8埃的孔口以及具有約2. 38的桑 德森電負性。
[0130] 使如表1中指明的含有CF3C = CH雜質(zhì)的氣體HF0-1234yf試樣在室溫下通過含 有約100 ml活化沸石13X的洗滌器（7英寸長，1. 25英寸ID)。由GC和GC-MS分析來自洗 滌器的排出氣體。分析結(jié)果也在表1中列出。
[0131] 實施例10-11 (對比） 實施例10-11說明不能由沸石CBV-600去除HF0-1234yf中含有的CF3C = CH雜質(zhì)。沸 石CBV-600具有約8埃的孔口以及具有約2. 95的桑德森電負性。
[0132] 使如表1中指明的含有CF3C = CH雜質(zhì)的氣體HF0_1234yf試樣在室溫下通過含 有約100 ml活化沸石CBV-600的洗滌器（7英寸長，1. 25英寸ID)。由GC和GC-MS分析來 自洗滌器的排出氣體。分析結(jié)果也在表1中列出。
[0133] 實施例12 實施例12說明在與沸石AW-300接觸之后，可以降低CF3C = CH雜質(zhì)與HF0-1234yf的 混合物中的CF3C = CH雜質(zhì)的濃度。沸石AW-300具有約4埃的孔口以及具有約2. 85的桑 德森電負性。
[0134] 使如表1中指明的含有CF3C = CH雜質(zhì)的氣體HF0_1234yf試樣在室溫下通過含 有約100 ml活化沸石AW-300的洗滌器（7英寸長，1. 25英寸ID)。由GC和GC-MS分析來 自洗滌器的排出氣體。分析結(jié)果也在表1中列出。
[0135] 實施例13 實施例13說明在與沸石AW-500接觸之后，可以降低CF3C = CH雜質(zhì)與HF0-1234yf的 混合物中的CF3C = CH雜質(zhì)的濃度。沸石AW-500具有約4埃的孔口以及具有約2. 77的桑 德森電負性。
[0136] 使如表1中指明的含有CF3C = CH雜質(zhì)的氣體HF0_1234yf試樣在室溫下通過含 有約100 ml活化沸石AW-500的洗滌器（7英寸長，1. 25英寸ID)。由GC和GC-MS分析來 自洗滌器的排出氣體。分析結(jié)果也在表1中列出。
[0137] 注意以上概述或?qū)嵤├忻枋龅乃谢罨⒎嵌夹枰?，可能不需要一部分特殊?化，除描述的那些之外，可以實施一次或多次進一步活化。更進一步，其中所列活化的順序 并非必然是實施它們的順序。
[0138] 在上述說明書中，已經(jīng)根據(jù)特殊實施方案描述構(gòu)思。但是，本領域普通技術(shù)人員理 解可以進行各種改進和變化而不脫離如以下權(quán)利要求中闡明的本發(fā)明的范圍。因此，說明 書被認為是說明性的而非限制性的含義，以及意圖將所有這種改進包括在本發(fā)明范圍內(nèi)。
[0139] 以上根據(jù)特殊實施方案描述了好處、其它優(yōu)點和問題的解決方案。但是，可能導致 任何好處、優(yōu)點或解決方案出現(xiàn)或變得更加顯著的好處、優(yōu)點、問題解決方案和任何一個或 多個特征并不被認為是任何或所有權(quán)利要求的關鍵、所需或必要的特征。
[0140] 應理解為了清楚，在獨立的實施方案的背景下描述的某些特征也可以在單一實施 方案中以組合的形式提供。相反地，為了簡便起見，單一實施方案的背景下描述的各個特征 也可以單獨地或以任何子組合的形式提供。
【主權(quán)項】
1. 方法，其包括：使包含至少一種氟烯烴和至少一種Rfc=CX雜質(zhì)的混合物與至少一 種沸石接觸，以降低所述混合物中所述至少一種RfC=CX雜質(zhì)的濃度； 其中： (a) Rf為直鏈全氟化烷基，X為H、F、Cl、Br或I;和 (b) 所述至少一種沸石選自具有至少4埃和不大于約5埃的孔口的沸石、具有至少約 5埃的孔口和不大于約2. 6的桑德森電負性的沸石及其混合物；條件是所述至少一種沸石 不是沸石4A。2. 權(quán)利要求1的方法，其中所述混合物中所述至少一種氟烯烴的量為至少90重量％， 基于所述混合物的總重量計。3. 權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一種氟烯烴選自CF3CF=CH2、CF3CH=CHF、CF3CH=CH2、 cf3cci=ch2、cf3ch=chci、cf3ch=cfci、cf3ch=cf2、cf3cci=chf、cf3cf=chf、cf3cf=chci、 CF3CH=CC12、CF3CC1=CHC1及其混合物，和其中所述至少一種RfCΞCX雜質(zhì)選自CF3CΞCH、CF3CΞCC1、CF3CΞCF及其混合物。4. 權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一種氟烯烴選自cf3cf=ch2、cf3ch=chf、cf3ch=ch2、 CF3CC1=CH2、CF3CH=CHC1、CF3CF=CHC1及其混合物，和其中所述至少一種RfCΞCX雜質(zhì)選自 CF3CECH、CF3CECC1、CF3CECF及其混合物。