圖2的非晶區(qū)域12的長(zhǎng)度LI變長(zhǎng)。在該情況下，在沿著軌跡的方向上，于支承板上所產(chǎn)生的翹曲變小。與此相對(duì)，在軌跡與晶軸不平行的情況下，非晶區(qū)域12的尺寸變小(S卩，距離LI變短)。在該情況下，在沿著軌跡的方向上，于支承板上所產(chǎn)生的翹曲變大。
[0032]圖5圖示了比較例的激光照射范圍的軌跡41、42。在圖5中，針對(duì)支承板10實(shí)施兩次激光照射處理。在第一次的激光照射處理中，沿著晶軸a2而使激光20的照射范圍進(jìn)行移動(dòng)。在第二次的激光照射處理中，沿著相對(duì)于晶軸a2而正交的方向D4(即，相對(duì)于晶軸al、a2、a3中的任意一個(gè)均不平行的方向)而使激光20的照射范圍進(jìn)行移動(dòng)。在該方法中，在沿著晶軸a2的方向上支承板10的翹曲變小，與此相對(duì)，在方向D4上支承板10的翹曲變大。因此，如圖6所示，支承板10以橢圓狀發(fā)生翹曲。
[0033]與此相對(duì)，當(dāng)以圖4的方式照射激光20時(shí)，軌跡31?33中的任意一個(gè)均不與晶軸al?a3平行。因此，在沿著軌跡31?33的方向Dl?D3中的任意一個(gè)方向上，支承板10的翹曲均變大。S卩，在方向Dl?D3上大致均等地產(chǎn)生翹曲。其結(jié)果為，如圖7所示，支承板10以正圓狀發(fā)生翹曲。特別地，在本實(shí)施方式中，如圖4所示，由于各軌跡的方向Dl?D3與各晶軸al?a3之間的角度Xl?X3大致相等，因此在方向Dl?D3上產(chǎn)生的翹曲的量相等。因此，以更接近正圓的分布而產(chǎn)生翹曲。另外，雖然角度Xl?X3最好是相同的角度，但優(yōu)選為，至少這些角度之間的差在±5°以?xún)?nèi)。通過(guò)將角度Xl?X3之差設(shè)在±5°以?xún)?nèi)，從而能夠以接近大致正圓的分布而在支承板10上產(chǎn)生翹曲。
[0034](粘貼工序)
[0035]接下來(lái)，利用粘合劑而將半導(dǎo)體基板粘貼在產(chǎn)生了翹曲的支承板10上。首先，如圖8所示，將粘合劑50涂布在支承板10的下表面1b上。粘合劑50為具有熱塑性的聚酰亞胺樹(shù)脂。在將粘合劑50涂布在支承板10的下表面1b上之后，對(duì)支承板10進(jìn)行加熱(烘干處理)。由此，使溶劑從粘合劑50中蒸發(fā)，從而使粘合劑50半固化。接下來(lái)，實(shí)施使粘合劑亞胺化的熱處理。
[0036]接下來(lái)，將支承板10配置在粘合用的爐(省略圖示)內(nèi)，之后，將半導(dǎo)體基板60層疊于粘合劑50之上。另外，半導(dǎo)體基板60由硅構(gòu)成。半導(dǎo)體基板60(S卩，硅)的線膨脹系數(shù)為3.4ppm/K。S卩，半導(dǎo)體基板60的線膨脹系數(shù)小于支承板10的線膨脹系數(shù)。接下來(lái)，如圖9所示，對(duì)由支承板10、粘合劑50及半導(dǎo)體基板60構(gòu)成的層疊基板70進(jìn)行加熱，并且通過(guò)加壓機(jī)90對(duì)層疊基板70在其厚度方向上進(jìn)行加壓。通過(guò)加壓而使層疊基板70成為平坦的狀態(tài)。由于具有翹曲的支承板10被按壓成平坦的狀態(tài)，因此在支承板10的內(nèi)部產(chǎn)生有應(yīng)力。此外，將層疊基板70的周?chē)O(shè)為減壓氣氛。通過(guò)加熱而使粘合劑50軟化。通過(guò)加壓而使半導(dǎo)體基板6緊貼于軟化的粘合劑50上。此外，通過(guò)減壓來(lái)抑制在粘合劑50中產(chǎn)生孔隙的情況。接下來(lái)，使層疊基板70逐漸地冷卻。當(dāng)層疊基板70被冷卻至低于粘合劑50的玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)的溫度時(shí)，粘合劑50將固化。由此，半導(dǎo)體基板60與支承板10被相互固定。之后，層疊基板70被繼續(xù)被冷卻至常溫。
[0037]在對(duì)層疊基板70進(jìn)行冷卻時(shí)，支承板10與半導(dǎo)體基板60將要收縮。由于支承板10的線膨脹系數(shù)大于半導(dǎo)體基板60的線膨脹系數(shù)，因此支承板10與半導(dǎo)體基板60相比將要較大程度地收縮。因此，層疊基板70將要以半導(dǎo)體基板60側(cè)成為凸起的方式而翹曲。然而，由于層疊基板70被加壓機(jī)90束縛，因此在層疊基板70上不會(huì)產(chǎn)生翹曲。因此，在層疊基板70的內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生將要以半導(dǎo)體基板60側(cè)成為凸起的方式而翹曲的應(yīng)力。如以上所述，在原本具有翹曲的支承板10的內(nèi)部，在被加壓時(shí)產(chǎn)生有應(yīng)力。該應(yīng)力為，將要向與由于熱膨脹系數(shù)之差而產(chǎn)生的應(yīng)力相反的方向翹曲的應(yīng)力。因此，通過(guò)支承板10的內(nèi)部的應(yīng)力，從而使由于熱膨脹係數(shù)之差而產(chǎn)生的應(yīng)力被抵消。
