示了具有從S線(xiàn)態(tài)發(fā)光（"憐光"）的發(fā)光材料的0L邸。見(jiàn)Baldo等 人白勺"Hi邑hly Efficient Phosphorescent Emission From Organic Electroluminescent Devices"(有機(jī)電致發(fā)光器件的高效憐光發(fā)射），化化re,第395卷，151-154,1998 ; ("Baldo-I"）和Baldo等人的"Very hi曲-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence"(基于電憐光的極高效綠色有機(jī)發(fā)光器件）， 八口口1.口1173.1^6?，第75卷，第3期，4-6(1999)(叩曰1(1〇-11")，它們?nèi)客ㄟ^(guò)引用納入本文。 憐光更詳細(xì)地記載于美國(guó)專(zhuān)利No. 7, 279, 704的第5-6欄，其通過(guò)引用納入本文。
[0052]圖1顯示了有機(jī)發(fā)光器件100。運(yùn)些圖不一定按比例繪制。器件100可W包括基 材110、陽(yáng)極115、空穴注入層120、空穴傳輸層125、電子阻擋層130、發(fā)光層135、空穴阻擋 層140、電子傳輸層145、電子注入層150、保護(hù)層155和陰極160。陰極160是具有第一導(dǎo) 電層162和第二導(dǎo)電層164的復(fù)合陰極?？蒞通過(guò)將上述層按順序沉積而制備器件100。 運(yùn)些不同層的性質(zhì)和功能W及材料實(shí)例更具體地記載于US 7, 279, 704的第6-10欄中，其 通過(guò)引用納入本文。
[0053]可W獲得運(yùn)些層中每一個(gè)的更多實(shí)例。例如，柔性且透明的基材-陽(yáng)極組合公 開(kāi)于美國(guó)專(zhuān)利No. 5, 844, 363中，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文。P型滲雜的空穴傳輸 層的一個(gè)實(shí)例是W 50:1的摩爾比用F4-TCNQ滲雜的m-MTDATA，公開(kāi)于美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公 布No. 2003/0230980中，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文。發(fā)光材料和主體材料的實(shí)例公 開(kāi)于化ompson等人的美國(guó)專(zhuān)利No. 6, 303, 238中，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文。n型 滲雜的電子傳輸層的一個(gè)實(shí)例是W 1:1的摩爾比用Li滲雜的BPhen，公開(kāi)于美國(guó)專(zhuān)利申 請(qǐng)公布No. 2003/0230980中，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文。美國(guó)專(zhuān)利No. 5, 703, 436和 5, 707, 745(其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文）公開(kāi)了包括復(fù)合陰極的陰極的實(shí)例，其具有金 屬如Mg:Ag的薄層，具有覆蓋的透明導(dǎo)電瓣射沉積IT0層。阻擋層的理論和用途更詳細(xì)地記 載于美國(guó)專(zhuān)利No. 6, 097, 147和美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公布No. 2003/0230980中，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引 用納入本文中。注入層的實(shí)例提供于美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公布No. 2004/0174116中，其全部?jī)?nèi)容 通過(guò)引用納入本文。關(guān)于保護(hù)層的說(shuō)明可W見(jiàn)于美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公布No. 2004/0174116中， 其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文。
[0054] 圖2顯示了倒置0LED 200。該器件包括基材210、陰極215、發(fā)光層220、空穴傳輸 層225和陽(yáng)極230?？蒞通過(guò)按順序沉積所述層而制備器件200。因?yàn)榇蠖鄶?shù)常見(jiàn)0L邸構(gòu) 造具有位于陽(yáng)極上方的陰極，而器件200具有位于陽(yáng)極230下方的陰極215,因此可W將器 件200稱(chēng)為"倒置"0LED。與針對(duì)器件100所述類(lèi)似的材料可W用于器件200的相應(yīng)的層 中。圖2提供了可W如何將某些層從器件100的結(jié)構(gòu)中省略的實(shí)例。
