過切割具有15 Ω/cm2的薄層電阻的ITO 玻璃基底至50mmX50mmX0· 7mm的尺寸，分別在丙酮、異丙醇和純水中超聲波-清洗它們 5分鐘，UV臭氧清洗它們30分鐘制造陽(yáng)極。在基底上，以0. 1至0. 3nm/s范圍內(nèi)的沉積速 度，通過沉積N4, N4' -二（萘-1-基）-N4, N4' -二苯基聯(lián)苯基-4, 4' -二胺（NPB) (80nm)至 650X 10 7Pa的真空度，形成親)〇人-厚的空穴傳輸層（HTL)。隨后，在相同真空沉積條件之 下，通過使用根據(jù)合成實(shí)施例8的化合物1形成300 A -厚的發(fā)射層，并且在此，同時(shí)沉積 作為磷光摻雜物的Ir (PPy) 3。在此，通過調(diào)整磷光摻雜物的沉積速度，基于lOOwt%的發(fā)射 層，沉積7wt %的量的磷光摻雜物。在發(fā)射層上，在相同的真空沉積條件之下，通過沉積雙 (2-甲基-8-羥基喹啉）-4-(苯基苯酚）鋁（BAlq)形成50 A-厚的空穴阻擋層。隨后，在 相同的真空沉積條件之下，通過沉積Alq3形成200 A-厚的電子傳輸層（ETL)。在電子傳輸 層（ETL)上，通過順序沉積LiF和A1，制造有機(jī)光電器件形成陰極。有機(jī)光電器件具有ITO/ NPB (80nm) /EML (化合物 I (93wt % ) +Ir (PPy) 3 (7wt % )，30nm) /Balq (5nm) /Alq3 (20nm) / LiF (Inm)/Al (IOOnm)的結(jié)構(gòu)。
[0188] 實(shí)施例2
[0189] 除了使用根據(jù)合成實(shí)施例9的化合物2代替根據(jù)合成實(shí)施例8的化合物I之外， 根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。
[0190] 實(shí)施例3
[0191] 除了使用根據(jù)合成實(shí)施例10的化合物3代替根據(jù)合成實(shí)施例8的化合物1之外， 根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。
[0192] 實(shí)施例4
[0193] 除了使用根據(jù)合成實(shí)施例11的化合物4代替根據(jù)合成實(shí)施例8的化合物1之外， 根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。
[0194] 實(shí)施例5
[0195] 除了使用根據(jù)合成實(shí)施例12的化合物5代替根據(jù)合成實(shí)施例8的化合物1之外， 根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。
[0196] 比較實(shí)施例1
[0197] 除了使用CBP代替根據(jù)合成實(shí)施例8的化合物1以外，根據(jù)與實(shí)施例1相同的方 法制造有機(jī)發(fā)光二極管。以下提供了 CBP的結(jié)構(gòu)。
[0198] 以下還提供了用于制造有機(jī)發(fā)光二極管的NPB、BAlq、CBP和Ir (PPy) 3的結(jié)構(gòu)。
[0200] 迸估
[0201] 測(cè)量取決于根據(jù)實(shí)施例1至5和比較實(shí)施例1的每一有機(jī)發(fā)光二極管的電壓和發(fā) 光效率的電流密度和亮度變化。在以下的方法中進(jìn)行具體地測(cè)量并且在下表1中提供了結(jié) 果。
[0202] (1)取決于電壓變化的電流密度變化的測(cè)量
[0203] 當(dāng)增加電壓時(shí)，使用電流-電壓計(jì)（吉時(shí)利2400)測(cè)量有機(jī)發(fā)光二極管中流動(dòng)的 電流值，測(cè)量的電流值除以面積（area)從而提供結(jié)果。對(duì)于制造成的有機(jī)發(fā)光元件，使其 電壓從OV上升到10V，同時(shí)利用電流-電壓計(jì)（Keithley 2400)測(cè)量流過單位元件的電流 值，測(cè)量的電流值除以面積（area)從而提供結(jié)果。
[0204] (2)取決于電壓變化的亮度變化的測(cè)量
[0205] 當(dāng)增加電壓時(shí)使用亮度計(jì)（美能達(dá)Cs-ΙΟΟΟΑ)測(cè)量用于亮度的有機(jī)發(fā)光二極管的 亮度。對(duì)于制造成的有機(jī)發(fā)光元件，使其電壓從OV上升到10V，同時(shí)利用亮度計(jì)（美能達(dá) Cs-ΙΟΟΟΑ)測(cè)量其亮度。
[0206] (3)發(fā)光效率的測(cè)量
[0207] 通過使用來自于項(xiàng)目（1)和（2)的亮度、電流密度，和電壓計(jì)算相同電流密度 (10mA/cm2)處的電流效率（cd/A)。
