本發(fā)明涉及一種熱激發(fā)延遲熒光主體材料及其制備方法和應(yīng)用。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管由于其具有啟動(dòng)電壓低，發(fā)光效率高等優(yōu)點(diǎn)，因而引起了人們的廣泛的研究，作為第三代平面顯示和照明技術(shù)，有機(jī)電致發(fā)光二極管目前普遍采用磷光染料來構(gòu)建磷光電致發(fā)光，但由于磷光染料的構(gòu)建常伴有貴金屬存在，這就提高了制備成本，同時(shí)對環(huán)境也不夠友好。因此，人們迫切需要其它類型的染料替代磷光染料。而近期，被稱為第三代的有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)的熱激發(fā)延遲熒光技術(shù)，已經(jīng)取得了很大的研究進(jìn)展，熱激發(fā)延遲熒光染料可以通過自身三線態(tài)到單線態(tài)反向隙間竄躍使三線態(tài)激子轉(zhuǎn)化為單線態(tài)激子，進(jìn)而利用其發(fā)光，理論上可以實(shí)現(xiàn)100％的內(nèi)量子效率。用該類染料制備的器件，同樣具有較高的效率，可以和磷光器件相媲美，同時(shí)熱激發(fā)延遲熒光染料均為純有機(jī)化合物，制備成本低，對環(huán)境友好。熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料，為了實(shí)現(xiàn)高的器件效率，需要具備以下三點(diǎn)：1、具有較高的三線態(tài)能級，使能量很好的從主體傳遞給客體；2、良好的載流子傳輸能力，以提高器件電子的注入與傳輸性能；3、具有較弱的分子間作用力，防止主體分子間主客體分子間的強(qiáng)分子間相互作用引起的發(fā)射猝滅。通常，平面類熱激發(fā)延遲熒光染料分子由于其分子間具有較強(qiáng)的相互作用可以有效地促進(jìn)載流子傳輸能力，然而，由于其較強(qiáng)的分子間作用力也會促進(jìn)分子的聚集，這就會使發(fā)射猝滅，降低了器件效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是要解決現(xiàn)有的平面類熱激發(fā)延遲熒光染料分子易發(fā)生猝滅，導(dǎo)致器件效率低的技術(shù)問題，而提供基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料及其制備方法和應(yīng)用。

本發(fā)明的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的結(jié)構(gòu)式為其中R＝Cz或t-Cz；

當(dāng)R＝Cz時(shí)記為4CzDPDPA；

當(dāng)R＝t-Cz時(shí)記為4tCzDPDPA；

或者結(jié)構(gòu)式為其中R＝Cz或t-Cz；

當(dāng)R＝Cz時(shí)記為4CzDPDPSA；

當(dāng)R＝t-Cz時(shí)記為4tCzDPDPSA；

或者結(jié)構(gòu)式為其中R＝Cz或t-Cz；X＝S或O；Y＝S或O；

當(dāng)R＝Cz、X＝Y(jié)＝S時(shí)記為4CzDPDPS₂A；當(dāng)R＝t-Cz、X＝Y(jié)＝S時(shí)記為4tCzDPDPS₂A；

當(dāng)R＝Cz、X＝S、Y＝O時(shí)記為4CzDPDPSOA；當(dāng)R＝t-Cz、X＝S、Y＝O時(shí)記為4tCzDPDPSOA；

當(dāng)R＝Cz、X＝Y(jié)＝O時(shí)記為4CzDPDPO₂A；當(dāng)R＝t-Cz、X＝Y(jié)＝O時(shí)記為4tCzDPDPO₂A；

上述的Cz為基團(tuán)t-Cz為基團(tuán)

上述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的制備方法如下：

將鄰二溴苯的衍生物、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體干燥后，直接純化或者硫化/和氧化后再純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料；其中鄰二溴苯的衍生物為1,2-二溴-4,5-二咔唑苯或1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯。

本發(fā)明的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的結(jié)構(gòu)式還可以為：

其中R＝Cz或t-Cz；R’＝H或POPh₂；

當(dāng)R＝Cz、R’＝H時(shí)記為4CzPPDPO；當(dāng)R＝t-Cz、R’＝H時(shí)記為4tCzPPDPO；

當(dāng)R＝Cz、R’＝POPh₂時(shí)記為4CzPPTPO當(dāng)R＝t-Cz、R’＝POPh₂時(shí)4tCzPPTPO；

其中Cz為基團(tuán)t-Cz為基團(tuán)POPh₂為基團(tuán)

上述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的制備方法如下：

將鄰二溴苯的衍生物、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)；再加入二苯基氯化膦，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)；其中二苯基氯化膦與鄰二溴苯的衍生物的摩爾比為(1～1.5)：1；反應(yīng)完成后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體干燥后，再經(jīng)氧化、純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料；其中鄰二溴苯的衍生物為1,2-二溴-4,5-二咔唑苯或1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯。

上述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的應(yīng)用，是將其用于熱激發(fā)延遲熒光電致發(fā)光器件中。

利用基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料制備熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件的方法，按以下步驟實(shí)現(xiàn)：

一、將經(jīng)過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設(shè)為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫、厚度為100nm的陽極導(dǎo)電層；

二、在陽極導(dǎo)電層上蒸鍍材料為MoO₃、厚度為5～30nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(NPB)、厚度為40～70nm nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍材料為1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、厚度為5～20nm的電子阻擋層；

五、在電子阻擋層上繼續(xù)蒸鍍厚度為20～40nm的主體材料和客體材料作為發(fā)光層，其中發(fā)光層中客體材料摻雜的質(zhì)量濃度為5％～15％；其中主體材料為基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料；客體材料為2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-對苯二腈(4CzTPNPh)；

