐘，以與上述相同的升溫速率進(jìn)一步加熱至280°C，并保持10分 鐘，以在陶瓷蓋36的外周部中形成密封部37。280°C的加熱溫度比VTA-132的軟化點(diǎn)高出 40 cC 〇
[0276] 將帶有密封部37的陶瓷蓋36布置成面向與石英諧振器32連接的陶瓷基材33。 將所得的物品放置在專用固定裝置中，并施加負(fù)荷（圖19F)。將其在真空中以每分鐘KTC 的升溫速率加熱至280°C，保持10分鐘以密封陶瓷蓋36與陶瓷基材33,并得到石英諧振器 封裝（圖19G)。在本實(shí)驗(yàn)例中，以上述方式制備二十四個(gè)石英諧振器封裝。
[0277] (所制備的石英諧振器封裝的評(píng)估結(jié)果）
[0278] 最開始，將本實(shí)驗(yàn)例中制備的石英諧振器封裝中的十八個(gè)使用立體顯微鏡視覺檢 查。結(jié)果，該封裝在密封時(shí)幾乎沒有陶瓷蓋36的配準(zhǔn)不良（misregistration)，密封部37 中沒有例如因結(jié)晶引起的失透、破碎和開裂的缺陷，并且在外觀上沒有缺陷。
[0279] 接下來，通過陶瓷基材33的后表面上的互連34的導(dǎo)電測(cè)試來檢定密封陶瓷蓋36 中的導(dǎo)電接合部35是否與石英諧振器32以及互連34電連接。結(jié)果證實(shí)，石英諧振器在所 有制備的石英諧振器封裝中均工作。此外，將所制備的石英諧振器中的五個(gè)各自進(jìn)行氦泄 漏測(cè)試，并發(fā)現(xiàn)封裝內(nèi)部保持真空，并且外周部用密封部37氣密密封。為證實(shí)密封部37的 可靠性，將所制備的石英諧振器封裝中的五個(gè)各自在120°C、100%相對(duì)濕度和202kPa下進(jìn) 行3天的高濕度/溫度測(cè)試（飽和高壓鍋測(cè)試）。將樣品再次進(jìn)行氦泄漏測(cè)試，發(fā)現(xiàn)所有石 英諧振器封裝在高濕度/溫度測(cè)試后均保持密封部37的氣密性和粘合性。
[0280] 結(jié)果說明如下。假設(shè)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的各自包含無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物的導(dǎo) 電材料和/或相應(yīng)導(dǎo)電玻璃漿被施用至導(dǎo)電接合部；并且根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的各自包含 無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物的低溫密封玻璃粉和/或相應(yīng)低溫密封玻璃漿被施用至密封部。這 可以得到在考慮對(duì)環(huán)境負(fù)擔(dān)的影響后具有高可靠性的石英諧振器封裝。在本實(shí)驗(yàn)例中，將 導(dǎo)電材料和其他施用于代表性地作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的電氣/電子元件和玻璃密封 元件的石英諧振器封裝。然而，明顯的是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的導(dǎo)電材料和相應(yīng)導(dǎo)電玻璃 漿、低溫密封玻璃粉和相應(yīng)低溫密封玻璃漿可以有效地不僅擴(kuò)展至這些石英諧振器封裝， 而且可以擴(kuò)展至各自包括導(dǎo)電接合部和/或密封部的很多電氣/電子元件和玻璃密封元 件。
[0281] 在實(shí)驗(yàn)例6~9中，將真空隔離雙層玻璃板、OLED顯示器、太陽能電池和石英諧 振器封裝代表性地描述為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的玻璃密封元件和電氣/電子元件。然而， 明顯的是，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例，并且可以應(yīng)用于很多玻璃密封元件和電氣/電子元 件例如圖像顯示裝置、掌上電腦、IC陶瓷封裝、半導(dǎo)體傳感器、多層電容器、LED和多層電路 板。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物，包括： 主成分，其包括釩氧化物、碲氧化物和銀氧化物； 次級(jí)成分，其包括選自BaO、WO#PP205中的至少一種；以及 附加成分，其包括選自元素周期表第13族元素的氧化物中的至少一種， 其中所述主成分的總含量以V205、TeOjPAg20計(jì)為85摩爾％或更高， TeOjPAg20的含量各自為V205的含量的1~2倍，并且 其中所述次級(jí)成分的含量為〇~13摩爾％，并且 所述附加成分的含量為〇. 1~3. 0摩爾％。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物， 其中所述附加成分包括選自B203、Al203、Ga203和Ιη203中的至少一種，并且 其中所述附加成分的含量以氧化物計(jì)為〇. 1~2. 0摩爾％。