1.用于電子學(xué)的元件，其包含聚合物-陶瓷復(fù)合材料或者由它們構(gòu)成，該聚合物-陶瓷復(fù)合材料包含具有一般式子TiOx的鈦亞氧化物的顆粒，其中x為1.00至1.99，包括端值，和/或具有一般式子Ba(1-m)SrmTiOy的鋇和/或鍶鈦酸鹽亞氧化物的顆粒，其中y為1.50至2.99，包括端值，和m為0至1，包括端值。
2.根據(jù)前一項權(quán)利要求的用于電子學(xué)的元件，其中該聚合物-陶瓷復(fù)合材料包含多于10%體積的具有一般式子TiOx的鈦亞氧化物的顆粒，其中x為1.50至2.99，包括端值。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中所述鈦亞氧化物主要為TinO2n-1相，其中n為4-9，包括端值，即Ti4O7、Ti5O9、Ti6O11、Ti7O13、Ti8O15或者Ti9O17，所述相總計占該顆粒的重量的大于80%。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中該聚合物-陶瓷復(fù)合材料包含多于10%體積的具有一般式子Ba(1-m)SrmTiOy的鋇和/或鍶鈦酸鹽亞氧化物的顆粒，其中y為2.50至2.99，包括端值，和m為0至1，包括端值。
5.根據(jù)前一項權(quán)利要求的用于電子學(xué)的元件，其中m為0至0.3，包括端值。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中該聚合物占該聚合物-陶瓷復(fù)合材料的30%-80%體積。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中該聚合物-陶瓷復(fù)合材料的聚合物選自環(huán)氧樹脂，聚偏二氟乙烯(PVDF)，聚四氟乙烯(PTFE)，聚酰亞胺，聚酰胺，丙烯酸酯，聚苯醚，聚苯氧，苯并環(huán)丁烯，雙馬來酰亞胺，氰酸酯，聚酯或者它們的混合物。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中該聚合物-陶瓷復(fù)合材料的聚合物選自熱固性樹脂。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中該聚合物-陶瓷復(fù)合材料的聚合物選自熱塑性樹脂。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中該鈦亞氧化物的顆粒和/或鋇/鍶鈦酸鹽亞氧化物的顆粒一起占所述聚合物-陶瓷復(fù)合材料的30%-70%體積。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中該鈦亞氧化物和鋇/鍶鈦酸鹽亞氧化物一起占該聚合物-陶瓷復(fù)合材料的總重量的大于70%，優(yōu)選地該復(fù)合材料的重量的大于40%。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中在所述聚合物-陶瓷復(fù)合材料中的無機(jī)填料基本上由鈦亞氧化物顆粒構(gòu)成。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中在所述聚合物-陶瓷復(fù)合材料中的無機(jī)填料基本上由具有一般式子Ba(1-m)SrmTiOy的鋇和/或鍶鈦酸鹽亞氧化物的顆粒構(gòu)成。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的用于電子學(xué)的元件，其中所述復(fù)合材料是電容器，優(yōu)選嵌入式電容器。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-13任一項的用于電子學(xué)的元件，其中所述元件是用于減弱電磁波的屏蔽。
16.聚合物-陶瓷復(fù)合材料，其包含具有一般式子Ba(1-m)SrmTiOy的鋇和/或鍶鈦酸鹽亞氧化物的顆粒，其中y為1.50至2.99，包括端值，和m為0至1，包括端值。
17.根據(jù)前一項權(quán)利要求的聚合物-陶瓷復(fù)合材料，其包含多于10%體積的具有一般式子Ba(1-m)SrmTiOy的鋇和/或鍶鈦酸鹽亞氧化物的顆粒，其中y為2.50至2.99，包括端值，和m為0至1，包括端值。
18.根據(jù)權(quán)利要求16-17任一項的聚合物-陶瓷復(fù)合材料，其中m為0至0.3，包括端值。
19.根據(jù)權(quán)利要求16-18任一項的聚合物-陶瓷復(fù)合材料，其中聚合物占所述復(fù)合材料的30-80%體積。
20.根據(jù)權(quán)利要求16-19任一項的聚合物-陶瓷復(fù)合材料，其中該鋇/鍶鈦酸鹽亞氧化物的顆粒一起占該復(fù)合材料的30%-70%體積。
21.根據(jù)權(quán)利要求16-20任一項的聚合物-陶瓷復(fù)合材料，其中該聚合物和該鋇/鍶鈦酸鹽亞氧化物一起占該復(fù)合材料的總重量的大于70%，優(yōu)選地該復(fù)合材料的重量的大于90%。