r>[0219] 器件實(shí)施例
[0220] 制造包含本發(fā)明化合物的若干器件。陽極電極為約800埃的氧化銅錫（IT0)。陰 極有10埃的LiF隨后是1000埃的A1組成。所有器件在氮?dú)馐痔紫洌?lt;lppm的&0和〇2) 中用玻璃蓋包封并用環(huán)氧樹脂密封，并且將水分吸收劑納入封裝體的內(nèi)部。
[0221] 如本文所用，W下化合物具有W下結(jié)構(gòu)：
[0222]
[0223]
[0224] 溶液加工的器件：
[0225] 如下所述制造器件實(shí)施例1。將化合物E和化合物G溶解在環(huán)己酬中。相對于 H比-1，化合物G在溶液中的量為10重量％。化合物E和化合物G在環(huán)己酬中的總濃度為 0. 5重量％。為了形成空穴注入層化IL)，將該溶液W4000rpm持續(xù)60秒旋涂到圖案化的氧 化銅錫（IT0)電極上。所得膜在25(TC下烘烤30分鐘。所述膜在烘烤之后變?yōu)椴豢扇堋Ｔ?HIL的頂部，也通過旋涂形成空穴傳輸層（HTL)W及隨后形成發(fā)光層（EML)。通過W4000rpm 持續(xù)60秒旋涂化合物F在甲苯中的0.5重量％溶液而形成HTL。將mL膜在200°C下烘烤 30分鐘。在烘烤之后，HTL變?yōu)椴豢扇苄阅ぁ榱诵纬蒃MU將含有80 %的化合物1和20% 的化合物D的甲苯溶液（在甲苯中的凈濃度為1重量％ )WlOOOrpm持續(xù)60秒旋涂在不 可溶性HTL的頂部，并且隨后在80°C下賠烤60分鐘W除去溶劑殘留物。隨后，通過真空熱 蒸發(fā)沉積50埃厚的化合物C層作為阻擋層度L)。隨后，通過真空熱蒸發(fā)沉積200埃厚的 A1q3層而作為電子傳輸層巧化）。
[0226] 類似地制造對比器件實(shí)施例1，不同之處在于主體為化合物C而非化合物1。表2 中示出了器件數(shù)據(jù)。
[0227] 表 2 [022引
[0229] 真空熱蒸發(fā)器件：
[0230] 通過高真空（<10 7托）熱蒸發(fā)制造器件實(shí)施例2和3W及對比器件實(shí)施例2-9。 表3中的器件實(shí)施例2和3W及對比器件實(shí)施例2-9的有機(jī)疊層依次由W下組成：從口0 表面，100埃的化合物D作為空穴注入層化IL)，300埃的a-NPD作為空穴傳輸層腳L)，滲 雜有15重量％化合物D的300埃的化合物1、化合物B或化合物C作為發(fā)光層（EML)，50 埃的化合物1、化合物B、化合物C、化合物III或化合物IV作為阻擋層度L)，W及400埃的 A1q3作為電子傳輸層巧化)。表3中示出了器件結(jié)構(gòu)和結(jié)果。
[0231] 表2總結(jié)了溶液加工的器件的數(shù)據(jù)。器件實(shí)施例1具有的操作穩(wěn)定性顯著高于對 比器件實(shí)施例1。器件實(shí)施例1的LTs。（定義為在室溫下于恒定電流密度下初始亮度L。從 100%降至90%所需的時(shí)間）為153小時(shí)，而對比器件實(shí)施例1的LTs。為39小時(shí)。盡管對 比器件實(shí)施例1在J=lOmA/cm2下的亮度效率（LE)更高（19.Icd/A)，但是器件實(shí)施例1 仍然相當(dāng)有效（14.4cd/A)。
[0232] 表 3
[0233]
[0234] *基于J= 20mA/cm2下的壽命試驗(yàn)計(jì)算
[0235] 表3總結(jié)了真空熱蒸發(fā)器件的數(shù)據(jù)。器件實(shí)施例2和對比器件實(shí)施例2具有相同 的結(jié)構(gòu)，區(qū)別在于器件實(shí)施例2具有化合物1作為主體，而對比器件實(shí)施例2具有化合物C 作為主體。運(yùn)兩種器件具有相似的效率（約16%的E犯）。但是，與對比器件實(shí)施例2相 比，器件實(shí)施例2顯著更穩(wěn)定。器件實(shí)施例2的LTs。為1063小時(shí)，而對比器件實(shí)施例2的 LTs。為600小時(shí)。器件實(shí)施例3和對比器件實(shí)施例3具有相同的結(jié)構(gòu)，區(qū)別在于器件實(shí)施例 3具有化合物1作為主體和化，而對比器件實(shí)施例3具有化合物B作為主體和化。運(yùn)兩種 器件具有相似的效率（約16%的E犯）。但是，與對比器件實(shí)施例3相比，器件實(shí)施例3顯 著更穩(wěn)定。器件實(shí)施例3的LTs。為861小時(shí)，而對比器件實(shí)施例1的LT8。為604小時(shí)。器 件實(shí)施例2和對比器件實(shí)施例4具有相同的結(jié)構(gòu)，區(qū)別在于器件實(shí)施例2具有化合物1作 為主體，而對比器件實(shí)施例4具有化合物I作為主體。與對比器件實(shí)施例4相比，器件實(shí)施 例2不僅具有更高的效率，而且其顯著更穩(wěn)定。器件實(shí)施例2的LTs。為1063小時(shí)，而對比 器件實(shí)施例4的LTs。為530小時(shí)。