[0208] (表 1)

[0211] 參照表1的結(jié)果，根據(jù)實(shí)施例1至5的有機(jī)發(fā)光二極管與根據(jù)比較實(shí)施例1的有 機(jī)發(fā)光二極管相比，示出了減少的驅(qū)動(dòng)電壓和改進(jìn)的發(fā)光效率。
[0212] 原因在于，由于在很好地接受空穴的苯并菲基基團(tuán)和很好地接受電子的取代基之 間的適當(dāng)平衡，在根據(jù)實(shí)施例1至5的有機(jī)發(fā)光二極管中使用的發(fā)射層的化合物使電子和 空穴流動(dòng)平穩(wěn)。因此，根據(jù)實(shí)施例1至5的有機(jī)發(fā)光二極管與根據(jù)比較實(shí)施例1的有機(jī)發(fā) 光二極管相比，在更低的驅(qū)動(dòng)電壓處發(fā)光并且同時(shí)，顯示出改進(jìn)的發(fā)光效率。
[0213] 雖然連同目前被認(rèn)為是實(shí)際的示例性的實(shí)施方式已經(jīng)描述了本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)理解的 是，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施方式，但是，正相反，其旨在覆蓋在附加的權(quán)利要求的精神 和范圍內(nèi)包括的不同的修改和等價(jià)布置。因此，前述實(shí)施方式應(yīng)當(dāng)被理解成是示例性的但 不以任何方式限制本發(fā)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)化合物，由W下化學(xué)式I表示： [化學(xué)乂 1] 其中，在化學(xué)式1中，當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí)，ET是能夠接受電子的官能團(tuán)， Ri至R6獨(dú)立地是氨、気、取代的或未取代的Cl至C30烷基基團(tuán)、取代的或未取代的Cl至C12芳基基團(tuán)、或它們的組合， R7和R8獨(dú)立地是氨、気、取代的或未取代的Cl至ClO烷基基團(tuán)或彼此連接W形成稠環(huán)， 并且 n是范圍從0至3的整數(shù)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)化合物，其中，所述有機(jī)化合物由化學(xué)式I-I或化學(xué)式 1-II表不： [化學(xué)式1巧其中，在化學(xué)式I-I或I-II中， 當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí)，ET是能夠接受電子的官能團(tuán)， Ri至R6獨(dú)立地是氨、気、取代的或未取代的Cl至C30烷基基團(tuán)、取代的或未取代的Cl至C12芳基基團(tuán)、或它們的組合， R7和R8獨(dú)立地是氨、気、取代的或未取代的Cl至ClO烷基基團(tuán)或彼此連接W形成稠環(huán)， 并且 n是范圍從0至3的整數(shù)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)化合物，其中，所述ET包含雜芳基基團(tuán)，所述雜芳基基團(tuán) 包含至少一個(gè)氮。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)化合物，其中，所述ET是由化學(xué)式2表示的官能團(tuán)： [化畢式2]其中，在化學(xué)式2中， Z各自獨(dú)立地是N或CR3， 至少一個(gè)Z是N， R9至RI2和Ra各自獨(dú)立地是氨、気、取代的或未取代的Cl至ClO烷基基團(tuán)、取代的或未 取代的C6至C12芳基基團(tuán)、或它們的組合，并且 nl和n2各自獨(dú)立地是0或1。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)化合物，其中，由化學(xué)式2表示的所述官能團(tuán)是組1中列 出的官能團(tuán)中的一種： [組U6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)化合物，其中，ET是組2中列出的取代或未取代的官能 團(tuán)： [組巧其中，在組2中， W各自獨(dú)立地是N、0、S、SO、S〇2、CR。