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物， 其中所述附加成分包括選自Al203、Ga203和Ιη203中的至少一種。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物， 其中所述附加成分的含量以氧化物計(jì)為〇. 1~1. 〇摩爾％。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物， 具有280°C或更低的軟化點(diǎn)，所述軟化點(diǎn)通過差熱分析而確定為第二吸熱峰值溫度。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物， 結(jié)晶起始溫度比所述軟化點(diǎn)高出60°C或更多，所述結(jié)晶起始溫度通過差熱分析而確 定。7. -種低溫密封玻璃粉，包括： 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物；以及 低熱膨脹陶瓷顆粒， 其中所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物的含量為40體積％或更高且低于100體積％，并且 所述低熱膨脹陶瓷顆粒的含量為高于〇體積％且為60體積％或更低。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的低溫密封玻璃粉， 其中所述低熱膨脹陶瓷顆粒包括選自鎢酸磷酸鋯、石英玻璃、硅酸鋯、氧化鋁、莫來石 和氧化鈮中的至少一種。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的低溫密封玻璃粉， 其中所述低熱膨脹陶瓷顆粒由鎢酸磷酸鋯和主要包括鎢酸磷酸鋯的化合物中的至少 一種形成，并且 其中所述低熱膨脹陶瓷顆粒的含量為30~50體積％。10. -種低溫密封玻璃漿，包括： 由根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物形成的顆粒； 低熱膨脹陶瓷顆粒；以及 溶劑。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的低溫密封玻璃漿， 其中所述低熱膨脹陶瓷顆粒包括選自鎢酸磷酸鋯、石英玻璃、硅酸鋯、氧化鋁、莫來石 和氧化鈮中的至少一種，并且 其中所述溶劑包括α-松油醇和二乙二醇正丁醚乙酸酯中的至少一種。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的低溫密封玻璃漿， 其中所述低熱膨脹陶瓷顆粒由鎢酸磷酸鋯和主要包括鎢酸磷酸鋯的化合物中的至少 一種形成，并且 其中所述溶劑包括α-松油醇。13. -種導(dǎo)電材料，包括： 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物；以及 金屬顆粒， 其中所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物的含量為5體積％或更高且低于100體積％，并且 所述金屬顆粒的含量為高于〇體積％且為95體積％或更低。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電材料， 其中所述金屬顆粒包括選自銀、銀合金、銅、銅合金、鋁、鋁合金、錫和錫合金中的至少 一種。15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電材料， 其中所述金屬顆粒包括銀和鋁中的至少一種，并且 其中所述金屬顆粒的含量為10~90體積％。16. -種導(dǎo)電玻璃衆(zhòng)，包括： 由根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物形成的顆粒；以及 溶劑。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的導(dǎo)電玻璃漿，還包括金屬顆粒。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的導(dǎo)電玻璃漿， 其中所述金屬顆粒包括選自銀、銀合金、銅、銅合金、鋁、鋁合金、錫和錫合金中的至少 一種。19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的導(dǎo)電玻璃漿， 其中所述溶劑包括α-松油醇和二乙二醇正丁醚乙酸酯中的至少一種。20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的導(dǎo)電玻璃漿， 其中所述金屬顆粒包括銀和鋁中的至少一種，并且 其中所述溶劑包括α-松油醇。