六、在發(fā)光層上蒸鍍材料為二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、厚度為5～20nm的空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、厚度為20～50nm的電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍材料為氟化鋰(LiF)、厚度為1～30nm的電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬鋁(Al)、厚度為100～200nm的陰極導(dǎo)電層，封裝，得到熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件。

本發(fā)明構(gòu)建了用于熱激發(fā)延遲熒光器件的基于膦雜芳基衍生物的主體材料，該材料是在芳基上引入磷原子以及進(jìn)一步硫化或/和氧化得到的穩(wěn)定的主體材料。選擇膦雜芳基衍生物作為主體材料，首先，作為含有膦原子-雜原子分子的材料，該主體分子具有較高的三線態(tài)能級，同時(shí)該類主體具有平面結(jié)構(gòu)，P＝O或P＝S基團(tuán)具有極化分子的作用，提高了分子的電子注入傳輸能力，使得該類分子材料具有良好的載流子傳輸能力，另一方面，該類分子通過其上的磷原子、及進(jìn)一步修飾(氧化及硫化)調(diào)節(jié)了分子的幾何構(gòu)型，進(jìn)而達(dá)到抑制分子間的相互作用，抑制猝滅，使主體材料在具有良好的載流子傳輸能力同時(shí)還能有效抑制分子間的聚集。從而有效地提高了熱激發(fā)延遲熒光器件的效率?？傊?，本發(fā)明中膦雜芳基衍生物主體材料用于電致發(fā)光器件包含以下優(yōu)點(diǎn)：

1、保持較高的三線態(tài)能級，保證能量從主體到客體的有效傳遞。

2、提高電致發(fā)光器件材料的載流子注入和傳輸能力，基于膦雜芳基衍生物主體材料制備的電致發(fā)光器件將啟亮電壓降低到3.5～4.2V，具有良好的熱力學(xué)穩(wěn)定性，裂解溫度為312℃-454℃，同時(shí)提高了有機(jī)電致發(fā)光材料的發(fā)光效率和亮度，本發(fā)明主要應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光二極管器件中。

附圖說明

圖1是實(shí)施例一合成的4CzDPDPA紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4CzDPDPA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4CzDPDPA/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖2是實(shí)施例一合成的4CzDPDPA的熱重分析譜圖；

圖3是實(shí)施例二合成的化合物4CzDPDPSA紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4CzDPDPSA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4CzDPDPSA/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖4是實(shí)施例二合成的4CzDPDPSA的熱重分析譜圖；

圖5是實(shí)施例三合成的化合物4CzDPDPS₂A紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4CzDPDPS₂A/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4CzDPDPS₂A/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖6是實(shí)施例三合成的4CzDPDPS₂A的熱重分析譜圖；

圖7是實(shí)施例四合成的化合物4CzDPDPSOA紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4CzDPDPSOA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4CzDPDPSOA/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖8是實(shí)施例四合成的4CzDPDPSOA的熱重分析譜圖；

圖9是實(shí)施例五合成的化合物4CzDPDPO₂A紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4CzDPDPO₂A/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4CzDPDPO₂A/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖10是實(shí)施例五合成的4CzDPDPO₂A的熱重分析譜圖；

圖11是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線，其中用■表示4CzDPDPA，用●表示4CzDPDPSA，用▲表示4CzDPDPS₂A，用▼表示4CzDPDPSOA，用◆表示4CzDPDPO₂A；

圖12是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線，其中用■表示4CzDPDPA，用●表示4CzDPDPSA，用▲表示4CzDPDPS₂A，用▼表示4CzDPDPSOA，用◆表示4CzDPDPO₂A；

圖13是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線，其中用■表示4CzDPDPA，用●表示4CzDPDPSA，用▲表示4CzDPDPS₂A，用▼表示4CzDPDPSOA，用◆表示4CzDPDPO₂A；

圖14是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-功率效關(guān)系曲線，其中用■表示4CzDPDPA，用●表示4CzDPDPSA，用▲表示4CzDPDPS₂A，用▼表示4CzDPDPSOA，用◆表示4CzDPDPO₂A；

圖15是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-外量子效率關(guān)系曲線，其中用■表示4CzDPDPA，用●表示4CzDPDPSA，用▲表示4CzDPDPS₂A，用▼表示4CzDPDPSOA，用◆表示4CzDPDPO₂A；

圖16是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的電致發(fā)光光譜，其中用■表示4CzDPDPA，用●表示4CzDPDPSA，用▲表示4CzDPDPS₂A，用▼表示4CzDPDPSOA，用◆表示4CzDPDPO₂A；

圖17是實(shí)施例六合成的化合物4tCzDPDPA紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4tCzDPDPA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4tCzDPDPA/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖18是實(shí)施例六合成的4tCzDPDPA的熱重分析譜圖；

圖19是實(shí)施例七合成的化合物4tCzDPDPSA紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4tCzDPDPSA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4tCzDPDPSA/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖20是實(shí)施例七合成的4tCzDPDPSA的熱重分析譜圖；

圖21是實(shí)施例八合成的化合物4tCzDPDPS₂A紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4tCzDPDPS₂A/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4tCzDPDPS₂A/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖22是實(shí)施例八合成的4tCzDPDPS₂A的熱重分析譜圖；

圖23是實(shí)施例九合成的化合物4tCzDPDPSOA紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4tCzDPDPSOA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4tCzDPDPSOA/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖24是實(shí)施例九合成的4tCzDPDPSOA的熱重分析譜圖；

圖25是實(shí)施例十合成的化合物4tCzDPDPO₂A紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4tCzDPDPO₂A/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4tCzDPDPO₂A/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖26是實(shí)施例十合成的4tCzDPDPO₂A的熱重分析譜圖；

圖27是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線，其中用□表示4tCzDPDPA，用○表示4tCzDPDPSA，用△表示4tCzDPDPS₂A，用▽表示4tCzDPDPSOA，用◇表示4tCzDPDPO₂A；