[0236] 該數(shù)據(jù)表明了具有式1的化合物的兩個(gè)優(yōu)異特征。首先，與3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫 部分和二苯并嚷吩部分直接相連的化合物相比，3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫部分和二苯并嚷吩基 部分通過芳族基團(tuán)聯(lián)接的化合物1導(dǎo)致高的器件穩(wěn)定性。據(jù)認(rèn)為，芳族聯(lián)接基的存在對共 輛具有影響，從而改善了器件穩(wěn)定性。其次，具有巧挫和二苯并嚷吩部分的化合物差于具有 3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫和二苯并嚷吩部分的化合物，即使具有芳族聯(lián)接基。3, 9-聯(lián)接的低聚 巧挫（本文提供的化合物中的主要HOMO貢獻(xiàn)體）比巧挫更富含電子?；衔?的氧化和還 原電位分別為0. 74V和-2. 73V(相對于Fc/Fc+)?；衔顲的氧化和還原電位分別為0. 91V 和-2. 84V?；衔?的較高的HOMO能級可W增加從HTL的空穴注入W及在EML中的空穴 傳輸。運(yùn)可導(dǎo)致更好的器件電荷平衡和/或電荷復(fù)合的位置，從而導(dǎo)致改善的器件壽命。
[0237] 化合物B的氧化和還原電位分別為0. 74V和-2. 78V。盡管化合物1和化合物B的 HOMO能級相似，但是化合物1的LUM0能級略低，據(jù)推測運(yùn)是由于由聯(lián)苯聯(lián)接基所提供的額 外n-體系。通常，在含有具有芳族聯(lián)接基的3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫部分和二苯并嚷吩部分 的化合物中，通過取代基對n-共輛、熱性能和另外的結(jié)構(gòu)/電子性能改變的控制比不具有 芳族聯(lián)接基的對應(yīng)化合物中的更好。除了電子性能中的差異，據(jù)認(rèn)為，化合物1提供的形態(tài) 和形態(tài)穩(wěn)定性好于化合物B和化合物C，從而導(dǎo)致改進(jìn)的器件壽命。特別地，具有不對稱結(jié) 構(gòu)例如3, 9-聯(lián)接的低聚巧挫結(jié)構(gòu)的材料可W提供改進(jìn)的成膜。改進(jìn)的成膜據(jù)認(rèn)為是由于 化合物的不對稱結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致的減小的結(jié)晶的結(jié)果。運(yùn)已被通過使用所述化合物作為主體材 料的溶液加工器件的出乎預(yù)料的結(jié)果所證實(shí)。
[023引應(yīng)當(dāng)理解的是，本文所述的各種實(shí)施方案僅作為示例，而并不意圖限制本發(fā)明的 范圍。例如，本文所述的材料和結(jié)構(gòu)中的很多可W用其它材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行替代而不背離本 發(fā)明的精神。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將清楚，要求保護(hù)的本發(fā)明因此可W包括本文所述的具體 實(shí)施例和優(yōu)選實(shí)施方案的變型。應(yīng)當(dāng)理解的是，關(guān)于本發(fā)明為何工作的各種理論并不意圖 進(jìn)行限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種化合物，具有下式：其中，n為1-20 ; 其中，心1、護(hù)2、護(hù)3和心巧氨； 其中，R。是氨或芳基； 其中，Rb是氨； 其中，X為其中，A、B、C和D獨(dú)立地選自于由W下構(gòu)成的組：其中，A、B、C和D任選地進(jìn)一步由R。取代； 其中，p、q、r和S中的每一個(gè)為0、1、2、3或4 及 其中，p+q+r+s至少為1 ;W及 其中，Y為進(jìn)一步由Rb取代的二苯并嚷吩、二苯并巧喃、二苯并砸吩、氮雜-二苯并嚷 吩、氮雜-二苯并巧喃、或氮雜-二苯并砸吩。2. 