a-1)、（la-2)、（la-3)、 (la-4)、（la-5)、（la-6)、（la-7)所示的基團，優(yōu)選為式（la-1)所示的基團。
[0222]
[0223]Ar8、Ar9、Ar1Q及Ar11所示的基也可以具有取代基。
[0224] 作為取代基，可列舉烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、鹵原子、1價的雜環(huán)基及氰基，優(yōu) 選為烷基及芳基。
[0225] 烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環(huán)基的定義及例子，分別與 R4\R5、R6、R7、R8、R9及R所示的烷基、芳基、芳氧基、1價的雜環(huán)基的定義及例子相同。
[0226]Ar8、Ar9、Ar1Q及Ar11為亞芳基時，會使本實施方式的高分子化合物的穩(wěn)定性變良 好，而且，將高分子化合物用于制造發(fā)光元件時，得到的發(fā)光元件的亮度壽命優(yōu)異，因而優(yōu) 選。
[0227] 就#、#及1^而言，因為會使本實施方式的高分子化合物的穩(wěn)定性變良好，而且將 高分子化合物用于制造發(fā)光元件時，所得的亮度壽命優(yōu)異，故優(yōu)選為取代的烷基、芳基或1 價的雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基。
[0228]Re、#及RE所示的烷基、芳基、1價的雜環(huán)基的定義及例子，分別與RA及RB所示的 烷基、芳基、1價的雜環(huán)基的定義及例子相同。
[0229] 就式（4)所示的構(gòu)成單元而言，為使本實施方式的高分子化合物的穩(wěn)定性優(yōu)異， 相對于高分子化合物所含的構(gòu)成單元的合計含量，優(yōu)選為〇. 1~40摩爾％，更優(yōu)選為 0. 5~30摩爾％，進一步優(yōu)選為1~20摩爾％。
[0230] 作為式⑷所示的構(gòu)成單元，例如可舉出：下述式（4-1)~式（4-9)所示的構(gòu)成單 元，優(yōu)選為式（4-1)~式（4-3)中任一者所示的構(gòu)成單元，更優(yōu)選為式（4-2)、式（4-3)中任 一者所示的構(gòu)成單元。
[0231]
[0232] 在高分子化合物中，可僅包含1種式（4)所示的構(gòu)成單元，也可包含2種以上式 (4)所示的構(gòu)成單元。
[0233] 作為本實施方式的高分子化合物的例子，可列舉下述表1的高分子化合物P-1~ P-12。其中，"其他"構(gòu)成單元是指：式（1'）所示的構(gòu)成單元、式（2)所示的構(gòu)成單元、式 (2'）所示的構(gòu)成單元、式（3)所示的構(gòu)成單元、式（4)所示的構(gòu)成單元以外的構(gòu)成單元。
[0234]
[0235][表中p、q、r、s、t和u表示各構(gòu)成單元的摩爾比率。p+q+r+s+t+u= 100,且 100 多p+q+r+s+t多 70]
[0236] 就高分子化合物P-1~P-12中的式（1'）所示的構(gòu)成單元（也可為式⑴所示的 構(gòu)成單元）、式（2)所示的構(gòu)成單元、式（2'）所示的構(gòu)成單元、式（3)所示的構(gòu)成單元、式 (4)所示的構(gòu)成單元的具體例及優(yōu)選形態(tài)而言，優(yōu)選形態(tài)如上所述。
[0237] 本實施方式的高分子化合物的基于凝膠滲透色譜（以下稱為"GPC"）的聚苯乙烯 換算的數(shù)均分子量（Mn) -般為1X103~1X10 8,優(yōu)選為1X104~1X10 6。而且，本實施方 式的高分子化合物的聚苯乙烯換算的重均分子量(Mw) -般為2X103~2X108,由于成膜性 良好而優(yōu)選為2X104~2X106,更優(yōu)選為3X104~1X106,進一步優(yōu)選為5X104~5X105。
