優(yōu)選的芳環(huán)、金屬和取代基的選擇也優(yōu)選用于 包括包含式I配體的化合物的器件中。這些選擇包括針對(duì)金屬M(fèi)、環(huán)A和B以及取代基Ra、 R2所述的那些。
[0038] 優(yōu)選地，取代基心和RB的至少之一為直接附著到環(huán)A、環(huán)B或者與環(huán)A或環(huán)B共 輒或稠合的環(huán)上的CD3。
[0039] 優(yōu)選地，該金屬為Ir。
[0040] 優(yōu)選地，A選自咪唑、吡唑、三唑、噁唑、噁二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪和三嗪。優(yōu) 選地，B選自苯、吡啶、呋喃、吡咯和噻吩。
[0041] 特別是，該器件的有機(jī)層可以包含具有選自式II-VII的配體的化合物，其中札、 R2、R3、R4、R5、R6、R7、Rs、馬和Ri。獨(dú)立地選自氫、烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、芳基 和雜芳基。&、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、馬和Ri。的至少之一為⑶3。優(yōu)選地，該有機(jī)層包含選 自化合物2-42的化合物。
[0042] 此外，該器件的有機(jī)層可以包含具有選自式II-VII的配體的化合物，其中&、R2、 R3、R4、R5、R6、R7、Rs、馬和Ri。獨(dú)立地選自氫、烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、芳基和 雜芳基。&、R；；、私、m馬、馬、&和R1。的至少之一為⑶3。
[0043] 此外，該器件的有機(jī)層可以包含具有選自式m-vm的配體的化合物。m R4、R5、R6、R7、Rs、R9、Ri。和Rii獨(dú)立地選自氫、烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、芳基和 雜芳基。&、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、札。和Rn可以連接。RpR2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、 R1d和Rn可以稠合。Ri、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R1d和Rn的至少之一包括烷基，該烷基包 括⑶、⑶2或⑶ 3。優(yōu)選地，該有機(jī)層包含選自化合物43-82的化合物。
[0044] -方面，該有機(jī)層為含有本文中提供的化合物的發(fā)光層，其中該化合物為發(fā)光摻 雜劑。該有機(jī)層可以進(jìn)一步包含主體。優(yōu)選地，該主體具有下式：
[0045]
R'i、R'2、R'3、R'4、R'5和R' 6可以表示單取代、 二取代、三取代或四取代；并且R'i、R' 2、R' 3、R' 4、R' 5和R' 6各自獨(dú)立地選自氫、烷基和 芳基。更優(yōu)選地，該主體為H1。
[0046] 還提供了包含器件的消費(fèi)產(chǎn)品。該器件包含陽極、陰極以及位于該陽極和該陰極 之間的有機(jī)層。該有機(jī)層包含以上討論的含有式I結(jié)構(gòu)的配體的化合物。
[0047]A和B可以獨(dú)立地表示5元或6元芳環(huán)或雜芳環(huán)。B2獨(dú)立地為C或N。 心和1^可以表示單取代、二取代或三取代。乂&和乂8獨(dú)立地為(：或雜原子。1^、私、1? 1和1?2獨(dú) 立地選自氫、烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、芳基和雜芳基。RA、RB、&和R2的至少 之一包括CD、〇)2或CD3。優(yōu)選地，RA、RB、&和R2的至少之一包括CD3。RA、RB、&和R2可以 連接。RA、RB、札和R2可以稠合。該配體與具有大于40的原子量的金屬配合。
[0048] 對(duì)于包含式I配體的化合物描述為優(yōu)選的芳環(huán)、金屬和取代基的選擇也優(yōu)選用于 包含器件的消費(fèi)產(chǎn)品中，該器件包括包含式I配體的化合物。這些選擇包括針對(duì)金屬M(fèi)、環(huán) A和B以及取代基RA、RB、A。A2、BpB2、&和R2所述的那些。
【附圖說明】
[0049] 圖1示出了有機(jī)發(fā)光器件。
[0050] 圖2示出了不具有獨(dú)立的電子傳輸層的倒置有機(jī)發(fā)光器件。
