本發(fā)明涉及含氟醚化合物、磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑以及磁記錄介質(zhì)。本技術(shù)基于2023年3月7日在日本技術(shù)的特愿2023-034983號(hào)來(lái)主張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援用到本文中。

背景技術(shù)：

1、為了使磁記錄再生裝置的記錄密度提高，適于高記錄密度的磁記錄介質(zhì)的開發(fā)進(jìn)展。

2、以往，作為磁記錄介質(zhì)，有在基板上形成記錄層，在記錄層上形成了碳等的保護(hù)層的磁記錄介質(zhì)。保護(hù)層保護(hù)被記錄于記錄層的信息，并且提高磁頭的滑動(dòng)性。然而，僅在記錄層上設(shè)置保護(hù)層，不能充分獲得磁記錄介質(zhì)的耐久性。因此，一般而言，在保護(hù)層的表面涂布潤(rùn)滑劑而形成潤(rùn)滑層。

3、作為在形成磁記錄介質(zhì)的潤(rùn)滑層時(shí)所使用的潤(rùn)滑劑，提出了例如，含有在具有包含-cf2-的重復(fù)結(jié)構(gòu)的氟系的聚合物的末端具有羥基、氨基等極性基的化合物的潤(rùn)滑劑。

4、例如，作為潤(rùn)滑劑，已知具有具有多個(gè)羥基且羥基間的最短距離相距3原子以上的末端部分的取代基的全氟聚醚化合物(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

5、此外，已知含有具有芳香族基和羥基的氟聚醚化合物的潤(rùn)滑劑(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。此外，在專利文獻(xiàn)2中記載了在末端經(jīng)由亞苯基而結(jié)合了酰胺基的式(1)所示的化合物。

6、此外，在專利文獻(xiàn)3中，公開了使用具有多個(gè)全氟聚醚基、具有至少1個(gè)羥基的末端基、由具有至少1個(gè)羥基的烴基構(gòu)成的連結(jié)基的氟聚醚化合物作為潤(rùn)滑劑。

7、此外，在專利文獻(xiàn)4中公開了在全氟聚醚鏈的兩末端連結(jié)有具有極性基的2價(jià)連結(jié)基，在其至少一者結(jié)合有碳原子數(shù)1～8的鏈狀有機(jī)基的1個(gè)以上氫被具有酰胺鍵的基團(tuán)取代了的末端基的含氟醚化合物。

8、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

9、專利文獻(xiàn)

10、專利文獻(xiàn)1：日本專利第4632144號(hào)公報(bào)(b)

11、專利文獻(xiàn)2：日本特開2013-163667號(hào)公報(bào)(a)

12、專利文獻(xiàn)3：日本專利第6763980號(hào)公報(bào)(b)

13、專利文獻(xiàn)4：國(guó)際公開第2019/039265號(hào)(a)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、在磁記錄再生裝置中，要求使磁頭的上浮量更小。因此，要求使磁記錄介質(zhì)中的潤(rùn)滑層的厚度更薄。

3、然而，一般而言如果使?jié)櫥瑢拥暮穸缺。瑒t具有磁記錄介質(zhì)的耐化學(xué)物質(zhì)性和耐磨損性降低的傾向。此外，如果使?jié)櫥瑢拥暮穸缺。瑒t有時(shí)磁記錄介質(zhì)的耐腐蝕性變得不充分。因此，要求具有優(yōu)異的耐化學(xué)物質(zhì)性和耐磨損性，磁記錄介質(zhì)的腐蝕抑制效果高的潤(rùn)滑層。

4、本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，其目的在于提供可以形成具有優(yōu)異的耐化學(xué)物質(zhì)性和耐磨損性，磁記錄介質(zhì)的腐蝕抑制效果高的潤(rùn)滑層，可以作為磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑的材料而適合使用的含氟醚化合物。

5、此外，本發(fā)明的課題在于提供，可以形成包含本發(fā)明的含氟醚化合物，耐化學(xué)物質(zhì)性和耐磨損性良好，并且具有優(yōu)異的耐腐蝕性的潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑。

6、此外，本發(fā)明的目的在于提供，具有包含本發(fā)明的含氟醚化合物的潤(rùn)滑層的、耐化學(xué)物質(zhì)性和耐磨損性良好，具有優(yōu)異的耐腐蝕性的磁記錄介質(zhì)。

7、用于解決課題的手段

8、本發(fā)明涉及以下事項(xiàng)。

9、[1]一種含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示。

10、r1-o-r2-ch2-r3-ch2-r4-o-r5(1)

11、(在式(1)中，r3為全氟聚醚鏈。r2和r4為具有1個(gè)以上極性基的2價(jià)連結(jié)基，可以相同也可以不同。r1和r5為下述式(2)所示的末端基、下述式(3)所示的末端基或氫原子，r1和r5可以相同，也可以各自不同。r1和r5之中的至少一者為下述式(2)或式(3)所示的末端基。)

12、

13、(在式(2)中，x1為碳原子數(shù)1～30的亞烷基。y和z各自獨(dú)立地為可以包含極性基或醚氧原子的碳原子數(shù)1～30的脂肪族基。y與z可以彼此結(jié)合而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。)

14、(在式(3)中，x2為碳原子數(shù)1～30的亞烷基。a和b各自獨(dú)立地為可以包含極性基或醚氧原子的碳原子數(shù)1～30的脂肪族基。a與b可以彼此結(jié)合而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。)