[0238] 本實施方式的高分子化合物的末端基團中，若聚合活性基團就這樣殘留，將高分 子化合物用于制作發(fā)光元件時，可能會使發(fā)光特性或亮度壽命降低，因此優(yōu)選為穩(wěn)定的基 團。作為該末端基團，優(yōu)選為與主鏈共輒鍵合的基團，可列舉經(jīng)由碳-碳鍵而與芳基或1價 的雜環(huán)基鍵合的基團（具體如日本特開平9-45478號公報所記載的取代基等）。
[0239] 本實施方式的高分子化合物可為嵌段（共）聚合物、無規(guī)（共）聚合物、交替（共） 聚合物、接枝（共）聚合物中的任一類型，也可為其他形態(tài)。
[0240][高分子化合物的制造方法]
[0241] 以下，對本實施方式的高分子化合物的制造方法進行說明。
[0242] 在本實施方式的高分子化合物的制造中，例如可通過使下述式（1'M)所示的化合 物（以下也稱為"化合物1'M"）、下述式（2M)所示的化合物（以下也稱為"化合物2M"） 及/或式（2'M)所示的化合物（以下也稱為"化合物2'M"）與其他化合物（例如，下述式 (3M)所示的化合物（以下也稱為"化合物3M"）及/或下述式（4M)所示的化合物（以下也 稱為"化合物4M"））縮聚而制造。化合物1'M優(yōu)選為下述式（1M)所示的化合物（以下也 稱為"化合物1M"）。本說明書中，將化合物1'M、化合物1M、化合物2M、化合物2'M、化合物 3M及化合物4M總稱為"原料單體"。
[0243]
[0244] 一叫,7 ^ ^ ^
^ ^ ^ 相同的意思，Z1及Z2分別獨立地表示選自下述取代基組（下述取代基A組及下述取代基B組）的基團。
[0245]式（1M)中，n1、n2、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R1。、RA、RB、Ar1 及Ar2表示與上述 相同的意思，Z1及Z2分別獨立地表示選自下述取代基組（下述取代基A組及下述取代基B組）的基團。
[0246] 式（2M)中，na、nb、nA、n、Ar3、La、Lb、LA及X表示與上述相同的意思，Z3及Z4分別 獨立地表示選自下述取代基組（下述取代基A組及下述取代基B組）的基團。
[0247]式（2'M)中，ma、mb、mA、m、c、Ar4、Ar5、Ar6、Ka、Kb、KA、X' 及X" 表示與上述相同的 意思，Z5及Z6分別獨立地表示選自下述取代基組（下述取代基A組及下述取代基B組）的 基團。
[0248] 式（3M)中，Ar7表示與上述相同的意思，Z7及Z8分別獨立地表示選自下述取代基 組（下述取代基A組及下述取代基B組）的基團。
[0249]式（4M)中，a1、a2、Ar8、Ar9、Ar1Q、Ar11、Rc、妒及RE表示與上述相同的意思，Z9及Z10 分別獨立地表示選自下述取代基組（下述取代基A組或下述取代基B組）的基團。
[0250]〈取代基A組〉
[0251] 氯原子、溴原子、碘原子、-0_S(=0)2R41(R41表示烷基或芳基，這些基團也可以具 有取代基）所示的基團。
[0252] 〈取代基B組〉
[0253] _B(0R42)2(R42表示氫原子或烷基，該烷基也可以具有取代基，多個存在的R42可 相互相同或不同，也可以互相連接而與各自所鍵合的氧原子共同形成環(huán)結(jié)構(gòu)）所示的基 團、-BFWkQ1表示選自Li+、Na+、K+、Rb+及Cs+所組成的組中的1價陽離子）所示的基 團、-MgY1 (Y1表示氯原子、溴原子或碘原子）所示的基團、-ZnY2 (Y2表示氯原子、溴原子或碘 原子）所示的基團、及_Sn(R43)3(R43表示氫原子或烷基，該烷基也可以具有取代基，多個存 在的R43可相互相同或不同，也可以互相連接而與各自所鍵合的錫原子共同形成環(huán)結(jié)構(gòu)）所 不的基團。
[0254] R41所示的烷基及芳基的定義及例子分別與R〃、if、R3\R4\R5、R6、R7、R8、R9及 所示的烷基及芳基的定義及例子相同。
[0255] R42及R43所示的烷基的定義及例子分別與R〃、R2\R3\R4\R5、R6、R7、R8、R9及R10 所示的烷基的定義及例子相同。
