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      化的直鏈亞烷基。 [012引本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方式為式I化合物,其中介晶基團Rii-MGi-χ??-和rU-cgI- χ?2-彼此相同。
      [0129] 本發(fā)明的另一優(yōu)選實施方式為式I化合物,其中式I中的Rii-MGi-χ??-和RU-CGI- χ?2-彼此不同。
      [0130] 優(yōu)選式I化合物選自式ΙΑ至IG化合物,優(yōu)選選自式ΙΑ和/或ID化合物,最優(yōu)選選自 式ID化合物,
      [0131]
      [0132]
      [0133] 其中
      [0134] LGi 為-χ??-5ρ?-χ?2-,
      [0135] 和
      [0136] 其他參數(shù)具有w上給出的各個含義,包括優(yōu)選含義,
      [0137] 優(yōu)選地,1,3-亞苯基環(huán)中的至少一個經(jīng)烷基R和/或烷氧基(R-0)取代和/或經(jīng)一個 或多個F或C1原子,優(yōu)選經(jīng)一個烷基和/或一個或多個F原子取代,且所有1,4-亞苯基環(huán)均任 選地進一步經(jīng)一個或多個F或C1原子取代,優(yōu)選至多各自經(jīng)一個C1或經(jīng)一個或兩個F原子取 代,且
      [013 引 LGI 優(yōu)選地為 0-C0-Spi-C0-0-、-0-Spi-0-、-Spi-或-S-CO-Spi-CO-S-,更優(yōu)選-0-C0- Spi-CO-0-、-O-Spi-0-或-Spi-,
      [0139] Spi優(yōu)選為-(c出、-且
      [0140] η為1至15,最優(yōu)選為奇整數(shù),且最優(yōu)選3、5、7或9。
      [0141] 特別優(yōu)選的式ΙΑ化合物選自式ΙΑ-1至ΙΑ-3的化合物。
      [0142]
      [0143] 其中參數(shù)具有W上給出的各個含義,包括優(yōu)選含義且優(yōu)選
      [0144] LGI 為-0C-0-(CH2 )n-〇-C〇-。
      [0145] 特別優(yōu)選的式IB化合物選自式IB-1至IB-3的化合物
      [0146]
      [0147]
      [0148] 其中參數(shù)具有W上給出的各個含義,包括優(yōu)選含義且優(yōu)選
      [0149] LGI 為-0C-0-(CH2)n-0-C0-。
      [0150] 特別優(yōu)選的式1C化合物選自式IC-1至IC-2的化合物
      [0151]
      [0152] 其中參數(shù)具有W上給出的各個含義,包括優(yōu)選含義且優(yōu)選LGi為-〇C-〇-(C此)n-0- C0-。
      [0153] 式ID化合物是非常優(yōu)選的。所有運特別優(yōu)選的化合物選自式ID-1和ID-2
      [0154]
      [0155] 其中參數(shù)具有W上給出的各個含義,包括優(yōu)選含義且優(yōu)選
      [0156] LGI 為-0C-0-(CH2 )n-〇-C〇-。
      [0157] 特別優(yōu)選的式IF化合物選自式IF-1和IF-2
      [015 引
      [0161]
      [0159] 其中參數(shù)具有W上給出的各個含義,包括優(yōu)選含義。[0160] 特別優(yōu)選的式IG化合物選自式IGF-1和IG-2
      [0162]
      [0163] 其中參數(shù)具有W上給出的各個含義,包括優(yōu)選含義。
      [0164] 特別優(yōu)選的化合物選自W上給出的式,其在側(cè)向位置中帶有0、2、4或5個F原子。
      [016引在本發(fā)明的一優(yōu)選實施方式中,Rii為0CF3或CN,優(yōu)選CN,和rU為0肌、F或CN,優(yōu)選 也為CN。
      [0166] 式I化合物可根據(jù)或類似于本身已知且在諸如Houben-Weyl,Methoden der o;rganischen Qiemie,了]1161116-¥61'1日旨,51:111:1旨日1'1:的有機化學的標準著作中描述的方法合 成。優(yōu)選的制備方法可由W下合成方案獲得。
      [0167] 式I化合物優(yōu)選可根據(jù)W下通用反應(yīng)方案獲得。
      [0168] 反應(yīng)方案I
      [0169]
      [0170] 其中η為3至15的整數(shù)。
      [0171] a)DCC、DMAP、DCM