[0055]圖1和2所示的簡(jiǎn)單分層結(jié)構(gòu)W非限制性實(shí)例的方式提供，并且應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明 的實(shí)施方案可W與很多種其它結(jié)構(gòu)結(jié)合使用。所述的具體材料和結(jié)構(gòu)是示例性的，并且可 W使用其它材料和結(jié)構(gòu)。基于設(shè)計(jì)、性能和成本因素，可W通過(guò)W不同方式將上述多種層相 結(jié)合或者將層完全省略而獲得功能性0L邸。也可W包括未明確說(shuō)明的其它層?？蒞使用明 確說(shuō)明的材料W外的材料。盡管本文中提供的很多實(shí)例將多種層描述成包含單一的材料， 但是應(yīng)當(dāng)理解，可W使用材料的組合，例如主體與滲雜劑的混合物或者更一般的混合物。另 夕F，所述層可W具有多個(gè)亞層。本文中給予各種層的名稱(chēng)并不打算進(jìn)行嚴(yán)格地限制。例如 在器件200中，空穴傳輸層225傳輸空穴并向發(fā)光層220中注入空穴，并且可W描述為空穴 傳輸層或空穴注入層。在一種實(shí)施方案中，0L邸可W被描述為具有位于陰極和陽(yáng)極之間的 "有機(jī)層"。該有機(jī)層可W包含單一的層，或者可W進(jìn)一步包含如針對(duì)圖1和2中所述的不 同有機(jī)材料的多個(gè)層。
[0056] 也可W使用未明確說(shuō)明的結(jié)構(gòu)和材料，例如包括聚合物材料的0LED(PLED)，例如 化iend等人的美國(guó)專(zhuān)利No. 5, 247, 190中所公開(kāi)的，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文中。作 為進(jìn)一步的實(shí)例，可W使用具有單個(gè)有機(jī)層的0LED。0LED可W疊置，例如如化rrest等人 的美國(guó)專(zhuān)利No. 5, 707, 745中所述，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文中。0L邸結(jié)構(gòu)可W偏離 圖1和2中所示的簡(jiǎn)單的層狀結(jié)構(gòu)。例如，基材可W包括成角的反射表面W改善外禪合 (out-coupling)，例如F'orrest等人的美國(guó)專(zhuān)利No. 6, 091, 195中所記載的臺(tái)面（mesa)結(jié) 構(gòu)和/或Bulovic等人的美國(guó)專(zhuān)利No. 5, 834, 893中所記載的凹坑（pit)結(jié)構(gòu)，其全部?jī)?nèi)容 通過(guò)引用納入本文中。
[0057]除非另外說(shuō)明，各種實(shí)施方案的任何層可W通過(guò)任何合適的方法沉積。對(duì)于有機(jī) 層，優(yōu)選方法包括熱蒸發(fā)、噴墨，例如如美國(guó)專(zhuān)利No. 6, 013, 982和6, 087, 196中所記載， 其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文中；有機(jī)氣相沉積（0VPD)，例如如化rrest等人的美國(guó)專(zhuān)利 No. 6, 337, 102中所記載，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文中；W及通過(guò)有機(jī)氣相噴涂（0VJP) 的沉積，例如如美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 10/233, 470中所記載，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文中。 其它合適的沉積方法包括旋涂和其它基于溶液的方法。基于溶液的方法優(yōu)選在氮?dú)饣蚨栊?氣氛中進(jìn)行。對(duì)于其它層，優(yōu)選方法包括熱蒸發(fā)。優(yōu)選的圖案化方法包括通過(guò)掩模沉積，冷 焊，例如如美國(guó)專(zhuān)利No. 6, 294, 398和6, 468, 819中所記載，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文 中，W及與某些沉積方法如噴墨和0VJD相關(guān)的圖案化方法。也可W使用其它方法?？蒞對(duì) 有待沉積的材料進(jìn)行改性W使它們與特定的沉積方法相容。例如，可W在小分子中使用取 代基例如支化或非支化的并優(yōu)選含有至少3個(gè)碳的烷基和芳基，W增強(qiáng)它們進(jìn)行溶液處理 的能力?？蒞使用具有20個(gè)或更多個(gè)碳的取代基，3至20個(gè)碳是優(yōu)選范圍。具有非對(duì)稱(chēng)結(jié) 構(gòu)的材料可W比具有對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的材料具有更好的可溶液處理性，因?yàn)榉菍?duì)稱(chēng)材料可W具有 較低的重結(jié)晶傾向。樹(shù)枝狀化合物取代基可W用于提高小分子進(jìn)行溶液處理的能力。
[0058]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案制備的器件可W納入很多種消費(fèi)產(chǎn)品中，包括平板顯示 器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、電視、廣告牌、室內(nèi)或室外照明燈和/或信號(hào)燈、平視顯示器、全透明顯 示器、柔性顯示器、激光打印機(jī)、電話(huà)、移動(dòng)電話(huà)、個(gè)人數(shù)字助理（PDA)、筆記本電腦、數(shù)碼相 機(jī)、可攜式攝像機(jī)、取景器、微型顯示器、交通工具、大面積墻、劇場(chǎng)或體育場(chǎng)屏幕、或標(biāo)志。 多種控制機(jī)制可W用于控制根據(jù)本發(fā)明制備的器件，包括無(wú)源矩陣和有源矩陣。很多器件 擬用于對(duì)人體而言舒適的溫度范圍內(nèi)，例如18°C至30°C，更優(yōu)選室溫（20至25°C)。