21. -種玻璃密封的元件，其具有密封部，所述密封部包括40~100體積％的無鉛低熔 點(diǎn)玻璃相， 其中所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相包括主成分，所述主成分包括釩氧化物、碲氧化物和銀氧 化物，并且 所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相以氧化物計(jì)以85摩爾％或更高的總含量包括所述主成分，且TeOjPAg20的含量各自為V205的含量的1~2倍，并且 其中所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相還包括次級(jí)成分，所述次級(jí)成分包括選自BaO、W0#PP205 中的至少一種，并且 所述次級(jí)成分的總含量以氧化物計(jì)為大于〇摩爾％且為13摩爾％或更低， 其中所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相還包括附加成分，所述附加成分包括選自B203、A1203、Ga203 和Ιη203中的至少一種，并且 所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相中的附加成分的含量為0. 1~2. 0摩爾％。22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的玻璃密封的原件， 其中所述附加成分包括選自Al203、Ga203和Ιη203中的至少一種，并且 所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相中的附加成分的含量為〇. 1~1. 〇摩爾％。23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的玻璃密封的元件， 其是真空隔離雙層玻璃板和顯示板中的一種。24. -種電氣/電子元件，包括選自電極、互連和導(dǎo)電接合部中的至少一種單元， 其中所述單元包括5體積％或更高且低于100體積％的無鉛低熔點(diǎn)玻璃相以及高于0 體積％且為95體積％或更低的金屬顆粒， 所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相包括主成分、次級(jí)成分和附加成分， 其中所述主成分包括釩氧化物、碲氧化物和銀氧化物， 所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相中的主成分的總含量以V205、TeOjPAg20計(jì)為85摩爾％或更 尚， TeOjPAg20的含量各自為V205的含量的1~2倍， 其中所述次級(jí)成分包括選自BaO、W0#PP205中的至少一種， 所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相中的次級(jí)成分的總含量以氧化物計(jì)為高于〇摩爾％且為13摩 爾％或更低，并且 其中所述附加成分包括選自B203、Al203、Ga203和Ιη203中的至少一種， 所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相中的附加成分的含量為〇. 1~2. 0摩爾％， 所述金屬顆粒包括選自銀、銀合金、銅、銅合金、鋁、鋁合金、錫和錫合金中的至少一種。25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的電氣/電子元件， 其中所述附加成分包括選自Al203、Ga203和Ιη203中的至少一種， 所述無鉛低熔點(diǎn)玻璃相中的附加成分的含量為〇. 1~1. 〇摩爾％。26. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的電氣/電子元件， 其中所述金屬顆粒包括銀和鋁中的至少一種，并且 其中所述單元以10~90體積％的含量包括所述金屬顆粒。27. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的電氣/電子元件， 其為選自太陽能電池、圖像顯示裝置、多層電容器、石英諧振器、發(fā)光二極管和多層電 路板中的一種。
【專利摘要】本申請(qǐng)公開一種Ag2O-V2O5-TeO2無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物，其加熱引起的結(jié)晶得以防止或抑制以在低溫下更加令人滿意地軟化和流動(dòng)。該無鉛低熔點(diǎn)玻璃組合物包含：主成分，其包括釩氧化物、碲氧化物和銀氧化物；次級(jí)成分，其包括選自BaO、WO3和P2O5中的至少一種；和附加成分，其包括選自元素周期表第13族元素的氧化物中的至少一種。主成分的總含量以V2O5、TeO2和Ag2O計(jì)為85摩爾％或更高。TeO2和Ag2O的含量各自為V2O5的含量的1～2倍。次級(jí)成分的含量為0～13摩爾％。附加成分的含量為0.1～3.0摩爾％。
【IPC分類】C03C3/12, C03C12/00, C03C3/21, C03C8/24, H01B1/16, H01L23/29
【公開號(hào)】CN105384339
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510532989
【發(fā)明人】內(nèi)藤孝, 立園信一, 吉村圭, 橋場(chǎng)裕司, 青柳拓也, 小野寺大剛, 三宅龍也
【申請(qǐng)人】日立化成株式會(huì)社
【公開日】2016年3月9日
【申請(qǐng)日】2015年8月27日