15、[2]根據(jù)[1]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r5各自獨(dú)立地為上述式(2)或式(3)所示的末端基。

16、[3]根據(jù)[2]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r5相同。

17、[4]根據(jù)[2]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r5不同。

18、[5]根據(jù)[1]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r5中的一者為上述式(2)或式(3)所示的末端基，另一者為氫原子。

19、[6]根據(jù)[1]～[5]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的-r2-o-和-r4-o-各自獨(dú)立地由下述式(4)表示。

20、

21、(在式(4)中，l表示1～3的整數(shù)。l個(gè)m各自獨(dú)立地表示1～6的整數(shù)。l個(gè)n各自獨(dú)立地表示1～6的整數(shù)。在1個(gè)重復(fù)單元中，m和n中的至少一者為1。e表示單鍵、-ch2ch2o-(最左側(cè)的碳原子與重復(fù)單元中的氧原子結(jié)合)、-ch2ch2ch2o-(最左側(cè)的碳原子與重復(fù)單元中的氧原子結(jié)合)、或-ch2ch2ch2ch2o-(最左側(cè)的碳原子與重復(fù)單元中的氧原子結(jié)合)。在式(4)中，最左側(cè)的氧原子與結(jié)合于r3的亞甲基結(jié)合，e與r1或r5結(jié)合。)

22、[7]根據(jù)[1]～[6]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的-r2-o-和-r4-o-各自獨(dú)立地由下述式(5-1)或式(5-2)表示。

23、

24、(在式(5-1)中，p表示0～3的整數(shù)，q表示0～2的整數(shù)，r表示1～3的整數(shù)。在式(5-1)中，最左側(cè)的氧原子與結(jié)合于r3的亞甲基結(jié)合，最右側(cè)的氧原子與r1或r5結(jié)合。)

25、(在式(5-2)中，s表示0～2的整數(shù)，t表示0～3的整數(shù)。在式(5-2)中，最左側(cè)的氧原子與結(jié)合于r3的亞甲基結(jié)合，最右側(cè)的氧原子與r1或r5結(jié)合。)

26、[8]根據(jù)[1]～[7]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r3為下述式(6)所示的全氟聚醚鏈。

27、-(cf2)w1-o-(cf2o)w2-(cf2cf2o)w3-(cf2cf2cf2o)w4-(cf2cf2cf2cf2o)w5-(cf2)w6-(6)

28、(在式(6)中，w2、w3、w4、w5表示平均聚合度，各自獨(dú)立地表示0～20。其中，w2、w3、w4、w5不全部同時(shí)為0。w1、w6為表示cf2的數(shù)量的平均值，各自獨(dú)立地表示1～3。對(duì)作為式(6)中的重復(fù)單元的(cf2o)、(cf2cf2o)、(cf2cf2cf2o)、(cf2cf2cf2cf2o)的排列順序沒(méi)有特別限制。)

29、[9]根據(jù)[1]～[8]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r3為選自下述式(7-1)～式(7-4)所示的全氟聚醚鏈中的任1種。

30、-cf2-(ocf2cf2)h-(ocf2)i-ocf2-(7-1)

31、(在式(7-1)中，h和i表示平均聚合度，h表示1～20，i表示0～20。)

32、-cf2cf2-(ocf2cf2cf2)j-ocf2cf2-(7-2)

33、(在式(7-2)中，j表示平均聚合度，表示1～15。)

34、-cf2cf2cf2-(ocf2cf2cf2cf2)k-ocf2cf2cf2-(7-3)

35、(在式(7-3)中，k表示平均聚合度，表示1～10。)

36、-(cf2)w7-o-(cf2cf2cf2o)w8-(cf2cf2o)w9-(cf2)w10-(7-4)

37、(在式(7-4)中，w8、w9表示平均聚合度，各自獨(dú)立地表示1～20。w7、w10為表示cf2的數(shù)量的平均值，各自獨(dú)立地表示1～2。)

38、[10]根據(jù)[1]～[9]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，其數(shù)均分子量為500～10000的范圍內(nèi)。

39、[11]一種磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑，其特征在于，包含[1]～[10]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物。

40、[12]一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，是在基板上至少依次設(shè)置了磁性層、保護(hù)層、和潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)，

41、上述潤(rùn)滑層包含[1]～[10]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物。

42、[13]根據(jù)[12]所述的磁記錄介質(zhì)，上述潤(rùn)滑層的平均膜厚為0.5nm～2.0nm。

43、發(fā)明的效果

44、本發(fā)明的含氟醚化合物由于為上述式(1)所示的化合物，因此作為磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑的材料是適合的。

45、本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑由于包含本發(fā)明的含氟醚化合物，因此可以形成耐化學(xué)物質(zhì)性和耐磨損性良好，磁記錄介質(zhì)的腐蝕抑制效果高的潤(rùn)滑層。

46、本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)具有包含本發(fā)明的含氟醚化合物的潤(rùn)滑層。因此，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的耐化學(xué)物質(zhì)性和耐磨損性良好，具有優(yōu)異的耐腐蝕性，可靠性和耐久性優(yōu)異。此外，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)所具有的潤(rùn)滑層由于耐化學(xué)物質(zhì)性和耐磨損性良好，并且磁記錄介質(zhì)的腐蝕抑制效果高，因此可以使厚度薄。