圖28是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線，其中用□表示4tCzDPDPA，用○表示4tCzDPDPSA，用△表示4tCzDPDPS₂A，用▽表示4tCzDPDPSOA，用◇表示4tCzDPDPO₂A；

圖29是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線，其中用□表示4tCzDPDPA，用○表示4tCzDPDPSA，用△表示4tCzDPDPS₂A，用▽表示4tCzDPDPSOA，用◇表示4tCzDPDPO₂A；

圖30是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-功率效率關(guān)系曲線，其中用□表示4tCzDPDPA，用○表示4tCzDPDPSA，用△表示4tCzDPDPS₂A，用▽表示4tCzDPDPSOA，用◇表示4tCzDPDPO₂A；

圖31是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-外量子效率關(guān)系曲線，其中用□表示4tCzDPDPA，用○表示4tCzDPDPSA，用△表示4tCzDPDPS₂A，用▽表示4tCzDPDPSOA，用◇表示4tCzDPDPO₂A；

圖32是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的電致發(fā)光光譜，其中用□表示4tCzDPDPA，用○表示4tCzDPDPSA，用△表示4tCzDPDPS₂A，用▽表示4tCzDPDPSOA，用◇表示4tCzDPDPO₂A。

圖33是實(shí)施例十一合成的4CzPPDPO紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4CzPPDPO/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4CzPPDPO/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖34是實(shí)施例十一合成的4CzPPDPO的熱重分析譜圖；

圖35是實(shí)施例十二合成的化合物4CzPPTPO紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4Cz DPDPSA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4CzPPTPO/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖36是實(shí)施例十二合成的4CzPPTPO的熱重分析譜圖；

圖37是實(shí)施例十三合成的化合物4tCzPPDPO紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPS₂A/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4tCzPPDPO/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖38是實(shí)施例十三合成的4tCzPPDPO的熱重分析譜圖；

圖39是實(shí)施例十四合成的化合物4tCzPPTPO紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示4tCzPPTPO/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示4tCzPPTPO/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖40是實(shí)施例十四合成的4tCzPPTPO的熱重分析譜圖；

圖41是應(yīng)用實(shí)施例三的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線，其中用■表示4CzPPDPO，用●表示4CzPPTPO，用▲表示4tCzPPDPO，用▼表示4tCzPPTPO；

圖42是應(yīng)用實(shí)施例三的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線，其中用■表示4CzPPDPO，用●表示4CzPPTPO，用▲表示4tCzPPDPO，用▼表示4tCzPPTPO；

圖43是應(yīng)用實(shí)施例三的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線，其中用■表示4CzPDPA，用●表示4CzPPTPO，用▲表示4tCzPPDPO，用▼表示4tCzPPTPO；

圖44是應(yīng)用實(shí)施例三的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-功率效關(guān)系曲線，其中用■表示4CzPPDPO，用●表示4CzPPTPO，用▲表示4tCzPPDPO，用▼表示4tCzPPTPO；

圖45是應(yīng)用實(shí)施例三的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-外量子效率關(guān)系曲線，其中用■表示4CzPPDPO，用●表示4CzPPTPO，用▲表示4tCzPPDPO，用▼表示4Cz DPDPSOA；

圖46是應(yīng)用實(shí)施例三的熱激發(fā)延遲熒光器件的電致發(fā)光光譜，其中用■表示4CzPPDPO，用●表示4CzPPTPO，用▲表示4tCzPPDPO，用▼表示4tCzPPTPO。

具體實(shí)施方式

具體實(shí)施方式一：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的結(jié)構(gòu)式為其中R＝Cz或t-Cz；

當(dāng)R＝Cz時(shí)記為4CzDPDPA；

當(dāng)R＝t-Cz時(shí)記為4tCzDPDPA；

或者結(jié)構(gòu)式為其中R＝Cz或t-Cz；

當(dāng)R＝Cz時(shí)記為4CzDPDPSA；

當(dāng)R＝t-Cz時(shí)記為4tCzDPDPSA；

或者結(jié)構(gòu)式為其中R＝Cz或t-Cz；X＝S或O；Y＝S或O；

當(dāng)R＝Cz、X＝Y(jié)＝S時(shí)記為4CzDPDPS₂A；當(dāng)R＝t-Cz、X＝Y(jié)＝S時(shí)記為4tCzDPDPS₂A；

當(dāng)R＝Cz、X＝S、Y＝O時(shí)記為4CzDPDPSOA；當(dāng)R＝t-Cz、X＝S、Y＝O時(shí)記為4tCzDPDPSOA；

當(dāng)R＝Cz、X＝Y(jié)＝O時(shí)記為4CzDPDPO₂A；當(dāng)R＝t-Cz、X＝Y(jié)＝O時(shí)記為4tCzDPDPO₂A；

上述的Cz為基團(tuán)t-Cz為基團(tuán)

具體實(shí)施方式二：具體實(shí)施方式一所述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的制備方法如下：

將鄰二溴苯的衍生物、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體干燥后，直接純化或者硫化/和氧化后再純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料；其中鄰二溴苯的衍生物為1,2-二溴-4,5-二咔唑苯或1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯。

具體實(shí)施方式三：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式二不同的是所述的硫化過程是：向有機(jī)層液體中加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行反應(yīng)0.5～2小時(shí)，完成硫化。其它與具體實(shí)施方式二相同。

具體實(shí)施方式四：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式二或三不同的是所述的氧化的過程是：向有機(jī)層液體中加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行反應(yīng)0.5～2小時(shí)，完成氧化。其它與具體實(shí)施方式二或三相同。

具體實(shí)施方式五：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPA的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，以石油醚和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPA；其中1,2-二溴-4,5-二咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml。

具體實(shí)施方式六：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSA的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)0.5～2小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSA；其中1,2-二溴-4,5-二咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：2。

