本發(fā)明涉及到傳感器封裝工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及到指紋傳感器封裝工藝改進(jìn)方面。

背景技術(shù)：

如今傳感器封裝對(duì)于封裝體表面的平整度要求越來(lái)越高，特別是FPS（fingerprint sensor 指紋傳感器）類封裝產(chǎn)品，因其外觀鍵表面必須增加外圍實(shí)體；而在傳感器芯片表面封裝形成外圍實(shí)體過(guò)程中，由于所用的塑封料存在收縮率較大原因，在塑封過(guò)程中目前常用塑封料在高溫下從膠狀到固態(tài)冷卻的過(guò)程中，塑封料深度不同而引起縱向的累積收縮量不一樣，較深的區(qū)域大于較淺區(qū)域的收縮量，參照?qǐng)D1中所示，從而在外圍實(shí)體表面與傳感器芯片四周對(duì)應(yīng)區(qū)域形成晶圓印記，影響傳感器表面平整度，晶圓印記對(duì)FPS類封裝產(chǎn)品外觀存在致命影響。

目前，為了去除晶圓印記的采用方法有：

方法一，通過(guò)用高目數(shù)的砂紙對(duì)塑封體表面進(jìn)行手工打磨；此方法存在的技術(shù)問(wèn)題有：⑴因手動(dòng)進(jìn)行作業(yè)，對(duì)塑封體打磨后的厚度沒(méi)有辦法進(jìn)行精確控制，會(huì)造成產(chǎn)品厚度不一，影響產(chǎn)品最終成像質(zhì)量。⑵打磨后的產(chǎn)品表面極易被污染。⑶降低良率且成本上升。

方法二，通過(guò)機(jī)械砂輪打磨來(lái)去除晶圓印記；此方法存在的技術(shù)問(wèn)題有：⑴這種方法因?yàn)榇蚰r(shí)會(huì)在產(chǎn)品表面施加一個(gè)機(jī)械砂輪壓力，產(chǎn)品內(nèi)部容易受到損傷，而且表面也容易產(chǎn)生砂輪劃痕直接影響到產(chǎn)品品質(zhì)。⑵降低良率且成本上升。

方法三，通過(guò)增大離型膜的粗糙度值值來(lái)減輕晶圓印記；此方法存在的技術(shù)問(wèn)題有：此方法會(huì)使產(chǎn)品封裝表面晶圓印記程度減小，但塑封體表面粗糙度值也會(huì)相應(yīng)增加，這樣對(duì)塑封體表面也起不到根本有效的改善。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

綜上所述，本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有FPS類封裝產(chǎn)品去除晶圓印記存在的技術(shù)不足，而提出一種平整封裝傳感器的工藝。

為解決本發(fā)明所提出的技術(shù)問(wèn)題，采用的技術(shù)方案為：一種平整封裝傳感器的工藝，采用環(huán)氧塑封料對(duì)傳感器芯片進(jìn)行封裝，環(huán)氧塑封料包含有填充劑和酚醛樹(shù)脂，其特征在于：所述的填充劑和酚醛樹(shù)脂分別占整個(gè)環(huán)氧塑封料重量百分比為：60～90%和7～18%；而填充劑主要成份為氧化鋁和SiO2，氧化鋁占填充劑的重量百分比分別為： 30%～45%，SiO2占填充劑的重量百分比分別為：55%～70%；

封裝步驟為：

首先將環(huán)氧塑封料加熱至140±10℃，等待環(huán)氧塑封料由固態(tài)變成膠，之后擠壓入模腔，將傳感器芯片包埋，同時(shí)交聯(lián)固化冷卻成型。

所述的環(huán)氧塑封料還包含有重量百分比為7～30%的環(huán)氧樹(shù)脂、0.5～1%的促進(jìn)劑、0~ 1%的脫膜劑、1～5%的阻燃劑、0~ 1%的著色劑、0.5～1%的偶聯(lián)劑、0～5%的應(yīng)力吸收劑和0~ 1%的聯(lián)接助劑。