[0059]本文中記載的材料和結(jié)構(gòu)可W應(yīng)用于除0L邸W外的器件中。例如，其它光電器件 如有機(jī)太陽(yáng)能電池和有機(jī)光電探測(cè)器可W使用運(yùn)些材料和結(jié)構(gòu)。更一般而言，有機(jī)器件例 如有機(jī)晶體管可W使用運(yùn)些材料和結(jié)構(gòu)。
[0060]術(shù)語(yǔ)面、面素、烷基、環(huán)烷基、締基、烘基、芳烷基（a巧Ikyl)、雜環(huán)基團(tuán)、芳基、芳香 基團(tuán)和雜芳基是本領(lǐng)域已知的，并且定義于US7, 279, 704的第31-32欄中，該專(zhuān)利通過(guò)引用 納入本文中。
[0061]提供了含有3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫和二苯并或氮雜-二苯并基團(tuán)的新型化合物 (圖3中所示）。具體地，所述化合物包含3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫部分和二苯并嚷吩值BT)、 二苯并巧喃值B巧、二苯并砸吩、氮雜-二苯并嚷吩（氮雜-DBT)、氮雜-二苯并巧喃（氮 雜-DBF)、或氮雜-二苯并砸吩，使得3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫部分和二苯并部分或氮雜-二苯 并部分被芳香族間隔基隔開(kāi)。所述化合物可W用作憐光OLED的非發(fā)光材料。例如，所述化 合物可W用作主體材料、電子傳輸材料和/或阻擋層中的材料。
[0062]如上所述，所述化合物包含被芳香族間隔基隔開(kāi)的3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫和二苯 并部分例如DBT或DBF片段，或者氮雜-二苯并部分例如氮雜-DBT或氮雜-DBF。不受限 于關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方案如何工作的任何理論，所述化合物的HOMO由3, 9-聯(lián)接的低聚巧 挫部分控制，而LUM0由二苯并部分或氮雜-二苯并部分控制?？稍O(shè)計(jì)芳香族間隔基W便使 共輛延伸。不受理論束縛，認(rèn)為具有延伸共輛的化合物由于電荷在更大區(qū)域上離域從而具 有改進(jìn)的穩(wěn)定性。所述化合物提供了HOMO和LUM0的良好可調(diào)節(jié)性。所述化合物在用作 用于藍(lán)光P冊(cè)LED的主體時(shí)顯示出改進(jìn)的器件性能（即，效率、電壓和壽命）。據(jù)認(rèn)為，選擇 3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫和二苯或氮雜-二苯并部分W及它們經(jīng)由芳香族間隔基的彼此連接 可W保持運(yùn)些化合物在光譜的藍(lán)光部分中的=重線(xiàn)值。運(yùn)些化合物不但能夠用作主體，而 且它們也能夠作為電子傳輸材料或用作阻擋層中的材料。
[0063]除了改進(jìn)的電荷平衡和電荷穩(wěn)定性W外，本文所提供的化合物也可W提供更好的 成膜。具體地，具有不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的材料可W提供改進(jìn)的成膜。改進(jìn)的成膜可能是如下的結(jié) 果：由于所述化合物的不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)因而即使在升高的溫度下也具有增加的保持無(wú)定形的趨 勢(shì)，正如由使用所述化合物作為主體的溶液加工器件的出乎預(yù)料的結(jié)果所證實(shí)的。
[0064]提供了包含3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫和二苯并或氮雜-二苯并部分的化合物。所述 化合物具有下式：
[0065]

[0066]n為1-20。優(yōu)選地，n為1、2或3。最優(yōu)選地，n為1。R'i、R'2、R'3和R' 4中的每一 個(gè)獨(dú)立地代表單、雙、=或四取代。R'i、R'2、R'3和R' 4獨(dú)立地選自于由氨、気、烷基、烷氧基、 氨基、締基、烘基、芳烷基（曰巧化71)、芳基和雜芳基構(gòu)成的組。R。和Rb獨(dú)立地代表單、雙、S 或四取代。R。和Rb獨(dú)立地選自于由氨、気、烷基、烷氧基、氨基、締基、烘基、芳烷基、芳基和 雜芳基構(gòu)成的組。X為進(jìn)一步由R。取代的芳基或雜芳基聯(lián)接基。Y為進(jìn)一步由Rb取代的二 苯并嚷吩、二苯并巧喃、二苯并砸吩、氮雜-二苯并嚷吩、氮雜-二苯并巧喃、或氮雜-二苯 并砸吩。優(yōu)選地，Y為2-二苯并嚷吩基、4-二苯并嚷吩基、2-二苯并巧喃基、或4-二苯并 巧喃基。
[0067]在一個(gè)方面，X為 A、B、C和D獨(dú)立地選自于由W下構(gòu) > 成的組：
[0068]
[0069] A、B、C和D任選地進(jìn)一步由Ra取代。P、q、r和S中的每