具體實(shí)施方式七：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPS₂A的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1～2小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPS₂A；其中1,2-二溴-4,5-二咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：1。

具體實(shí)施方式八：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSOA的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1～2小時(shí)；再加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSOA；其中1,2-二溴-4,5-二咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：2；加入的H₂O₂與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比(10～15)：1。

具體實(shí)施方式九：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPO₂A的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPO₂A；其中1,2-二溴-4,5-二咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的H₂O₂與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比(20～25)：1。

具體實(shí)施方式十：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPA的合成方法如下：

將1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，以石油醚和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPA；其中1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml。

具體實(shí)施方式十一：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSA的合成方法如下：

將1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)0.5～2小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSA；其中1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：2

具體實(shí)施方式十二：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPS₂A的合成方法如下：

將1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1～2小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPS₂A；其中1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：1。

具體實(shí)施方式十三：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSOA的合成方法如下：

將1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1～2小時(shí)；再加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌、用二氯甲烷萃取、用無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSOA；其中1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：2；加入的H₂O₂與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比(10～15)：1；

具體實(shí)施方式十四：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPO₂A的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPO₂A；其中1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的H₂O₂與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比(20～25)：1。

具體實(shí)施方式十五：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的結(jié)構(gòu)式為：

其中R＝Cz或t-Cz；R’＝H或POPh₂；

當(dāng)R＝Cz、R’＝H時(shí)記為4CzPPDPO；當(dāng)R＝t-Cz、R’＝H時(shí)記為4tCzPPDPO；

當(dāng)R＝Cz、R’＝POPh₂時(shí)記為4CzPPTPO當(dāng)R＝t-Cz、R’＝POPh₂時(shí)4tCzPPTPO；

其中Cz為基團(tuán)t-Cz為基團(tuán)POPh₂為基團(tuán)

具體實(shí)施方式十六：具體實(shí)施方式十五所述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的制備方法如下：

將鄰二溴苯的衍生物、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)；再加入二苯基氯化膦，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)；其中二苯基氯化膦與鄰二溴苯的衍生物的摩爾比為(1～1.5)：1；反應(yīng)完成后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，再經(jīng)氧化、純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料；其中鄰二溴苯的衍生物為1,2-二溴-4,5-二咔唑苯或1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯。

具體實(shí)施方式十七：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式十六不同的是氧化的過程是：向有機(jī)層液體中加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行反應(yīng)0.5～2小時(shí)，完成氧化。其它與具體實(shí)施方式十六相同。

具體實(shí)施方式十八：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzPPDPO的制備方法如下：

基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzPPDPO的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，按照二苯基氯化膦與1,2-二溴-4,5-二咔唑苯的摩爾比為(1～1.5)：1加入二苯基氯化膦，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，向有機(jī)層中加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去二氯甲烷溶劑，以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzPPDPO；其中1,2-二溴-4,5-二咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml。

具體實(shí)施方式十八：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzPPTPO的制備方法如下：

基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzPPTPO的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)；再按照二苯基氯化膦與1,2-二溴-4,5-二咔唑苯的摩爾比為(1.6～3)：1加入二苯基氯化膦，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，向有機(jī)層中加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，再用二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzPPTPO；其中1,2-二溴-4,5-二咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml。

具體實(shí)施方式十九：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzPPDPO的制備方法如下：

基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzPPDPO的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，按照二苯基氯化膦與1,2-二溴-4,5-二咔唑叔丁基苯的摩爾比為(1～1.5)：1加入二苯基氯化膦，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，向有機(jī)層中加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，再用二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzPPDPO；其中1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；

具體實(shí)施方式二十：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzPPTPO的制備方法如下：

基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzPPTPO的合成方法如下：將1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例混于四氫呋喃加入反應(yīng)器中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)；再按照二苯基氯化膦與1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯的摩爾比為(1.6～3)：1加入二苯基氯化膦，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，向有機(jī)層中加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzPPTPO；其中1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml。

具體實(shí)施方式二十一：具體實(shí)施方式一所述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的應(yīng)用，是將其用于熱激發(fā)延遲熒光電致發(fā)光器件中。

具體實(shí)施方式二十二：利用基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料制備熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件的方法，按以下步驟實(shí)現(xiàn)：

一、將經(jīng)過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設(shè)為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫、厚度為100nm的陽極導(dǎo)電層；

二、在陽極導(dǎo)電層上蒸鍍材料為MoO₃、厚度為5～30nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(NPB)、厚度為40～70nm nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍材料為1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、厚度為5～20nm的電子阻擋層；

五、在電子阻擋層上繼續(xù)蒸鍍厚度為20～40nm的主體材料和客體材料作為發(fā)光層，其中發(fā)光層中客體材料摻雜的質(zhì)量濃度為5％～15％；其中主體材料為基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料；客體材料為2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-對苯二腈(4CzTPNPh)；

六、在發(fā)光層上蒸鍍材料為二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、厚度為5～20nm的空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、厚度為20～50nm的電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍材料為氟化鋰(LiF)、厚度為1～30nm的電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬鋁(Al)、厚度為100～200nm的陰極導(dǎo)電層，封裝，得到熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件。

用以下實(shí)施例驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果：

實(shí)施例一：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPA的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

一、將1mmol 1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、1mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰加入到盛有20ml的THF的50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃條件下攪拌2小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，有機(jī)層液體用無水NaSO₄干燥后，減壓蒸餾除去二氯甲烷溶劑，再以石油醚與二氯甲烷的體積比6:1的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到4CzDPDPA。

本實(shí)施例制備的4CzDPDPA，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1028.32(100.0％),1029.32(79.4％),1030.33(30.3％),1031.33(7.7％),1032.33(1.5％),1030.32(1.2％)；GC-MS:m/z(％):1028(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₇₂H₄₆N₄P₂:C,84.03；H,4.51；N,5.44。從而可知4CzDPDPA的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPA的紫外熒光光譜譜圖如圖1所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPA的熱重分析譜圖如圖2所示，由圖2可知4CzDPDPA的裂解溫度達(dá)312℃。