所述的促進(jìn)劑的成份為：咪唑化合物、二氮雜雙環(huán)十一碳烯、季銨鹽、鏻或鉮化合化物；脫膜劑的成份為：硅氧烷化合物、硅油、硅樹(shù)脂甲基支鏈硅油、乳化甲基硅油或含氫甲基硅油；阻燃劑的成份為：三氧化二銻、氫氧化鎂或氫氧化鋁。

本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明從形成晶圓印記的原因方向入手，通過(guò)改變環(huán)氧塑封料中的填充劑的成份和玻璃化溫度值，避免形成影響傳感器表面平整度的晶圓印記，無(wú)需打磨，極大提升產(chǎn)品良率，提高產(chǎn)品可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1為采用現(xiàn)有工藝形成有晶圓印記的塑封體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明工藝形成的塑封體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和本發(fā)明優(yōu)選的具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的工藝作進(jìn)一步地說(shuō)明。

參照?qǐng)D2中所示，本發(fā)明同樣采用環(huán)氧塑封料對(duì)傳感器芯片進(jìn)行封裝，不同點(diǎn)在于環(huán)氧塑封料中的填充劑含量和填充劑的具體組份不同，本發(fā)明的環(huán)氧塑封料包含有填充劑和固化劑（酚醛樹(shù)脂），填充劑和酚醛樹(shù)脂分別占整個(gè)環(huán)氧塑封料重量百分比為：60～90%和7～18%；而填充劑主要成份為氧化鋁和SiO₂，氧化鋁占填充劑的重量百分比分別為：30%～45%，SiO₂占填充劑的重量百分比分別為：55%～70%；本發(fā)明主要是對(duì)填充劑比例做出了改進(jìn)，同時(shí)通過(guò)改變固化劑（酚醛樹(shù)脂）含量將玻璃化溫度優(yōu)選控制在140℃，從而使得環(huán)氧塑封料收縮率降至0.16，從而有效地解決環(huán)氧塑封料固化形成影響傳感器表面平整度的晶圓印記技術(shù)問(wèn)題，降低成本，提高散熱性能。

本發(fā)明環(huán)氧塑封料還包含有重量百分比為7～30%的環(huán)氧樹(shù)脂、0.5～1%的促進(jìn)劑、0~ 1%的脫膜劑、1～5%的阻燃劑、0~ 1%的著色劑、0.5～1%的偶聯(lián)劑、0～5%的應(yīng)力吸收劑和0~ 1%的聯(lián)接助劑。

其中，環(huán)氧樹(shù)脂的作用為有助于流動(dòng)成型；酚醛樹(shù)脂的作用為固化劑使用；促進(jìn)劑促進(jìn)環(huán)氧樹(shù)脂與固化劑反應(yīng)，例如可以采用：氯化亞錫、三氯化鐵、對(duì)氯代苯甲酸或2-巰醇基苯并噻唑；脫膜劑起到潤(rùn)滑，有利于脫模，例如可以采用：硅油、聚乙二醇或低分子量聚乙烯；阻燃劑起阻燃用，其具體成份可以為：三氧化二銻、氫氧化鎂或氫氧化鋁；著色劑的具體成份可以為：碳黑等，偶聯(lián)劑用于增加填充劑與樹(shù)脂的粘接，偶聯(lián)劑具體成份可以為：硅氧烷，氨基硅油等，應(yīng)力吸收劑用于吸收應(yīng)力和保護(hù)器件，應(yīng)力吸收劑的具體成份可以為：硅橡膠或硅凝膠粉末；聯(lián)接助劑用于增強(qiáng)粘接力，加速環(huán)氧樹(shù)脂與固化劑反應(yīng)。聯(lián)接助劑的具體成份可以為：氨化物，磷化物。

封裝步驟為：

首先將環(huán)氧塑封料加熱至140±10℃，優(yōu)選為140℃，等待環(huán)氧塑封料由固態(tài)變成膠，之后擠壓入模腔，將傳感器芯片包埋，同時(shí)交聯(lián)固化冷卻成型，采用本發(fā)明工藝形成的傳感器表面平整，無(wú)晶圓印記，無(wú)需打磨，極大提升產(chǎn)品良率，提高產(chǎn)品可靠性。