5. 權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一種氟烯烴選自CF3CF=CH2、CF3CH=CHF、 CF3CC1=CH2、CF3CH=CHC1及其混合物，和其中所述至少一種RfCΞCX雜質(zhì)選自CF3CΞCH、 CF3CΞCC1及其混合物。6. 權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一種氟烯烴為CF3CF=CH2，和其中所述至少一種 RfCΞCX雜質(zhì)選自CF3CΞCH、CF3CΞCC1及其混合物。7. 權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一種氟烯烴為CF3CF=CH2，和其中所述至少一種 RfcΞCX雜質(zhì)為CF3CΞCH。8. 權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一種氟烯烴為CF3CH=CHF，和其中所述至少一種 RfcΞCX雜質(zhì)為CF3CΞCH。9. 權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一種氟烯烴為CF3CF=CHjPCF3CH=CHF的混合物， 和其中所述至少一種RfcΞCX雜質(zhì)為CF3CΞCH。10. 權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一種氟烯烴為CF3CH=CHC1，和其中所述至少一種 RfcΞCX雜質(zhì)為CF3CΞCH。11. 權(quán)利要求1至10任一項的方法，其中所述至少一種沸石具有至少約5埃的孔口和 不大于約2. 6的桑德森電負性。12. 權(quán)利要求1至10任一項的方法，其中所述至少一種沸石選自沸石5A、沸石13X、沸 石LSX、沸石AW-300、沸石AW-500及其混合物。13. 權(quán)利要求1至10任一項的方法，其中所述至少一種沸石為沸石5A、沸石13X或其 混合物。14. 權(quán)利要求1至13任一項的方法，其中所述混合物中所述至少一種RfC=CX雜質(zhì)的 濃度減少到300ppm或更少。15. 權(quán)利要求1至13任一項的方法，其中所述混合物中所述至少一種RfC=CX雜質(zhì)的 量減少至少約20%。16. 權(quán)利要求1至15任一項的方法，其進一步包括回收所述至少一種氟烯烴，該至少一 種氟烯烴具有降低濃度的所述至少一種RfC=CX雜質(zhì)。17. 用于制備至少一種選自CF3CF=CH2、CF3CH=CHF及其混合物的氫四氟丙烯產(chǎn)物的方 法，其包括： (a) 將至少一種選自CF3CFC1CH3、CF3CHFCH2C1、CF3CHC1CH2F、CF3CH2CHFC1、cf3chfch2f、 CF3CH2CF2H、CF3CF2CH3及其混合物的起始材料脫鹵化氫，以產(chǎn)生包含CF3CeCH雜質(zhì)和所述 至少一種氫四氟丙烯產(chǎn)物的產(chǎn)物混合物； (b) 使所述產(chǎn)物混合物與至少一種沸石接觸，以降低所述產(chǎn)物混合物中所述CF3C=CH 雜質(zhì)的濃度；和 (c) 回收具有降低濃度的所述CF3C=CH雜質(zhì)的所述至少一種氫四氟丙烯產(chǎn)物； 其中所述至少一種沸石選自具有至少4埃和不大于約5埃的孔口的沸石、具有至少約 5埃的孔口和不大于約2. 6的桑德森電負性的沸石及其混合物；條件是所述至少一種沸石 不是沸石4A。18. 權(quán)利要求17的方法，其中所述至少一種氫四氟丙烯產(chǎn)物為CF3CF=CH2，和所述至少 一種起始材料選自CF3CFC1CH3、CF3CHFCH2C1、CF3CHFCH2F、CF3CF2CH3及其混合物。19. 權(quán)利要求18的方法，其中所述至少一種起始材料為CF3CFC1CH3。20. 權(quán)利要求18的方法，其中所述至少一種起始材料為CF3CHFCH2F。21. 權(quán)利要求17的方法，其中所述至少一種氫四氟丙烯產(chǎn)物為CF3CH=CHF，和所述至少 一種起始材料選自CF3CH2CHF2、CF3CH2CHFC1、CF3CHC1CH2F及其混合物。22. 權(quán)利要求17至21任一項的方法，其中所述產(chǎn)物混合物中所述CF3C=CH雜質(zhì)的濃 度在接觸步驟（b)中減少到300ppm或更少。23. 權(quán)利要求17至21任一項的方法，其中接觸步驟（b)將所述產(chǎn)物中所述CF3C=CH 雜質(zhì)的量減少至少約20重量％，相對于最初存在的量計。24. 