實(shí)施例二：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSA的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

一、將1mmol1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰加入到裝有20ml的THF的50ml的三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌2小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，向有機(jī)層液體中加入0.4mmol硫粉，在20℃條件下攪拌0.5小時(shí)進(jìn)行硫化，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSA。

本實(shí)施例制備的4CzDPDPSA，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1060.29(100.0％),1061.30(78.4％),1062.30(30.3％),1063.30(8.4％),1062.29(6.3％),1063.29(3.6％),1061.29(2.3％),1064.31(1.4％),1064.29(1.4％)；GC-MS:m/z(％):1061(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₇₂H₄₆N₄P₂S:C,81.49；H,4.37；N,5.28；S,3.02。從而可知，4CzDPDPSA的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSA的紫外熒光光譜譜圖如圖3所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSA的熱重分析譜圖如圖4所示，由圖4可知4CzDPDPSA的裂解溫度達(dá)362℃。

實(shí)施例三：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPS₂A的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

一、將1mmol 1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入0.6mmol硫粉，在溫度為20℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPS₂A。

本實(shí)施例制備的4tCzPPDPO，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1092.26(100.0％),1093.27(78.4％),1094.27(31.6％),1094.26(10.2％),1095.27(8.5％),1095.26(7.3％),1093.26(3.1％),1096.27(3.0％),1096.28(1.4％)；GC-MS:m/z(％):1093(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₇₂H₄₆N₄P₂S₂:C,79.10；H,4.24；N,5.12；S,5.87。從而可知，4CzDPDPS₂A的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPS₂A的紫外熒光光譜譜圖如圖5所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPS₂A的熱重分析譜圖如圖6所示，由圖6可知4CzDPDPS₂A的裂解溫度達(dá)367℃。

實(shí)施例四：本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSOA的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

將1mmol 1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌1～3小時(shí)后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入0.35mmol硫粉，在溫度為20℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1小時(shí)；再加入12mmolH₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSOA；

本實(shí)施例制備的4CzDPDPSOA，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1076.29(100.0％),1077.29(79.2％),1078.29(31.9％),1079.30(7.7％),1078.28(4.5％),1079.29(4.4％),1080.30(1.6％),1080.29(1.5％),1077.28(1.5％)；GC-MS:m/z(％):1077(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₇₂H₄₆N₄OP₂S:C,80.28；H,4.30；N,5.20；O,1.49；S,2.98。從而可知，本實(shí)施例制備的4CzDPDPSOA的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSOA的紫外熒光光譜譜圖如圖7所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPSOA的熱重分析譜圖如圖8所示，由圖8可知本實(shí)施例的4CzDPDPSOA的裂解溫度達(dá)377℃。

實(shí)施例五：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPO₂A的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

一、將1mmol 1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，加入25mmol的H₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到4CzDPDPO₂A。

本實(shí)施例制備的4CzDPDPO₂A，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1060.31(100.0％),1061.31(79.4％),1062.32(30.4％),1063.32(8.1％),1064.32(1.7％),1062.31(1.6％)；GC-MS:m/z(％):1061(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₇₂H₄₆N₄O₂P₂:C,81.50；H,4.37；N,5.28；O,3.02。從而可知4CzDPDPO₂A的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPO₂A的紫外熒光光譜譜圖如圖9所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPO₂A的熱重分析譜圖如圖10所示，由圖10可知4CzDPDPO₂A的裂解溫度達(dá)405℃。

應(yīng)用實(shí)施例一：將實(shí)施例一至五制備的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzDPDPA、4CzDPDPSA、4CzDPDPS₂A、4CzDPDPSOA、4CzDPDPO₂A分別用于制備電致發(fā)光器件，具體按以下步驟進(jìn)行：

一、將經(jīng)過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設(shè)為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫，厚度為100nm的陽極導(dǎo)電層；

二、在陽極導(dǎo)電層上蒸鍍材料為MoO₃，厚度為20nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為NPB，厚度為50nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍材料為mCP，厚度為10nm的電子阻擋層；

五、在電子阻擋層上繼續(xù)蒸鍍厚度為30nm的主體材料(基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料)和客體材料客體材料為2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-對苯二腈(4CzTPNPh)；

六、在發(fā)光層上蒸鍍材料為DPEPO，厚度為15nm的空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍材料為Bphen，厚度為40nm的電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍材料為LiF，厚度為20nm的電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬Al，厚度為150nm的陰極導(dǎo)電層，封裝，得到熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件。