[0256] 已知具有選自取代基A組的基團的化合物與具有選自取代基B組的基團的化合物 通過公知的偶聯(lián)反應而縮聚，從而使與選自取代基A組的基團及選自取代基B組的基團鍵 合的碳原子彼此鍵合。因此，若將具有2個選自取代基A組的基團的化合物A與具有2個 選自取代基B組的基團的化合物B供至公知的偶聯(lián)反應，則可通過縮聚而得到化合物A及 化合物B的縮聚物。
[0257] 例如，化合物1'M(也可為化合物1M)中的Z1及Z2與化合物2M(或化合物2'M) 中的Z3及Z4 (或Z5及Z6)為選自取代基A組的基團時，化合物3M(或化合物4M)中的Z7及 Z8(或Z9及Z，可選擇選自取代基B組的基團。
[0258] 另外，化合物1'M(也可為化合物1M)中的Z1及Z2與化合物2M(或化合物2'M) 中的Z3及Z4 (或Z5及Z6)為選自取代基B組的基團時，化合物3M(或化合物4M)的Z7及 Z8 (或Z9及Z，可選擇選自取代基A組的基團。
[0259] 縮聚一般在催化劑、堿及有機溶劑的存在下進行。
[0260] 作為催化劑例如可舉出：二氯雙（三苯基膦）合鈀、二氯雙（三鄰甲氧基苯基膦） 合鈀、[四（三苯基膦）]合鈀、[三（二亞芐基丙酮）]二鈀、乙酸鈀等鈀絡合物；[四（三 苯基膦）]合鎳、[1，3_雙（二苯基膦基）丙烷]二氯鎳、[雙（1，4_環(huán)辛二烯）]合鎳等鎳 絡合物等過渡金屬絡合物；根據(jù)需要還包含三苯基膦、三（叔丁基膦）、三環(huán)己膦、二苯基膦 基丙烷、聯(lián)吡啶等配體的催化劑。催化劑也可使用預先合成的物質(zhì)，也可直接使用反應體系 中所制備出的物質(zhì)。這些催化劑可單獨使用一種，也可并用二種以上。就催化劑的使用量 而言，相對于原料單體摩爾數(shù)的合計，過渡金屬量優(yōu)選為0. 00001~3摩爾當量。
[0261] 作為堿例如可舉出：碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、氟化鉀、氟化銫、磷酸三鉀等無機堿； 氟化四丁基銨、氯化四丁基銨、溴化四丁基銨、氫氧化四丁基銨等有機堿。這些堿可單獨使 用一種，也可并用二種以上。相對于原料單體摩爾數(shù)的合計，堿的使用量優(yōu)選為0. 5~20 摩爾當量。
[0262] 作為有機溶劑例如可舉出：甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氫呋喃、1，4_二噁烷、二甲 氧基乙烷、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺。這些有機溶劑可單獨使用一種，也可 并用二種以上。有機溶劑的使用量優(yōu)選為原料單體的合計濃度為〇. 1~90重量％的量。
[0263] 縮聚的反應溫度優(yōu)選為-100~200°C。另外，反應時間一般為1小時以上，優(yōu)選為 2~500小時。
[0264] 聚合反應的后處理可通過公知的方法進行，例如：可單獨、或組合進行將通過分液 去除水溶性雜質(zhì)的方法，或?qū)⒕酆戏磻蟮姆磻芤杭又良状嫉鹊图壌?、過濾所析出的沉 淀、使其干燥的方法等。高分子化合物的純度低時，只要通過重結(jié)晶、再沉淀、以索氏提取器 連續(xù)萃取、柱色譜等一般方法精制即可。
[0265](化合物）
[0266] 式（I'M)所示的化合物（也可為式（1M)所示的化合物）如上所述，可適宜地使用 于制造本實施方式的高分子化合物。
[0267] 例如，在式（1M)的n1及/或n2為2以上而具有取代基時、R1及R2相互不同時、或 R3及R4相互不同時，式（1M)所示的化合物可存在立體異構(gòu)體（非對映體/對映體）。式 (1M)所示的化合物可僅含單一的立體異構(gòu)體，也可為不同立體異構(gòu)體的混合物。
[0268] 以下對式（1'M)所示的化合物的制造方法進行說明。并且說明式（1M)所示的化 合物的制造方法中n1及n2為3時的例子。
[0269] 例如能以下述流程2所述的方法制造式（1'M)所示的化合物。
[0270][流程 2]
[0271]
[0272] 流程2中，YlaSY2a分別獨立地表示氫原子或選自上述取代基A組的基團，ZlaS 2&表示氫原子或選自上述取代基A組的基團，R〃、R2'R3'R4'Ar1、Ar2、RA及RB與上述意 思相同。