[0051] 圖3示出了含有氘取代的配體的一般結(jié)構(gòu)。
[0052] 圖4示出了示例性的甲基-d3取代配體。
【具體實(shí)施方式】
[0053] 通常，0LED包括位于陽極和陰極之間并且與陽極和陰極電連接的至少一個(gè)有機(jī) 層。當(dāng)施加電流時(shí)，陽極向有機(jī)層中注入空穴，陰極向有機(jī)層中注入電子。注入的空穴和電 子各自向帶相反電荷的電極迀移。當(dāng)電子和空穴局限于同一分子中時(shí)，形成"激子"，它是 具有激發(fā)能態(tài)的局域化的電子-空穴對(duì)。當(dāng)激子通過發(fā)光機(jī)理弛豫時(shí)，發(fā)射出光。在一些 情況下，激子可以局域化在激發(fā)體或激發(fā)復(fù)合體上。也可以發(fā)生非輻射機(jī)理，例如熱弛豫， 但是通常將其視為不合需要的。
[0054] 最初的OLEDs使用從其單線態(tài)發(fā)光（"熒光"）的發(fā)光分子，例如美國專利 No. 4, 769, 292中所公開，其全部內(nèi)容通過引用納入本文中。熒光發(fā)射通常發(fā)生在小于10納 秒的時(shí)間范圍內(nèi)。
[0055] 最近，已展示了具有從三線態(tài)發(fā)光（"磷光"）的發(fā)光材料的OLEDs。見Baldo等 人的"HighlyEfficientPhosphorescentEmissionFromOrganicElectroluminescent Devices"（有機(jī)電致發(fā)光器件的高效磷光發(fā)射），Nature，第395卷，151-154,1998; ("Baldo-I'，）和Baldo等人的"Veryhigh-efficiencygreenorganiclight-emitting devicesbasedonelectrophosphorescence"(基于電磷光的極高效綠色有機(jī)發(fā)光器件）， 八口口1.?1^8.1^?，第75卷，第3期，4-6(1999)("8 &1(1〇-11")，它們?nèi)客ㄟ^引用納入本文。 磷光更詳細(xì)地記載于美國專利No. 7, 279, 704的第5-6欄，其通過引用納入本文。
[0056] 圖1顯示了有機(jī)發(fā)光器件100。這些圖不一定按比例繪制。器件100可以包括基 片110、陽極115、空穴注入層120、空穴傳輸層125、電子阻擋層130、發(fā)光層135、空穴阻擋 層140、電子傳輸層145、電子注入層150、保護(hù)層155和陰極160。陰極160是具有第一導(dǎo) 電層162和第二導(dǎo)電層164的復(fù)合陰極。器件100可以通過將上述層按順序沉積而制備。 這些不同的層的性質(zhì)和功能以及材料實(shí)例更具體地記載于US7, 279, 704的第6-10欄中， 其通過引用納入本文。
[0057] 可以獲得這些層中的每種的更多實(shí)例。例如，柔性且透明的基片-陽極組合公 開于美國專利No. 5, 844, 363中，其全部內(nèi)容通過引用納入本文。p型摻雜的空穴傳輸層 的一個(gè)實(shí)例是以50:1的摩爾比用F4-TCNQ摻雜的m-MTDATA，公開于美國專利申請(qǐng)公布 No. 2003/0230980中，其全部內(nèi)容通過引用納入本文。發(fā)光材料和主體材料的實(shí)例公開 于Thompson等人的美國專利No. 6, 303, 238中，其全部內(nèi)容通過引用納入本文。n型摻 雜的電子傳輸層的一個(gè)實(shí)例是以1:1的摩爾比用Li摻雜的BPhen，公開于美國專利申請(qǐng) 公布No. 2003/0230980中，其全部內(nèi)容通過引用納入本文。美國專利No. 5, 703, 436和 5, 707, 745(其全部內(nèi)容通過引用納入本文）公開了包括復(fù)合陰極的陰極的實(shí)例，其具有金 屬如Mg:Ag的薄層，具有覆蓋的透明導(dǎo)電濺射沉積IT0層。阻擋層的理論和用途更詳細(xì)地記 載于美國專利No. 6, 097, 147和美國專利申請(qǐng)公布No. 2003/0230980中，其全部內(nèi)容通過引 用納入本文中。注入層的實(shí)例提供于美國專利申請(qǐng)公布No. 2004/0174116中，其全部內(nèi)容 通過引用納入本文。關(guān)于保護(hù)層的說明可以見于美國專利申請(qǐng)公布No. 2004/0174116中， 其全部內(nèi)容通過引用納入本文。