、CRdRE、SiRf或SiR BRh, Z各自獨(dú)立地是N、C或CRi， 其中，r至R1各自獨(dú)立地是氨、気、取代的或未取代的Cl至C30烷基基團(tuán)、取代的或未 取代的C3至C30環(huán)烷基基團(tuán)、取代的或未取代的C3至C30雜環(huán)烷基基團(tuán)、取代的或未取代 的C6至C30芳基基團(tuán)、取代的或未取代的C3至C30雜芳基基團(tuán)、取代的或未取代的胺基團(tuán)、 取代的或未取代的C6至C30芳胺基團(tuán)、取代的或未取代的C6至C30雜芳胺基團(tuán)、取代的或 未取代的Cl至C30烷氧基基團(tuán)、取代的或未取代的C2至C30燒氧幾基基團(tuán)、取代的或未取 代的C2至C30燒氧幾基氨基基團(tuán)、取代的或未取代的C7至C30芳氧幾基氨基基團(tuán)、取代的 或未取代的Cl至C30橫酷基氨基基團(tuán)、取代的或未取代的C2至C30締基基團(tuán)、取代的或未 取代的C2至C30烘基基團(tuán)、取代的或未取代的甲娃烷基基團(tuán)、取代的或未取代的甲硅烷氧 基基團(tuán)、取代的或未取代的Cl至C30酷基基團(tuán)、取代的或未取代的Cl至C20酷氧基基團(tuán)、 取代的或未取代的Cl至C20酷氨基基團(tuán)、取代的或未取代的Cl至C30橫酷基基團(tuán)、取代的 或未取代的Cl至C30烷基硫醇基團(tuán)、取代的或未取代的Cl至C30雜環(huán)硫醇基團(tuán)、取代的或 未取代的C6至C30芳基硫醇基團(tuán)、取代的或未取代的Cl至C30雜芳基硫醇基團(tuán)、取代的或 未取代的Cl至C30酷脈基團(tuán)、面素、含面素基團(tuán)、氯基基團(tuán)、徑基基團(tuán)、氨基基團(tuán)、硝基基團(tuán)、 簇基基團(tuán)、二茂鐵基基團(tuán)、或它們的組合，并且 *是連接官能團(tuán)的元素的連接點(diǎn)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)化合物，其中，在組2中列出的所述取代或未取代的官能 團(tuán)是組3中列出的取代或未取代的官能團(tuán)： [組別Q8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)化合物，其是在組4中列出的化合物： 魄4]9. 根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)化合物，其中，所述有機(jī)化合物具有-2.O至-2. 5eV的 LUMO能量。10. -種有機(jī)光電子器件，包括 面向彼此的陽(yáng)極和陰極， 在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的至少一個(gè)有機(jī)層， 其中，所述有機(jī)層包含權(quán)利要求1至權(quán)利要求9中任一項(xiàng)所述的有機(jī)化合物。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)光電子器件，其中 所述有機(jī)層包括發(fā)射層， 所述發(fā)射層包含所述有機(jī)化合物。12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)光電子器件，其中，在發(fā)射層包括作為主體的所述有機(jī) 化合物。13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)光電子器件，其中，所述有機(jī)層包括選自W下的至少 一個(gè)輔助層：空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、和空穴阻擋 層，并且 所述輔助層包含所述有機(jī)化合物。14. 一種包括權(quán)利要求10所述的有機(jī)光電子器件的顯示器件。
【專利摘要】本發(fā)明涉及由式1表示的有機(jī)化合物、包含該有機(jī)化合物的有機(jī)光電子元件、以及包括該有機(jī)光電子元件的顯示器件。
【IPC分類】C07D471/04, C07D251/24, H01L51/50, C09K11/06
【公開號(hào)】CN105209442
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380076662
【發(fā)明人】李韓壹, 柳銀善, 姜東敏, 姜義洙, 樸永盛, 申智勛, 梁容卓, 吳在鎮(zhèn), 柳東圭, 李相信, 張洧娜, 鄭守泳, 韓秀真, 洪振碩
【申請(qǐng)人】第一毛織株式會(huì)社
【公開日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2013年8月8日
【公告號(hào)】EP2998300A1, US20150364694, WO2014185589A1