本應(yīng)用實(shí)施例制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線如圖11所示。其中的■表示4CzDPDPA，●表示4CzDPDPSA，▲表示4CzDPDPS₂A，▼表示4CzDPDPSOA，◆表示4CzDPDPO₂A。從圖11可以看出，隨著電壓的升高，器件的電流密度都呈現(xiàn)出升高的趨勢。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線如圖12所示，其中的■表示4CzDPDPA，●表示4CzDPDPSA，▲表示4CzDPDPS₂A，▼表示4CzDPDPSOA，◆表示4CzDPDPO₂A。由此圖可知以4CzDPDPA制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.6V，以4CzDPDPSA制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.6V，以4CzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.6V，以4CzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.7V，以4CzDPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.7V。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線如圖13所示，其中的■表示4CzDPDPA，●表示4CzDPDPSA，▲表示4CzDPDPS₂A，▼表示4CzDPDPSOA，◆表示4CzDPDPO₂A。從圖中可以看出，由此圖可知以4CzDPDPA制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為17.2cd·A^-1，以4CzDPDPSA制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為11.6cd·A^-1，以4CzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為7.1cd·A^-1，以4CzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為6.5cd·A^-1，以4CzDPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為7.7cd·A^-1。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關(guān)系曲線如圖14所示，其中的■表示4CzDPDPA，●表示4CzDPDPSA，▲表示4CzDPDPS₂A，▼表示4CzDPDPSOA，◆表示4Cz DPDPO₂A。由此圖可知以4Cz DPDPA制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為10lm·W^-1，以4Cz DPDPSA制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為10.4lm·W^-1，以4CzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為3.9lm·W^-1，以4CzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為3.6lm·W^-1，以4CzDPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為4.2lm·W^-1。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-外量子效率關(guān)系曲線如圖15所示，其中■表示4CzDPDPA，●表示4CzDPDPSA，▲表示4CzDPDPS₂A，▼表示4CzDPDPSOA，◆表示4CzDPDPO₂A，由此圖可知以4CzDPDPA制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率6.1％，以4CzDPDPSA制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率6.3％，以4CzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率3.9％，以4CzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率3.6％，以4CzDPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的的最大外量子效率4.2％。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖16所示，■表示4CzDPDPA，●表示4CzDPDPSA，▲表示4CzDPDPS₂A，▼表示4CzDPDPSOA，◆表示4CzDPDPO₂A，由此圖可知以4CzDPDPA制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在602nm處、以4CzDPDPSA制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在599nm處、以4CzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在596nm處、以4CzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在603nm處，以4CzDPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在601nm處。

實(shí)施例六：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPA的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

一、將1mmol 1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、1mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰加入到盛有20ml的THF的50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃條件下攪拌2小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，有機(jī)層液體用無水NaSO₄干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去二氯甲烷溶劑，再以石油醚與二氯甲烷的體積比6:1的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到4tCzDPDPA。

本實(shí)施例制備的4tCzDPDPA，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：

m/z:1477.82(100.0％),1476.82(87.7％),1478.83(56.2％),1479.83(20.9％),1480.83(5.8％),1478.82(1.5％),1481.84(1.2％),1477.83(1.1％)；GC-MS:m/z(％):1478(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₁₀₄H₁₁₀N₄P₂:C,84.52；H,7.50；N,3.79。從而可知4tCzDPDPA的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPA的紫外熒光光譜譜圖如圖17所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPA的熱重分析譜圖如圖18所示，由圖18可知4tCzDPDPA的裂解溫度達(dá)317℃。

實(shí)施例七：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSA的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

二、將1mmol 1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰加入到裝有20ml的THF的50ml的三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌2小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，向有機(jī)層液體中加入0.3mmol硫粉，在20℃條件下攪拌0.5小時(shí)進(jìn)行硫化，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSA。

本實(shí)施例制備的4tCzDPDPSA，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1509.80(100.0％),1508.79(87.9％),1510.80(57.1％),1511.80(21.5％),1512.81(5.8％),1510.79(5.5％),1511.79(4.6％),1512.80(3.0％),1509.79(2.0％),1513.81(1.3％),1513.80(1.0％)；GC-MS:m/z(％):1510(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₁₀₄H₁₁₀N₄P₂S:C,82.72；H,7.34；N,3.71；S,2.12。從而可知，4tCzDPDPSA的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSA的紫外熒光光譜譜圖如圖19所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSA的熱重分析譜圖如圖20所示，由圖20可知4tCzDPDPSA的裂解溫度達(dá)368℃。

實(shí)施例八：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPS₂A的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

二、將1mmol 1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入0.6mmol硫粉，在溫度為20℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPS₂A。

本實(shí)施例制備的4tCzDPDPS₂A，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1541.77(100.0％),1540.76(87.9％),1542.77(59.4％),1543.77(22.1％),1543.76(9.2％),1542.76(8.0％),1544.78(5.8％),1544.77(5.7％),1541.76(2.7％),1545.77(1.9％),1545.78(1.4％)；GC-MS:m/z(％):1542(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₁₀₄H₁₁₀N₄P₂S₂:C,81.00；H,7.19；N,3.63；S,4.16。從而可知，4tCzDPDPS₂A的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPS₂A的紫外熒光光譜譜圖如圖21所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPS₂A的熱重分析譜圖如圖22所示，由圖22可知4tCzDPDPS₂A的裂解溫度達(dá)380℃。

實(shí)施例九：本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSOA的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

將1mmol1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌2小時(shí)后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入0.35mmol硫粉，在溫度為20℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1小時(shí)；再加入12mmolH₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，再旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSOA；

本實(shí)施例制備的4tCzDPDPSOA，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1525.79(100.0％),1524.79(87.3％),1526.79(57.1％),1527.80(21.0％),1528.80(6.0％),1527.79(5.8％),1526.78(4.0％),1528.79(2.9％),1529.80(1.4％),1525.78(1.3％),1526.80(1.3％)；GC-MS:m/z(％):1526(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₁₀₄H₁₁₀N₄OP₂S:C,81.85；H,7.27；N,3.67；O,1.05；S,2.10。從而可知，本實(shí)施例制備的4tCzDPDPSOA的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSOA的紫外熒光光譜譜圖如圖23所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPSOA的熱重分析譜圖如圖24所示，由圖8可知本實(shí)施例的4tCzDPDPSOA的裂解溫度達(dá)391℃。

實(shí)施例十：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPO₂A的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

二、將1mmol 1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，加入25mmol的H₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到4tCzDPDPO₂A。

本實(shí)施例制備的4tCzDPDPO₂A，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1509.81(100.0％),1508.81(87.7％),1510.82(56.3％),1511.82(21.4％),1512.82(6.1％),1510.81(1.8％),1513.83(1.3％),1509.82(1.1％)；GC-MS:m/z(％):1509(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₁₀₄H₁₁₀N₄O₂P₂:C,82.72；H,7.34；N,3.71；O,2.12。從而可知4tCzDPDPO₂A的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPO₂A的紫外熒光光譜譜圖如圖25所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPO₂A的熱重分析譜圖如圖26所示，由圖26可知4tCzDPDPO₂A的裂解溫度達(dá)424℃。

