用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑片及其制造方法
【專利說明】
[00011 本申請是申請日為2011年9月27日，申請?zhí)枮?01110296447.4,發(fā)明名稱為"用于 半導(dǎo)體裝置的粘合劑片及其制造方法"的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑片及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉 及一種用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑片及其制造方法，其中離型元件具有未切割部分厚度與離 型元件總厚度的預(yù)定比例、切割部分之間的預(yù)定距離、以及40N/15mm或更大的剪切強度，從 而保持卷形穩(wěn)定性。
【背景技術(shù)】
[0003]在將半導(dǎo)體晶圓切割成單個芯片的工藝中，芯片貼附膜貼附到晶圓的背面。芯片 貼附膜可具有雙層結(jié)構(gòu)，其中切割膜與接合膜組合用作晶圓貼附的接合層。
[0004]已知有將具有這種雙層結(jié)構(gòu)的粘合劑片預(yù)切成構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的晶圓形狀的方 法。預(yù)切工藝是對應(yīng)于晶圓形狀預(yù)切接合膜，并從接合膜而非與晶圓接合部分去除樹脂層 的工藝。在預(yù)切工藝中，將接合膜對應(yīng)于晶圓形狀預(yù)切，并與壓敏粘合劑膜接合，再進行預(yù) 切工藝。
[0005]然而，如果在預(yù)切工藝中刀片深深地穿入粘合劑片中，則粘合劑片會被用于保持 卷形而施加的卷繞張力損壞。相反，如果施加弱卷繞張力以防止這種損壞，粘合劑片具有較 低卷的卷繞性能，導(dǎo)致卷形穩(wěn)定性的問題。
[0006]此外，在預(yù)切工藝中，盡管在粘合劑片的形狀穩(wěn)定性方面，切割部分的深度至關(guān)重 要，然而難以在制造工藝中測定深度，且該深度可根據(jù)因刀片的磨損刀口的位置而不一致。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的一個方面提供一種用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑片，所述粘合劑片包括依次 堆疊的離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜。所述離型元件包括從所述接合層的橫側(cè)沿 著所述接合層的外圍形成的第一切割部分，和沿著所述壓敏粘合劑層和所述基膜的外圍形 成的第二切割部分。所述第一切割部分和所述第二切割部分厚度各自可小于所述離型元件 的厚度，且所述離型元件可具有40N/15mm至90N/15mm范圍內(nèi)的剪切強度。
[0008]在一個實施方式中，從所述離型元件除去所述第一切割部分或所述第二切割部分 產(chǎn)生的未切割部分厚度可為所述離型元件厚度的20%至80%。
[0009]在一個實施方式中，從所述離型元件除去所述第二切割部分產(chǎn)生的未切割部分厚 度與從所述離型元件除去所述第一切割部分產(chǎn)生的未切割部分厚度之比可大于1。
[0010] 在一個實施方式中，所述未切割部分厚度可為所述離型元件總厚度的30%至 70%，且所述離型元件可具有40N/15mm至90N/15mm的剪切強度。
[0011] 在一個實施方式中，所述第一切割部分和所述第二切割部分之間的距離可為10_ 至30mm〇
[0012] 本發(fā)明另一個方面提供了一種用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑片的制造方法，所述用于 半導(dǎo)體裝置的粘合劑片包括依次堆疊的離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜，所述方法 包括：
[0013]在所述離型元件上堆積所述接合層；
[0014]從所述接合層接觸所述離型元件的面的相反面將第一預(yù)切刀片置于所述離型元 件中并將所述接合層切成第一平面形狀來形成第一切割部分；
[0015]去除具有第一平面形狀部分之外的所述接合層；
[0016] 在所述接合層上堆積壓敏粘合劑片，使得所述壓敏粘合劑層和所述基膜堆疊，同 時相互接觸；以及
[0017]從所述基膜接觸所述壓敏粘合劑層的面的相反面將第二預(yù)切刀片置于所述離型 元件中并將所述壓敏粘合劑片切成第二平面形狀來形成第二切割部分；