[0058] 圖2顯示了倒置0LED200。該器件包括基片210、陰極215、發(fā)光層220、空穴傳輸 層225和陽極230。器件200可以通過按順序沉積所述層而制備。因?yàn)榇蠖鄶?shù)常規(guī)0LED 構(gòu)造具有位于陽極上的陰極，而器件200具有位于陽極230下的陰極215,因此可以將器件 200稱為"倒置"0LED。與針對(duì)器件100所說明的類似的材料可以用于器件200的相應(yīng)的層 中。圖2提供了可以如何將某些層從器件100的結(jié)構(gòu)中省略的實(shí)例。
[0059] 圖1和2所示的簡單分層結(jié)構(gòu)以非限制性實(shí)例的方式提供，并且應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明 的實(shí)施方案可以與很多種其它結(jié)構(gòu)結(jié)合使用。所述的具體材料和結(jié)構(gòu)是示例性的，并且可 以使用其它材料和結(jié)構(gòu)?；谠O(shè)計(jì)、性能和成本因素，可以通過以不同方式將上述多種層相 結(jié)合或者將層完全省略而獲得功能性O(shè)LEDs。也可以包括未明確說明的其它層?？梢允褂妹?確說明的材料以外的材料。盡管本文中提供的很多實(shí)例將很多層描述成包含單一的材料， 但是應(yīng)當(dāng)理解，可以使用材料的組合，例如主體與摻雜劑的混合物或者更一般的混合物。另 外，層可以具有多個(gè)亞層。本文中給予各種層的名稱并不打算具有嚴(yán)格的限制性。例如在器 件200中，空穴傳輸層225傳輸空穴并向發(fā)光層220中注入空穴，并且可以描述為空穴傳輸 層或空穴注入層。在一種實(shí)施方案中，0LED可以被描述為具有位于陰極和陽極之間的"有 機(jī)層"。該有機(jī)層可以包含單一的層，或者可以進(jìn)一步包含如針對(duì)圖1和2中所述的不同有 機(jī)材料的多個(gè)層。
[0060] 也可以使用未明確說明的結(jié)構(gòu)和材料，例如包括聚合物材料的OLEDs(PLEDs)，例 如Friend等人的美國專利No. 5, 247, 190中所公開的，其全部內(nèi)容通過引用納入本文中。作 為進(jìn)一步的實(shí)例，可以使用具有單個(gè)有機(jī)層的OLEDs。OLEDs可以疊置，例如如Forrest等 人的美國專利No. 5, 707, 745中所述，其全部內(nèi)容通過引用納入本文中。0LED結(jié)構(gòu)可以偏 離圖1和2中所示的簡單的層狀結(jié)構(gòu)。例如，基片可以包括成角的反射表面以改善外耦合 (out-coupling)，例如Forrest等人的美國專利No. 6, 091，195中所記載的平臺(tái)（mesa)結(jié) 構(gòu)和/或Bulovic等人的美國專利No. 5, 834, 893中所記載的陷阱（pit)結(jié)構(gòu)，其全部內(nèi)容 通過引用納入本文中。
[0061] 除非另外說明，各種實(shí)施方案的任何層可以通過任何合適的方法沉積。對(duì)于有機(jī) 層，優(yōu)選方法包括熱蒸發(fā)、噴墨，例如如美國專利No. 6, 013, 982和6, 087, 196中所記載， 其全部內(nèi)容通過引用納入本文中；有機(jī)氣相沉積（0VPD)，例如如Forrest等人的美國專利 No. 6, 337, 102中所記載，其全部內(nèi)容通過引用納入本文中；以及通過有機(jī)氣相噴涂（0VJP) 的沉積，例如如美國專利申請(qǐng)No. 10/233, 470中所記載，其全部內(nèi)容通過引用納入本文中。 其它合適的沉積方法包括旋涂和其它基于溶液的方法?；谌芤旱姆椒▋?yōu)選在氮?dú)饣蚨栊?氣氛中進(jìn)行。對(duì)于其它層，優(yōu)選方法包括熱蒸發(fā)。優(yōu)選的成圖案方法包括通過掩模沉積、冷 焊，例如如美國專利No. 6, 294, 398和6, 468, 819中所記載，其全部內(nèi)容通過引用納入本文 中；以及與某些沉積方法如噴墨和0VJD相關(guān)的成圖案方法。也可以使用其它方法?？梢詫?duì) 待沉積的材料進(jìn)行改性以使它們與具體的沉積方法相容。例如，可以在小分子中使用取代 基例如支化或非支化的并優(yōu)選含有至少3個(gè)碳的烷基和芳基，以增強(qiáng)它們進(jìn)行溶液處理的 能力。可以使用具有20個(gè)或更多個(gè)碳的取代基，3至20個(gè)碳是優(yōu)選范圍。具有非對(duì)稱結(jié)構(gòu) 的材料可以比具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的材料具有更好的可溶液處理性，因