用于制備至少一種選自CF3CC1=CH2、CF3CH=CHC1及其混合物的氫氯三氟丙烯產(chǎn)物 的方法，其包括： (a) 將至少一種選自CF3CC12CH3、CF3CHC1CH2C1、CF3CHC1CH2F、CF3CH2CHC12、CF3CHFCH2C1、 CF3CFC1CH3、CF3CH2CHFC1及其混合物的起始材料脫鹵化氫，以產(chǎn)生包含CF3C=CH雜質(zhì)和所 述至少一種氫氯三氟丙烯產(chǎn)物的產(chǎn)物混合物； (b) 使所述產(chǎn)物混合物與至少一種沸石接觸，以降低所述產(chǎn)物混合物中所述CF3C=CH 雜質(zhì)的濃度；和 (C)回收具有降低濃度的所述CF3C=CH雜質(zhì)的所述至少一種氫氯三氟丙烯產(chǎn)物； 其中所述至少一種沸石選自具有至少4埃和不大于約5埃的孔口的沸石、具有至少約 5埃的孔口和不大于約2. 6的桑德森電負性的沸石及其混合物；條件是所述至少一種沸石 不是沸石4A。25. 權(quán)利要求24的方法，其中所述至少一種氫氯三氟丙烯產(chǎn)物為CF3CH=CHC1，和所述 至少一種起始材料選自CF3CHC1CH2C1、CF3CH2CHC12及其混合物。26. 權(quán)利要求24的方法，其中所述至少一種氫氯三氟丙烯產(chǎn)物為CF3CHC1=CH2，和所述 至少一種起始材料選自CF3CHC1CH2C1、CF3CC12CH3及其混合物。27. 權(quán)利要求24、25或26的方法，其中所述產(chǎn)物混合物中所述CF3C=CH雜質(zhì)的濃度 在接觸步驟（b)中減少到300ppm或更少。28. 權(quán)利要求24、25或26的方法，其中接觸步驟（b)將所述產(chǎn)物中所述CF3C=CH雜 質(zhì)的量減少至少約20重量％，相對于最初存在的量計。29. 權(quán)利要求17至28任一項的方法，其中所述至少一種沸石具有至少約5埃的孔口和 具有不大于約2. 6的桑德森電負性。30. 權(quán)利要求17至28任一項的方法，其中所述至少一種沸石選自沸石5A、沸石13X、沸 石LSX、沸石AW-300、沸石AW-500及其混合物。31. 權(quán)利要求17至28任一項的方法，其中所述至少一種沸石為沸石5A、沸石13X或其 混合物。32. 用于制備2, 3, 3, 3-四氟丙烯的方法，其包括： (i) 提供包含式I、II或III的化合物的起始組合物： CX2=CC1 -CH2X(I)； CX3-CC1=CH2 (II);或 cx3-chci-ch2x(III) 其中X獨立地選自F、Cl、Br和I，條件是至少一個X不為氟； (ii) 使所述起始組合物與第一氟化劑接觸，以產(chǎn)生包含2-氯-3, 3, 3-三氟丙烯和第 一含氯副產(chǎn)物的第一中間體組合物； (iii) 使第一中間體組合物與第二氟化劑接觸，以產(chǎn)生包含2-氯-1，1，1，2-四氟丙烷 和2-氯-3, 3, 3-三氟丙烯的第二中間體組合物； (iv) 將至少一部分包含2-氯-1，1，1，2-四氟丙烷的第二中間體組合物脫氯化氫，以 產(chǎn)生包含2, 3, 3, 3-四氟丙烯和CF3C=CH雜質(zhì)的反應產(chǎn)物； (v) 使步驟（iv)中產(chǎn)生的所述反應產(chǎn)物與至少一種沸石接觸，以減少所述產(chǎn)物混合 物中所述CF3C=CH雜質(zhì)的濃度，其中所述至少一種沸石選自具有至少4埃和不大于約5埃 的孔口的沸石、具有至少約5埃的孔口和不大于約2. 6的桑德森電負性的沸石及其混合物； 條件是所述至少一種沸石不是沸石4A;和 (vi) 從步驟（v)的所述產(chǎn)物混合物中回收所述2, 3, 3, 3-四氟丙烯，所述2, 3, 3, 3-四 氟丙烯具有存在的降低濃度的所述CF3C=CH雜質(zhì)，相對于步驟（iv)的所述反應產(chǎn)物中最 初存在的量計。
【專利摘要】本公開內(nèi)容涉及方法，其包括：使包含至少一種氟烯烴和至少一種炔烴雜質(zhì)的混合物與至少一種沸石接觸，以降低該混合物中所述至少一種炔烴雜質(zhì)的濃度；其中Rf為直鏈全氟化烷基，X為H、F、Cl、Br或I；和該至少一種沸石選自具有至少4埃和不大于約5埃的孔口的沸石、具有至少約5埃的孔口和不大于約2.6的桑德森電負性的沸石及其混合物；條件是該至少一種沸石不是沸石4A。本公開內(nèi)容還涉及用于制備至少一種選自CF3CF=CH2、CF3CH=CHF及其混合物的氫四氟丙烯產(chǎn)物的方法；和涉及用于制備至少一種選自CF3CCl=CH2、CF3CH=CHCl及其混合物的氫氯三氟丙烯產(chǎn)物的方法。
【IPC分類】C07C21/22, B01J29/06, C07C17/25
【公開號】CN105431399
【申請?zhí)枴緾N201480027843
【發(fā)明人】M.J.納帕, 孫學慧, D.R.科爾賓, H.科普卡利, 汪海有
【申請人】得凱莫斯公司弗羅里達有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2014年3月14日
【公告號】EP2970055A1, WO2014152325A1