應(yīng)用實(shí)施例二：將實(shí)施例一至五制備的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4tCzDPDPA、4tCzDPDPSA、4tCzDPDPS₂A、4tCzDPDPSOA、4tCzDPDPO₂A分別用于制備電致發(fā)光器件，具體按以下步驟進(jìn)行：

一、將經(jīng)過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設(shè)為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫，厚度為100nm的陽極導(dǎo)電層；

二、在陽極導(dǎo)電層上蒸鍍材料為MoO₃，厚度為20nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為NPB，厚度為50nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍材料為mCP，厚度為10nm的電子阻擋層；

五、在電子阻擋層上繼續(xù)蒸鍍厚度為30nm的主體材料(基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料)和客體材料4CzTPNPh(客體材料的摻雜濃度為14％)的發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上蒸鍍材料為DPEPO，厚度為15nm的空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍材料為Bphen，厚度為40nm的電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍材料為LiF，厚度為20nm的電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬Al，厚度為150nm的陰極導(dǎo)電層，封裝，得到熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件。

本應(yīng)用實(shí)施例制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線如圖27所示。其中的□表示4tCzDPDPA，○表示4tCzDPDPSA，△表示4tCzDPDPS₂A，▽表示4tCzDPDPSOA，◇表示4tCzDPDPO₂A。從圖27可以看出，隨著電壓的升高，器件的電流密度都呈現(xiàn)出升高的趨勢。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線如圖28所示，其中其中的□表示4tCzDPDPA，○表示4tCzDPDPSA，△表示4tCzDPDPS₂A，▽表示4tCzDPDPSOA，◇表示4tCzDPDPO₂A。由此圖可知以4tCzDPDPA制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.5V，以4tCzDPDPSA制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.5V，以4tCzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.6V，以4tCzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.6V，以4CzDPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為3.6V。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線如圖29所示，其中的□表示4tCzDPDPA，○表示4tCzDPDPSA，△表示4tCzDPDPS₂A，▽表示4tCzDPDPSOA，◇表示4tCzDPDPO₂A。從圖中可以看出,以4tCzDPDPA制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為7.4cd·A^-1，以4tCzDPDPSA制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為8.2cd·A^-1，以4tCzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為8.4cd·A^-1，以4tCzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為7.6cd·A^-1，以4tCz DPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為9.4cd·A^-1。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關(guān)系曲線如圖30所示，其中的□表示4tCzDPDPA，○表示4tCzDPDPSA，△表示4tCzDPDPS₂A，▽表示4tCzDPDPSOA，◇表示4tCzDPDPO₂A。由此圖可知以4tCz DPDPA制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為4.2lm·W^-1，以4tCzDPDPSA制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為5.6lm·W^-1，以4tCzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為6.6lm·W^-1，以4tCzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為3.6lm·W^-1，以4tCzDPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為7.9lm·W^-1。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-外量子效率關(guān)系曲線如圖31所示，其中□表示4tCzDPDPA，○表示4tCz DPDPSA，△表示4tCz DPDPS₂A，▽表示4tCz DPDPSOA，◇表示4tCz DPDPO₂A，由此圖可知以4tCzDPDPA制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率4.2％，以4tCzDPDPSA制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率4.5％，以4tCzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率4.6％，以4tCzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率4.1％，以4tCzDPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的的最大外量子效率5.1％。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖32所示，□表示4tCzDPDPA，○表示4tCzDPDPSA，△表示4tCzDPDPS₂A，▽表示4tCzDPDPSOA，◇表示4tCzDPDPO₂A，由此圖可知以4tCzDPDPA制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在596nm處、以4tCzDPDPSA制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在590nm處、以4tCzDPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在590nm處、以4tCzDPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在597nm處，以4tCzDPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在598nm處。

實(shí)施例十一：本實(shí)施方式本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzPPDPO的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

將1mmol1,2-二溴-4,5-二咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)；加入1.5mmol二苯基氯化膦，在溫度為78℃的條件下反應(yīng)3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，向有機(jī)層中加入12mmolH₂O_2，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去二氯甲烷溶劑，以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到4CzPPDPO。

本實(shí)施例制備的4CzPPDPO，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1138.36(100.0％),1139.36(85.0％),1140.36(36.9％),1141.37(9.9％),1142.37(2.2％),1139.35(1.5％)；GC-MS:m/z(％):1139(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₇₈H₅₂N₄O₂P₂:C,82.23；H,4.60；N,4.92；O,2.81。從而可知4CzPPDPO的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4CzPPDPO的紫外熒光光譜譜圖如圖33所示。

本實(shí)施例得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4CzPPDPO的熱重分析譜圖如圖34所示，由圖可知本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4CzPPDPO的裂解溫度達(dá)372℃。

實(shí)施例十二：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料4CzPPTPO的合成方法按下列步驟實(shí)現(xiàn)：

將1mmol 1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2.2mmol正丁基鋰加入到裝有25mlTHF的50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)后，再加入2.3mmol的二苯基氯化膦，反應(yīng)2小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，加入25mmol的H₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，再用二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去二氯甲烷溶劑，以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到4CzPPTPO。

本實(shí)施例制備的4CzPPTPO，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1338.40(100.0％),1339.40(98.2％),1340.40(49.0％),1341.41(15.3％),1342.41(3.9％),1339.39(1.5％),1341.40(1.3％)；GC-MS:m/z(％):1339(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₉₀H₆₁N₄O₃P₃:C,80.71；H,4.59；N,4.18；O,3.58。從而可知4CzPPTPO的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4CzPPTPO的紫外熒光光譜譜圖如圖35所示。