如權(quán)利要求1所述的化合物，其中，n為1、2或3。3. 如權(quán)利要求1所述的化合物，其中，n為1。4. 如權(quán)利要求1所述的化合物，其中，A、B、C和D為5. 如權(quán)利要求1所述的化合物，其中，Y為2-二苯并嚷吩基，4-二苯并嚷吩基，2-二苯 并巧喃基，或4-二苯并巧喃基。6.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中，所述化合物選自于由W下構(gòu)成的組：7. 如權(quán)利要求I所述的化合物，其中，所述化合物具有下式：其中X為聯(lián)苯基；且 其中Y為二苯并嚷吩。8. 如權(quán)利要求1所述的化合物，其中，X選自苯基、聯(lián)苯基、=苯基、四苯基、糞、和=亞 苯。9. 第一器件，包括有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件包括： 陽極； 陰極訊 置于所述陽極與所述陰極之間的第一有機(jī)層，所述第一有機(jī)層包含具有下式的化合 物：其中，n為1-20 ; 其中，心1、護(hù)2、護(hù)3和心巧氨； 其中，R。是氨或芳基； 其中，Rb是氨； 其中，X為其中，A、B、C和D獨(dú)立地選自于由W下構(gòu)成的組：其中，A、B、C和D任選地進(jìn)一步由R。取代； 其中，p、q、r和S中的每一個(gè)為0、1、2、3或4 及 其中，p+q+r+s至少為1 ;W及 其中，Y為進(jìn)一步由Rb取代的二苯并嚷吩、二苯并巧喃、二苯并砸吩、氮雜-二苯并嚷 吩、氮雜-二苯并巧喃、或氮雜-二苯并砸吩。10. 如權(quán)利要求9所述的第一器件，其中，n為1、2或3。11. 如權(quán)利要求9所述的第一器件，其中，A、B、C和D為12. 如權(quán)利要求9所述的第一器件，其中，Y為2-二苯并嚷吩基，4-二苯并嚷吩基，2-二 苯并巧喃基，或4-二苯并巧喃基。13. 如權(quán)利要求9所述的第一器件，其中，所述化合物選自于由W下構(gòu)成的組：14. 如權(quán)利要求9所述的第一器件，其中，所述第一有機(jī)層為發(fā)光層，并且具有式I的所 述化合物為主體15. 如權(quán)利要求11所述的第一器件，其中，所述第一有機(jī)層還包含具有下式的發(fā)光滲 雜劑，其中，A為5或6元碳環(huán)或雜環(huán)； 其中，Ri、Rz和R3獨(dú)立地表示單、雙、S或四取代； 其中，Ri、R2和Rs中的每一個(gè)獨(dú)立地選自于由氨、気、烷基、烷氧基、氨基、締基、烘基、芳 烷基、芳基和雜芳基構(gòu)成的組； 其中，n為1、2或3 及 其中，X-Y為輔助配體。16. 如權(quán)利要求15所述的第一器件，其中，所述發(fā)光滲雜劑選自于由W下構(gòu)成的組：17. 如權(quán)利要求9所述的第一器件，其中，所述器件還包含第二有機(jī)層，所述第二有機(jī) 層是非發(fā)光層，并且具有式I的所述化合物是所述第二有機(jī)層中的材料。18. 如權(quán)利要求17所述的第一器件，其中，所述第二有機(jī)層為阻擋層，并且具有式I的 所述化合物是所述第二有機(jī)層中的阻擋材料。19. 如權(quán)利要求9所述的第一器件，其中，使用溶液加工布置所述第一有機(jī)層。20. 如權(quán)利要求9所述的第一器件，其中，所述器件是有機(jī)發(fā)光器件和消費(fèi)產(chǎn)品中的至 少一種。
【專利摘要】本申請涉及含有被芳族間隔基隔開的DBT和DBF片段的基于3,9-聯(lián)接的低聚咔唑的新型主體。提供了包含3,9-聯(lián)接的低聚咔唑部分和二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃或氮雜-二苯并硒吩的化合物。所述3,9-聯(lián)接的低聚咔唑和二苯并或氮雜-二苯并部分被芳族間隔基隔開。所述化合物可以用作磷光OLED的非發(fā)光材料以提供具有改進(jìn)性能的設(shè)計(jì)。
【IPC分類】C07D405/14, C07D495/04, H01L51/54, C07D409/14
【公開號】CN105198868
【申請?zhí)枴緾N201510672186
【發(fā)明人】A·大金
【申請人】通用顯示公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2011年10月7日
【公告號】CN103155195A, CN103155195B, DE112011103404T5, US8932734, US20120086329, US20150097176, WO2012048266A1