[0273] 流程2中，首先，通過式（6-2-1)所示的化合物（以下也稱為"化合物（6-2-1) "） 與預定的胺化合物的偶聯(lián)反應，經(jīng)由式（6-2-2)所示的化合物（以下也稱為"化合物 (6-2-2)"）而得到式（6-2-3)所示的化合物（以下也稱為"化合物（6-2-3)"）?；衔?(6-2-3)的ZlaSZ2a為氫原子時，可將化合物（6-2-3)例如通過供至溴化反應，將該氫原子 轉(zhuǎn)換為上述選自取代基A組的基團。另外，化合物（6-2-3)的Zla&Z2a為選自上述取代基 A組的基團時，該基團可通過公知的反應轉(zhuǎn)換為選自取代基B組的基團。
[0274] 例如可以下述流程1所述的方法制造式（1M)所示的化合物。
[0275][流程1]
[0276]
[0277] 流程1中，波浪線表示具有該波浪線的化合物為幾何異構(gòu)體混合物。
[0278] 流程1中，YlaSY2a分別獨立地表示氫原子或選自上述取代基A組的基團，ZlaS 2&表示氫原子或選自上述取代基A組的基團，1?13表示烷基、芳基或1價的雜環(huán)基，這些基 團也可以具有取代基。Ar^Ar'RA及RB與上述意思相同。多個存在的Rla&可相互相同或 不同。
[0279]Rla所示的烷基、芳基及1價的雜環(huán)基的定義及例子與、R3\R4\R5、R6、R7、 R8、R9及Rw所示的烷基、芳基及1價的雜環(huán)基的定義及例子相同。
[0280] 流程1中，首先，通過將式（6-1-1)所示的化合物（以下也稱為"化合物（6-1-1) "） 供至例如Wittig反應或Horner-Wadsworth-Emmons反應，從而得到式（6-1-2)所示的化合 物（以下也稱為"化合物（6-1-2)"）。接下來，通過將化合物（6-1-2)供至還原反應，得到 式（6-1-3)所示的化合物（以下也稱為"化合物（6-1-3)"）。
[0281] 其中，Yla&Y2a為氫原子時，通過將化合物（6-1-3)例如供至溴化反應，可將￥13及 ￥ &轉(zhuǎn)換為上述選自取代基A組的基團。
[0282] 接下來，通過化合物（6-1-3)與預定的胺化合物的偶聯(lián)反應，經(jīng)由式（6-1-4)所示 的化合物（以下也稱為"化合物（6-1-4)"）而得到式（6-1-5)所示的化合物（以下也稱為 "化合物（6-1-5)")?；衔铮?-1-5)的ZlaSZ2a為氫原子時，可通過將化合物（6-1-5)例 如供至溴化反應，將該氫原子轉(zhuǎn)換為上述選自取代基A組的基團。另外，化合物（6-1-5)的 zla及Z2a為上述選自取代基A組的基團時，該基團可通過公知的反應轉(zhuǎn)換為選自取代基b組 的基團。
[0283]〈組合物〉
[0284] 本發(fā)明的組合物含有本發(fā)明的高分子化合物以及選自空穴傳輸材料、空穴注入材 料、電子傳輸材料、電子注入材料、發(fā)光材料、抗氧化劑及溶劑所組成的組中的至少1種材 料。
[0285] 含有本發(fā)明的高分子化合物及溶劑的組合物（以下也稱為"本發(fā)明的墨液"）適于 采用噴墨印刷法、噴嘴印刷法等印刷法的發(fā)光元件的制作。
[0286] 本發(fā)明墨液的粘度根據(jù)印刷法的種類調(diào)整即可，但是為了在噴墨印刷法等的溶 液從吐出裝置通過時，防止吐出時的堵塞、飛行彎曲，墨液的粘度優(yōu)選在2 5 °C中為1~ 20mPa?s的范圍中。
[0287] 本發(fā)明的墨液所含的溶劑優(yōu)選為可溶解或均勻分散該墨液中的固體成分的溶劑。 