本實(shí)施例得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4CzPPTPO的熱重分析譜圖如圖36所示，由圖可知本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4CzPPTPO的裂解溫度達(dá)372℃。

實(shí)施例十三：本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4tCzPPDPO的合成方法按下列步驟實(shí)現(xiàn)：

將1mmol 1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、1.5mmol的苯基二氯化膦、2.1mmol正丁基鋰和25ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)后，再加入1.3mmol的二苯基氯化膦，反應(yīng)2小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，向有機(jī)層液體中加入25mmol的12mmolH₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，再用二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到4tCzPPDPO。

本實(shí)施例制備的4tCzPPDPO，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1587.86(100.0％),1586.86(83.1％),1588.86(60.1％),1589.87(23.5％),1590.87(7.1％),1591.87(1.7％),1588.87(1.3％),1589.86(1.3％),1587.85(1.2％)；GC-MS:m/z(％):1588(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₁₁₀H₁₁₆N₄O₂P₂:C,83.19；H,7.36；N,3.53；O,2.01。從而可知4tCzPPDPO的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4tCzPPDPO的紫外熒光光譜譜圖如圖37所示。

本實(shí)施例得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4tCzPPDPO的熱重分析譜圖如圖38所示，由圖可知本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4tCzPPDPO的裂解溫度達(dá)372℃。

實(shí)施例十四：本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4tCzPPTPO的合成方法按下列步驟實(shí)現(xiàn)：

將1mmol 1,2-二溴-4,5-二叔丁基咔唑苯、1.5mmol的苯基二氯化膦、2.1mmol正丁基鋰和25ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)后，加入2.8mmol的二苯基氯化膦，反應(yīng)2小時(shí)后，倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，向有機(jī)層中加入30mmol的H₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到4tCzPPTPO。

本實(shí)施例制備的4tCzPPTPO，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:1787.90(100.0％),1786.90(74.9％),1788.90(66.7％),1789.91(29.0％),1790.91(9.9％),1791.91(2.6％),1789.90(1.6％),1788.91(1.4％),1787.89(1.1％)；GC-MS:m/z(％):1788(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₁₂₂H₁₂₅N₄O₃P₃:C,81.94；H,7.05；N,3.13；O,2.68。從而可知4tCzPPTPO的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4tCzPPTPO的紫外熒光光譜譜圖如圖39所示。

本實(shí)施例得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4tCzPPTPO的熱重分析譜圖如圖40所示，由圖可知本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4tCzPPTPO的裂解溫度達(dá)372℃。

應(yīng)用實(shí)施例三：利用實(shí)施例十一至十四制備的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料4CzPPDPO、4CzPPTPO、4tCzPPDPO、4tCzPPTPO制備電致發(fā)光器件的方法，按以下步驟進(jìn)行：

一、將經(jīng)過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設(shè)為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫，厚度為100nm的陽極導(dǎo)電層；

二、在陽極導(dǎo)電層上蒸鍍材料為MoO₃，厚度為20nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為NPB，厚度為45nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍材料為mCP，厚度為10nm的電子阻擋層；

五、在電子阻擋層上繼續(xù)蒸鍍厚度為30nm主體(基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料)和客體(TADF客體材料4CzTPNPh，客體的摻雜濃度為5％～15％)；

六、在發(fā)光層上蒸鍍材料為DPEPO，厚度為10nm的空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍材料為BPhen，厚度為30nm的電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍材料為LiF，厚度為20nm的電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬Al，厚度為150nm的陰極導(dǎo)電層，封裝，得到熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件。

本應(yīng)用實(shí)施例以基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線如圖41所示，其中的■表示4CzPPDPO、●表示4CzPPTPO、▲表示4tCzPPDPO、▼4tCzPPTPO表示。

本實(shí)施例以基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料制備的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線如圖42所示，其中的■表示4CzPPDPO、●表示4CzPPTPO、▲表示4tCzPPDPO、▼表示4tCzPPTPO，從圖42可以看出，以4CzPPDPO制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為4.1V，以4CzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為4.2V，以4tCzPPDPO制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為4.1V，以4tCzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為4.2V。

本實(shí)施例以基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料制備的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線如圖43所示，其中的■表示4CzPPDPO、●表示4CzPPTPO、▲表示4tCzPPDPO、▼表示4tCzPPTPO，由此圖可知，以4CzPPDPO制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值20.6cd·A^-1，以4CzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的的電流效率達(dá)到最大值16.5cd·A^-1，以4tCzPPDPO制備的電致發(fā)光器件的的電流效率達(dá)到最大值20cd·A^-1，以4tCzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的的電流效率達(dá)到最大值9.1cd·A^-1。

本實(shí)施例以基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料制備的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關(guān)系曲線如圖44所示，其中的■表示4CzPPDPO、●表示4CzPPTPO、▲表示4tCzPPDPO、▼表示4tCzPPTPO，由此圖可知以4CzPPDPO制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值14.7lm·W^-1，以4CzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值10.3lm·W^-1，以4tCzPPDPO制備的電致發(fā)光器件功率效率達(dá)到最大值14.4lm·W^-1，，以4tCzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值5.7lm·W^-1。

本實(shí)施例以基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料制備的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關(guān)系曲線如圖45所示，其中的■表示4CzPPDPO、●表示4CzPPTPO、▲表示4tCzPPDPO、▼表示4tCzPPTPO。由此圖可知以4CzPPDPO制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率11.5％，以4CzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的的最大外量子效率9.4％，以4tCzPPDPO制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率11.1％，以4tCzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率5.1％。

本實(shí)施例以基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖46所示，其中■表示4CzPPDPO、●表示4CzPPTPO、▲表示4tCzPPDPO、▼表示4tCzPPTPO，由此圖可知4CzPPDPO制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在615nm處，以4CzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在596nm處，以4tCzPPDPO制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在52nm處以4tCzPPTPO制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在582nm處。