      [0172] 在此方案及W下方案中所示的所有亞苯基部分可彼此獨立地任選地帶有一個、兩 個或Ξ個,優(yōu)選地不帶有或帶有一個F或C1,優(yōu)選F原子。
      [0173] 在W下方案中顯示用于制備運樣的氣化化合物的示例性反應(yīng)方案。
      [0174] 反應(yīng)方案II
      [0175]
      [0176] 其中η如在方案I下所定義。
      [0177] a)Pd(PPh3)Cl2、THF、NaC〇3J2〇
      [017引 b)DCC、DMAP、DCM,
      [0179] c)DCC、DMAP、DCM
      [0180] 反應(yīng)方案III
      [0181]
      [0182] 其中η如在方案I下所定義。
      [0183] a) Pd (PPh3) 2化2、Na2C〇3、出0、THF
      [0184] b) Pd (PPh3) 2化2、Na2C〇3、出0、THF
      [0185] c)BBr3、DCM、0°C
      [0186] d)DCC、DMAP、DCM
      [0187] e)TFAA、DCM,
      [018引反應(yīng)方案IV
      [0189]
      [0190] 其中η如在方案I下所定義。
      [0191] a) Pd (PPh3) 2CI2、Na2C〇3、出0、THF
      [0192] b)BBr3、DCM
      [0193] c)K2C〇3、MEK、80°C
      [0194] d)K2C〇3、MEK、80°C [019引反應(yīng)方案V
      [0196]
      [0197] 其中η如在方案I下所定義。
      [01 9 引 曰化(1(?化3)(:12、011、則〔2也)3,1'邸
      [0199] 6化(1(?化3)(:12、〇11、則〔2也)3,1'邸
      [0200] c)Pd/C、[H2]、THF
      [0201 ] d)Pd(PI%3)Cl2、Na2C〇3、出 0、THF
      [0202] 本發(fā)明的另一目的為式I介晶化合物在液晶介質(zhì)中的用途。
      [0203] 本發(fā)明因此設(shè)及一種包含至少一種式I化合物的液晶介質(zhì)。
      [0204] 根據(jù)本發(fā)明的混合物的一些其他優(yōu)選實施方式指示如下。
      [020引根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包含一種、兩種、Ξ種、四種或更多種,優(yōu)選一種、兩種或Ξ 種式I化合物。
      [0206] 按總混合物的重量計,在液晶介質(zhì)中的式I化合物的量優(yōu)選1%至50%,特別是5% 至40%,非常優(yōu)選為10%至30%。
      [0207] 在一優(yōu)選實施方式中,根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)另外包含一種或多種式ΙΠ 化合物, 如從GB2356629已知的那些或類似于GB2356629已知的那些。R3i-MG"-X3i-Sp 3-X32-MG32- R32III
      [020引 其中
      [0209] R3哺R32各自獨立地為H、F、C1、CN、NCS或具有1至25個C原子的直鏈或支鏈烷基,其 可未經(jīng)取代,經(jīng)面素或CN單取代或多取代,一個或多個不相鄰的C出基團也能夠在各種情況 下彼此獨立地經(jīng)-0-、-S-、-NH-、-N (邸3) -、-C0-、-C00-、-0C0-、-0-C0-0-、-S-C0-、-C0-S-、- CH=CH-、-CH=CF-、-CF = CF-或-C = c-W氧原子不直接彼此相連的方式替代,
      [0210] 面素優(yōu)選F或C1,更優(yōu)選F, 郵川 MG3哺MG32各自獨立地為介晶基團,
      [0212] Sp3為包含5至40個C原子的間隔基團,其中一個或多個不相鄰的C此基團也可經(jīng)- 0-、-S-、-NH-、-N( C出)-、-C0-、-0-C0-、-S-C0-、-0-C00-、-C0-S-、-C0-0-、-CH(面素 )-、-CH (CN) -、-CH=CH-或-C Ξ C-替代,和
      [0引3] χ3? 和 χ32 各自獨立地為-o-'-s-'-CO-'-COO-'-OCO-'-O-CO-O-'-CO-NH-'-NH- C0-、-CH2CH2-、-0CH2-、-CH20-、-SCH2-、-OfeS-、-CH = CH-、-CH = CH-C00-、-0C0-CH = CH-、-C =C-或單鍵,且
      [0214]其條件為排除式I化合物。
      [0引引介晶基團MG3哺MG32優(yōu)選選自式II。
      [0216 ]尤其優(yōu)選式ΠI化合物,其中r3i-mg3i-x"-和r32-mg 32-x32-是相同的。