作為溶劑，例如可舉出：1，2_二氯乙烷、1，1，2_三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑；四氫 呋喃、二噁烷、苯甲醚、4-甲基苯甲醚等醚系溶劑；甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙基苯、正己基 苯、環(huán)己苯等芳香族烴系溶劑；環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬 烷、正癸烷、正癸烷、聯(lián)環(huán)己烷等脂肪族烴系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、二苯甲酮、苯 乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶 劑；乙二醇、丙三醇、1，2_己二醇等多元醇及其衍生物；異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶劑；二甲亞 砜等亞砜系溶劑；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺溶劑。這些溶劑可單獨 使用一種，也可并用二種以上。
[0288] 本發(fā)明的墨液中，相對于本發(fā)明高分子化合物100重量份，上述溶劑的配合量一 般為1000~100000重量份，優(yōu)選為5000~20000重量份。
[0289] 空穴傳輸材料可為低分子量的化合物，也可為高分子量的化合物，優(yōu)選為高分子 量的化合物。另外，空穴傳輸材料優(yōu)選為具有交聯(lián)基的化合物?？昭▊鬏敳牧纤褂玫母?分子量化合物優(yōu)選為：聚乙烯基咔唑及其衍生物；在側(cè)鏈或主鏈上具有芳香族胺結(jié)構(gòu)的聚 亞芳基衍生物；芳基胺衍生物、三苯基二胺衍生物等包含芳香族胺殘基的高分子化合物。
[0290] 本發(fā)明的組合物中，相對于本發(fā)明的高分子化合物100重量份，上述空穴傳輸材 料的配合量一般為1~400重量份，優(yōu)選為5~150重量份。
[0291] 電子傳輸材料可為低分子量的化合物，也可為高分子量的化合物。作為電子傳輸 材料所使用的低分子量的化合物例如可舉出：噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌 及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、 二苯基二氰基乙烯及其衍生物、二苯醌衍生物、8-羥基喹啉及其衍生物的金屬絡合物。作為 電子傳輸材料所使用的高分子量的化合物，例如可舉出：聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其 衍生物、聚芴及其衍生物。這些高分子量化合物可摻雜有金屬。
[0292] 相對于本發(fā)明的高分子化合物100重量份，本發(fā)明的組合物中，上述電子傳輸材 料的配合量一般為1~400重量份，優(yōu)選為5~150重量份。
[0293] 空穴注入材料及電子注入材料可為低分子量的化合物也可為高分子量的化合物。 空穴注入材料及電子注入材料所使用的高分子量的化合物例如可舉出：聚苯胺及其衍生 物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亞苯基亞乙烯基及其衍生物、聚亞噻吩基亞 乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主鏈或側(cè)鏈上包含芳香族 胺結(jié)構(gòu)的聚合物等導電性高分子。
[0294] 作為空穴注入材料及電子注入材料所使用的低分子量的化合物，例如可舉出：銅 酞菁等金屬酞菁；碳；鉬、鎢等的金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫等金屬氟化物。
[0295] 本發(fā)明的組合物中，相對于本發(fā)明的高分子化合物100重量份，上述空穴注入材 料及上述電子注入材料的配合量一般各自為1~400重量份，優(yōu)選為5~150重量份。
[0296] 空穴注入材料及/或電子注入材料包含導電性高分子時，導電性高分子的電導率 優(yōu)選為1X10 5S/cm至1X103S/cm。為使導電性高分子的電導率在該范圍內(nèi)，可在導電性高 分子中摻雜適量的離子。
[0297] 就摻雜的離子的種類而言，為空穴注入材料時為陰離子，為電子注入材料時為陽 離子。作為陰離子例如可舉出：聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。作為 陽離子例如可舉出：鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。
