半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本說明書中所公開的技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在專利文獻I中公開了一種通過向藍寶石(sapphire)基板照射激光而在藍寶石基板內(nèi)形成改質(zhì)區(qū)域，從而對藍寶石基板的翹曲進行控制的技術(shù)。
[0003]在先技術(shù)文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開2010-165817號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明所要解決的課題
[0007]當(dāng)如專利文獻I那樣照射激光從而對基板翹曲進行調(diào)節(jié)時，存在無法按照預(yù)想的那樣對基板的翹曲進行控制的情況。因此，在本說明書中，提供一種能夠更準(zhǔn)確地對基板的翹曲進行控制的技術(shù)。
[0008]用于解決課題的方法
[0009]本說明書提供一種制造基板的方法。該方法包括第一工序，在所述第一工序中，通過向單晶基板照射激光或帶電粒子束，并且以所述單晶基板的表面上的照射區(qū)域的軌跡成為直線的條紋狀的方式而使所述照射區(qū)域相對于所述單晶基板進行移動，從而沿著所述軌跡而形成非晶區(qū)域。所述第一工序以所述直線的朝向不同的方式而被實施多次。通過所述第一工序被實施多次，從而使所述單晶基板的翹曲發(fā)生變化。被實施多次的所述第一工序的各次中的所述直線全部不平行于與所述表面平行的平面內(nèi)的所述單晶基板的晶軸的方向。
[0010]另外，通過該方法而被制造的基板既可以是僅由單晶基板構(gòu)成的基板，也可以是在單晶基板上層疊有其他層的層疊基板。
[0011]本申請的發(fā)明人們發(fā)現(xiàn)，在照射區(qū)域的軌跡的直線與晶軸平行的情況下和不平行的情況下，翹曲的變化量會產(chǎn)生差異。因此，當(dāng)照射區(qū)域的軌跡中混合存在有與晶軸平行的方向及與晶軸不平行的方向時，根據(jù)方向的不同，翹曲的變化量會產(chǎn)生差異，從而無法準(zhǔn)確地控制基板的翹曲。與此相對，當(dāng)如以上所述那樣，被實施多次的所述第一工序的各次中的所述直線全部不平行于與所述第一表面平行的平面內(nèi)的所述單晶基板的晶軸的方向時，能夠穩(wěn)定地控制翹曲的變化量。
【附圖說明】
[0012]圖1為支承板10的立體圖。
[0013]圖2為非晶區(qū)域形成工序中的支承板10的剖視圖。
[0014]圖3為非晶區(qū)域形成工序后的支承板10的剖視圖。
[0015]圖4為實施方式的軌跡31?32的說明圖。
[0016]圖5為比較例的軌跡41?42的說明圖。
[0017]圖6為表示通過比較例的方法而產(chǎn)生了翹曲的支承板10的上表面1a的等高線的圖。
[0018]圖7為表示通過實施方式的方法而產(chǎn)生了翹曲的支承板10的上表面1a的等高線的圖。
[0019]圖8為粘合劑50的涂布后的支承板10的剖視圖。
[0020]圖9為層疊基板70的剖視圖。
[0021]圖10為層疊基板70的剖視圖。
[0022]圖11為改變例的非晶區(qū)域形成工序中的支承板10的剖視圖。
[0023]圖12為改變例的軌跡的說明圖。
[0024]圖13為改變例的粘貼工序后的層疊基板70的剖視圖。
[0025]圖14為改變例的非晶區(qū)域形成工序后的層疊基板70的剖視圖。
【具體實施方式】
[0026]在本實施方式的半導(dǎo)體裝置在制造方法中，將半導(dǎo)體晶片粘貼在支承板上從而對半導(dǎo)體晶片進行加強，針對被加強的半導(dǎo)體晶片來實施加工。圖1圖示了本實施方式的方法中所使用的支承板10。支承板10通過藍寶石的單晶而被構(gòu)成。藍寶石的結(jié)晶結(jié)構(gòu)為六方晶。支承板10具有圓盤形狀。支承板10的厚度方向與六方晶的C軸一致。因此，支承板10的上表面1a及下表面1b與六方晶的c面一致。S卩，六方晶的al軸、a2軸及a3軸與上表面1a及下表面1b平行。al軸與a2軸之間的角度為120°，a2軸與a3軸之間的角度為120°，a3軸與al軸之間的角度為120°。在本實施方式中，支承板10 (即，藍寶石)的線膨脹系數(shù)為5.2ppm/K。支承板10為大致透明。以下，對使用了支承板10的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。