[0038]層疊基板70被冷卻至常溫后，從爐中取出層疊基板70。在被冷卻至常溫的階段中，支承板10的內(nèi)部的應(yīng)力與由于熱膨脹系數(shù)之差而產(chǎn)生的應(yīng)力幾乎完全抵消。因此，從爐中被取出的層疊基板70如圖10所示那樣基本是平坦的。如此，根據(jù)該方法，能夠獲得平坦的層置基板70。
[0039]此外，由于通過(guò)非晶區(qū)域形成工序而使支承板10以正圓狀發(fā)生翹曲，因此，在粘貼工序中，與方向無(wú)關(guān)地，層疊基板70的翹曲被均勻地矯正。因此，能夠獲得平坦的層疊基板70。
[0040]在通過(guò)以上的方式形成了平坦的層疊基板70之后，針對(duì)半導(dǎo)體基板60而實(shí)施各種的加工。例如，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體基板60的表面進(jìn)行研磨而使半導(dǎo)體基板60薄板化。之后，通過(guò)在半導(dǎo)體基板60的內(nèi)部形成擴(kuò)散層，并在半導(dǎo)體基板60的表面上形成電極等，從而形成半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)。接下來(lái)，通過(guò)以透過(guò)支承板10的方式向粘合劑50照射激光，從而使粘合劑50的粘合力下降，之后，使半導(dǎo)體基板60從支承板10上剝離。此時(shí)，由于在支承板10的表面上未設(shè)置用于減少翹曲的膜等，因此能夠效率地向粘合劑50照射激光。之后，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體基板60進(jìn)行切割，從而完成半導(dǎo)體裝置。另外，在從半導(dǎo)體基板60上剝離下來(lái)的支承板10上，會(huì)再次如圖3所示那樣產(chǎn)生翹曲。能夠在對(duì)其他的半導(dǎo)體基板60進(jìn)行加工時(shí)再次利用該支承板10。
[0041]如在上文中所說(shuō)明的那樣，在該方法中，預(yù)先使支承板10產(chǎn)生翹曲。而且，能夠通過(guò)預(yù)先產(chǎn)生的支承板10的翹曲而抵消由于支承板10與半導(dǎo)體基板60的線膨脹系數(shù)之差所產(chǎn)生的翹曲。因此，能夠獲得平坦的層疊基板70。特別地，在上述的方法中，由于使支承板10以正圓狀均等地翹曲，因此能夠均等地對(duì)層疊基板70的翹曲進(jìn)行矯正。因此，能夠獲得更平坦的層疊基板70。
[0042]另外，優(yōu)選為，各非晶區(qū)域12的尺寸盡可能要小。通過(guò)縮小非晶區(qū)域12的尺寸，從而能夠?qū)υ趯⒅С邪?0從半導(dǎo)體基板60上剝離時(shí)，激光由于非晶區(qū)域12而發(fā)生散亂的情況進(jìn)行抑制。此外，根據(jù)同樣的理由，形成非晶區(qū)域12的間隔優(yōu)選為，在能夠使支承板10發(fā)生翹曲的范圍內(nèi)盡可能要大。
[0043]另外，雖然在上述的實(shí)施方式中，如圖2所示那樣向形成非晶區(qū)域12的一側(cè)的表面(即，上表面1a)照射激光20，但也可以如圖11所示那樣向形成非晶區(qū)域12的一側(cè)的表面的相反側(cè)的表面(即，下表面1b)照射激光20。
[0044]此外，在上述的實(shí)施方式中，將半導(dǎo)體基板60粘貼在支承板10的下表面1b (即，距非晶區(qū)域12較遠(yuǎn)的表面)上。然而，在半導(dǎo)體基板60的線膨脹系數(shù)大于支承板10的線膨脹系數(shù)的情況下，可將半導(dǎo)體基板60粘貼在支承板10的上表面10a( S卩，距非晶區(qū)域12較近的表面)上。由此，能夠?qū)盈B基板的翹曲進(jìn)行矯正。
[0045]此外，在上述的實(shí)施方式中，向支承板10的表面涂布粘合劑50，然后，將支承板10粘貼在半導(dǎo)體基板60上。然而，也可以像半導(dǎo)體基板60的表面涂布粘合劑50，然后，將半導(dǎo)體基板60粘貼在支承板10上。
[0046]此外，在上述的實(shí)施方式中，沿著三個(gè)方向Dl?D3掃描激光20。然而，例如，也可以如圖12所示那樣沿著兩個(gè)方向D5、D6掃描激光20。在圖12中，方向D5相對(duì)于方向D6而大致正交。方向D5相對(duì)于晶軸al?a3中的任一個(gè)均不平行。此外，方向D6也相對(duì)于晶軸al?a3中的任一個(gè)均不平行。因此，在該情況下，也能夠使支承板10均等地產(chǎn)生翹曲。
[0047]此外，雖然在上述的實(shí)施方式中，支承板10的結(jié)晶結(jié)構(gòu)為六方晶，但也可以將具有其他的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的單晶的基板作