[0018]其中所述第一切割部分和所述第二切割部分各自具有比所述離型元件小的厚度， 且所述離型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度與所述離型元件 厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比大于1。
【附圖說明】
[0019] 由以下結(jié)合附圖的詳細說明，本發(fā)明的以上和其它方面、特征和優(yōu)點將變得明顯， 其中：
[0020] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑片的實例;且 [0021]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑片的制造方法實 例。
【具體實施方式】
[0022] 本發(fā)明的各方面提供一種用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑片，所述粘合劑片包括依次堆 疊的離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜;其中所述離型元件包括從所述接合層的橫側(cè) 沿著所述接合層的外圍形成的第一切割部分，和沿著所述壓敏粘合劑層和所述基膜的外圍 形成的第二切割部分;所述第一切割部分和所述第二切割部分的各自厚度可小于所述離型 元件的厚度，且所述離型元件可具有40N/15mm或更大的剪切強度。
[0023]在上述用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑片中，離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜依 次堆疊。具體地，包括離型元件和接合層的接合片堆積在包括壓敏粘合劑層和基膜的壓敏 粘合劑片上，使得接合層和壓敏粘合劑層相互接觸，從而構(gòu)成具有堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置 用粘合劑片。
[0024]文中，"接合層可部分堆疊在離型元件上"是指接合層只堆疊在離型元件整個表面 的一部分上。離型元件不僅包括與接合層接觸的部分，還包括第一切割部分和第二切割部 分。
[0025]接合層可部分形成在離型元件上，從而在剝離離型元件后具有與接合層將貼附的 接合目標的平面形狀相對應(yīng)的平面形狀。接合目標可例如為半導(dǎo)體晶圓。當接合層具有與 半導(dǎo)體晶圓的平面形狀對應(yīng)的平面形狀時，可有利于切割半導(dǎo)體晶圓的工藝。
[0026]接合層可具有圓形形狀。在此情況下，接合層可具有220mm至320mm的直徑，但不限 于此。
[0027] 壓敏粘合劑層和基膜依次堆疊在接合層上并布置成充分覆蓋接合層。具體地，當 接合層具有圓形形狀時，壓敏粘合劑層和基膜可具有直徑長于接合層直徑的圓形形狀。例 如，具有圓形形狀的壓敏粘合劑層和基膜可具有為接合層直徑的1.10至1.30倍的直徑，但 不限于此。
[0028] 文中，"相對于離型元件可部分形成壓敏粘合劑層和基膜"是指壓敏粘合劑層和基 膜只形成在離型元件整個表面的一部分上。離型元件包括除壓敏粘合劑層和基膜以外的第 二切割部分。
[0029] 離型元件形成有第一切割部分。第一切割部分是指通過將第一預(yù)切刀片置于包括 離型元件和接合層的片中而在離型元件上形成的部分。第一切割部分具有將包括離型元件 和接合層的片厚度除去第一預(yù)切刀片形成的深度得到的厚度。該第一切割部分由接合層的 橫側(cè)沿著接合層外圍形成。從離型元件除去第一切割部分產(chǎn)生的未切割部分厚度可為離型 元件厚度的20%至80%，優(yōu)選20%至70%。第一切割部分厚度可小于離型元件的厚度。
[0030] 離型元件還形成有第二切割部分。第二切割部分是指形成第一切割部分后，通過 將第二預(yù)切刀片置于包括離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜的片中而在離型元件上 形成的部分。第二切割部分具有將離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜形成的片厚度除 去第二預(yù)切刀片形成的深度得到的厚度。該第二切割部分以距離第一切割部分例如l〇mm至 30mm的預(yù)定距離形成。該第二切割部分沿著壓敏粘合劑層和基膜的外圍形成。從離型元件 除去第二切割部分產(chǎn)生的未切割部分厚度可為離型元件厚度的20%至80%，優(yōu)選30%至 80%。第二切割部分厚度可小于離型元件的厚度。
[0031] 未切割部分厚度可用任何方法測定。例如，用電子顯微鏡測定間隔為30°的12個位 置的厚度來進行橫截面的觀察，并計算平均值為厚度。
[0032]未切割部分