[0027](非晶區(qū)域形成工序)
[0028]首先，如圖2所示，朝向支承板10的上表面1a照射激光20。在此，利用光學(xué)系統(tǒng)而在支承板10的內(nèi)部形成激光20的焦點。更詳細而言，在與支承板10的厚度方向上的中央部1c相比靠上表面1a側(cè)的區(qū)域1d內(nèi)形成激光的焦點。此外，通過飛秒激光裝置等短脈沖激光裝置照射激光20。此外，以與飛秒相比較長的預(yù)定的時間間隔而間歇地照射激光20。此外，在間歇地照射激光20的同時，使支承板10相對于激光照射裝置而進行移動。使支承板10在沿著其上表面1a的方向上進行移動。
[0029]當(dāng)以上述的方式照射激光20時，在激光20的焦點的位置處，支承板10的晶體取向被打亂，從而形成非晶區(qū)域12 ( S卩，結(jié)晶缺陷)。由于在使支承板10進行移動的同時間歇地照射激光20，因此在支承板10上，沿著激光20的照射區(qū)域的軌跡而以固定間隔形成有非晶區(qū)域12。在非晶區(qū)域12被形成時，該非晶化的區(qū)域?qū)⑴蛎洝Ｓ捎诜蔷^(qū)域12被形成在上表面1a側(cè)的區(qū)域1d內(nèi)，因此當(dāng)以上述方式形成非晶區(qū)域12時，上表面1a側(cè)的區(qū)域1d將膨脹，而下表面1b側(cè)的區(qū)域1e不會膨脹。因此，如圖3所示，支承板10以上表面1a側(cè)成為凸起的方式而翹曲。另外，如圖3所示，非晶區(qū)域12以充分隔開間隔的方式被形成，以使相鄰的非晶區(qū)域12彼此不會相連。
[0030]上述的激光20的照射處理被執(zhí)行三次。圖4圖示了在第一次至第三次的激光20的照射處理中，激光20的照射范圍的軌跡。在第一次的照射處理中，沿著方向Dl而使激光20的照射范圍相對于支承板10進行移動，所述方向Dl為相對于上表面1a的面內(nèi)的晶軸al的方向而向逆時針方向偏轉(zhuǎn)了角度Xl(在本實施方式中為30° )的方向。激光20的照射范圍以對支承板10的上表面1a進行多次掃描的方式而進行移動。由此，第一次的照射處理的激光20的照射范圍的軌跡如圖4的軌跡31所示那樣被繪制成直線的條紋狀。因此，在第一次的照射處理中，沿著軌跡31而形成有多個非晶區(qū)域12。在第二次的照射處理中，沿著方向D2而使激光20的照射范圍相對于支承板10進行移動，所述方向D2為相對于上表面1a的面內(nèi)的晶軸a2的方向而向逆時針方向偏轉(zhuǎn)了角度X2 (在本實施方式中為30° )的方向。激光20的照射范圍以對支承板10的上表面1a進行多次掃描的方式而進行移動。由此，第二次的照射處理的激光20的照射范圍的軌跡如圖4的軌跡32所示那樣被繪制成直線的條紋狀。因此，在第二次的照射處理中，沿著軌跡32而形成有多個非晶區(qū)域12。在第三次的照射處理中，沿著方向D3而使激光20的照射范圍相對于支承板10進行移動，所述方向D3為相對于上表面1a的面內(nèi)的晶軸a3的方向而向逆時針方向偏轉(zhuǎn)了角度X3 (在本實施方式中為30° )的方向。激光20的照射范圍以對支承板10的上表面1a進行多次掃描的方式而進行移動。由此，第三次的照射處理中的激光20的照射范圍的軌跡如圖4的軌跡33所示那樣被繪制成直線的條紋狀。因此，在第三次的照射處理中，沿著軌跡33而形成有多個非晶區(qū)域12。
[0031]當(dāng)以圖4的方式照射激光20時，能夠使支承板10產(chǎn)生均勻的翹曲。以下，對其理由進行說明。已知被形成的非晶區(qū)域12的尺寸根據(jù)激光照射范圍的軌跡是否與晶軸平行而發(fā)生變化。即，在軌跡與晶軸平行的情況下，沿著軌跡而形成較長的非晶層。即，