[0298] 發(fā)光材料可分類為低分子量的化合物和高分子量的化合物。發(fā)光材料也可以具有 交聯(lián)基。
[0299] 作為低分子量的化合物，例如可舉出：萘及其衍生物、蒽及其衍生物、茈及其衍生 物，以及以銥、鉑或銪為中心金屬的三重態(tài)發(fā)光絡合物。
[0300] 作為高分子量的化合物，例如可舉出：包含亞苯基、萘二基、蒽二基、亞芴基、菲二 基、二氫菲二基、2價芳香族胺殘基、咔唑二基、吩噁嗪二基、吩噻嗪二基、蒽二基、芘二基等 的高分子化合物。
[0301] 發(fā)光材料也可包含低分子量的化合物及高分子量的化合物，優(yōu)選包含三重態(tài)發(fā)光 絡合物及高分子量的化合物。
[0302] 作為三重態(tài)發(fā)光絡合物，優(yōu)選為式Ir-1~Ir-3所示的銥絡合物。
[0303]
[0304] [式中，RD1~RDfiSRDn~RD2°分別獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧 基、1價的雜環(huán)基或鹵原子，這些基團也可以具有取代基。-AD1---AD2-表示陰離子性的雙齒 配體，AD\SAD2分別獨立地表示與銥原子鍵合的碳原子、氧原子或氮原子。nD1表示1、2或 3,nD2表示1或2]。
[0305] 式Ir-1所示的三重態(tài)發(fā)光絡合物中，RD1~RDS的至少1個優(yōu)選為式（Dend-A)所 不的基團。
[0306]
[0307][式中，mDA1、mDA2及mDA3分別獨立地表示0以上的整數(shù)。GDA1表示氮原子、芳香族烴 基或雜環(huán)基，這些基團也可以具有取代基。ArDA1、ArDA2及ArDA3分別獨立地表示亞芳基或2 價的雜環(huán)基，這些基團也可以具有取代基。有多個ArDA1、ArDA2及ArDA3時，它們可以相同也可 不同。TDA2及TDA3分別獨立地表示芳基或1價的雜環(huán)基，這些基團也可以具有取代基]。
[0308]mDA1、mDA2及mDA3-般為10以下的整數(shù)，優(yōu)選為0或1。mDA1、mDA2及mDA3優(yōu)選為相同 的整數(shù)。
[0309]GDA1優(yōu)選為式（GDA-11)~（GDA-15)所示的基團，這些基團也可以具有取代基。 [03101
[0311][式中，* 1、* 2及* 3分別表示與ArDA1、ArDA2及ArDA3的鍵。RDA表示氫原子、烷 基、烷氧基、芳基或1價的雜環(huán)基，這些基團也可以具有取代基。有多個RDA時，它們可以相 同也可不同]。
[0312] RDA優(yōu)選為氫原子、烷基或烷氧基，更優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團也可以具有取 代基。
[0313]ArDA1、ArDA2及Ar咖優(yōu)選為式（ArDA-1)~（ArDA-3)所示的基團。
[0314]
[0315][式中，RDA表示與上述相同的意思。R?表示氫原子、烷基、芳基或1價的雜環(huán)基， 這些基團也可以具有取代基。有多個rdb時，它們可以相同也可不同]。
[0316]TDA2及TDA3優(yōu)選為式（TDA-1)~（TDA-3)所示的基團。
[0317]
[0318][式中，RUA及RUB表示與上述相同的
意思]
[0319] 式Ir-2中，優(yōu)選為RD11~RD2°的至少1個為式（Dend-A)所示的基團。
[0320] 式Ir-3中，優(yōu)選為RD1~RDf^RD11~RD2°的至少1個為式（Dend-A)所示的基團。
[0321] 式（Dend-A)所示的基團優(yōu)選為式（Dend-Al)~（Dend_A3)所示的基團。
[0322]
[0323][式中，Rpl、Rp2及Rp3分別獨立地表示烷基、烷氧基或鹵原子。存在多個Rpl及Rp2 時，它們可以相同也可不同。npl表不0~5的整數(shù)，np2表不0~3的整數(shù)，np