      [0217] 本發(fā)明的另一優(yōu)選實施方式設(shè)及式III化合物,其中R31-MG"-X31-和R32-MG 32-X32- 是不同的。
      [0218] 尤其優(yōu)選式III化合物,其中介晶基團MG3i和MG32包含一個、兩個或Ξ個六元環(huán),非 常優(yōu)選選自如下所列的式II的介晶基團。
      [0219] 就式III 中的MG3 哺 MG32 而言,特別優(yōu)選子式11-1、11-4、11-5、11-8、11-15 和 11- 19。在運些優(yōu)選基團中,Z在各情況下獨立地具有如在式II中給出的Zi的含義之一。優(yōu)選地, Z 為-C00-、-0C0-、-CH2CH2-、-C Ξ C-或單鍵。
      [0220] 非常優(yōu)選地,介晶基團MG3哺MG32選自式Ila至IIo和它們的鏡像。
      [0221] 在具有非極性基團的化合物的情況下,護1和R32優(yōu)選具有至多15個C原子的烷基或 具有2至15個C原子的烷氧基。
      [0222] 若護1或R32為烷基或烷氧基,即其中末端C出基團經(jīng)-0-替代,則此可為直鏈或支鏈。 其優(yōu)選直鏈,具有2、3、4、5、6、7或8個碳原子且因此優(yōu)選例如乙基、丙基、下基、戊基、己基、 庚基、辛基、乙氧基、丙氧基、下氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基或辛氧基,此外為甲基、壬基、 癸基、十一烷基、十二烷基、十Ξ烷基、十四烷基、十五烷基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十 二烷氧基、十Ξ烷氧基或十四烷氧基。
      [022引氧雜烷基(即其中一個C此基團經(jīng)-0-替代)優(yōu)選例如直鏈2-氧雜丙基(=甲氧基甲 基);2-(=乙氧基甲基)或3-氧雜下基(=2-甲氧基乙基);2-、3-或4-氧雜戊基;2-、3-、4-或 5-氧雜己基;2-、3-、4-、5-或6-氧雜庚基;2-、3-、4-、5-、6-或7-氧雜辛基;2-、3-、4-、5-、6-、 7-或8-氧雜壬基;或2-、3-、4-、5-、6-、7-、8-或9-氧雜癸基。
      [0224] 在具有末端極性基團的化合物的情況下,R3哺R32選自CN、N02、面素、0C出、0CN、 scN、cor、coor或具有1至4個C原子的單氣化、寡氣化或多氣化烷基或烷氧基。r任選地為 具有1至4個,優(yōu)選1至3個C原子的氣化烷基。面素優(yōu)選F或C1,更優(yōu)選F。
      [0225] 尤其優(yōu)選地,在式III中的r31和r32選自F、C1、CN、N02、0C曲、C0C曲、C0C2曲、C00C曲、 C00C2 也、C的、C2F5、OC的、0CHF2、和 OC2F5,特別地選自 F、Cl、CN、OC出和 OC的。
      [0226] 關(guān)于在式HI中的間隔基團Sp3,可使用本領(lǐng)域技術(shù)人員為此目的已知的所有基 團。間隔基團Sp優(yōu)選直鏈或支鏈亞烷基,其具有5至40個C原子,特別地5至25個C原子,非常 優(yōu)選地5至15個C原子,其中此外一個或多個不相鄰的畑2基團可經(jīng)-〇-、-S-、-NH-、-N (C曲)-、-C〇-、-〇-C〇-、-S-CO-、-〇-CO〇-、-C0_S-、-C〇-〇-、-CH (面素 )-、-CH (CN) -、-CH = CH- 或-C^C-替代。
      [0227] 用于式ΠI的典型間隔基團為例如-(C出)ο-、- (C出C出0) p-C出C出-、-畑2畑2-S- C此C此-或-C此C此-NH-C此C出-,其中0為5至40,特別是5至25,非常優(yōu)選為5至15的整數(shù),且P 為1至8的整數(shù),特別是1、2、3或4。
      [0228] 優(yōu)選的間隔基團為例如亞戊基、亞己基、亞庚基、亞辛基、亞壬基、亞癸基、亞^^一 烷基、亞十二烷基、亞十八烷基、二亞乙基氧基亞乙基、二亞甲基氧基亞下基、亞戊締基、亞 庚締基、亞壬締基和亞^^一締基。
      [0229] 尤其優(yōu)選本發(fā)明式III化合物,其中Sp3表示具有5至15個C原子的亞烷基。直鏈亞 烷基是尤其優(yōu)選的。
      [0230] 在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施方式中,式ΙΠ 手性化合物包含至少一個間隔基團Spi (其為式IV的手性基團)。
      [0231] 在式III中的X31和X32優(yōu)選表示-0-、-C0-、-C00-、-0C0-、-0-C0-0-或單鍵。特別優(yōu) 選選自式III-1至III-4的W下化合物:
      [0232]
      [0234] 其中R"、R32具有在式III下給出的含義,Z3哺Z"-i定義為Z3i,且Z 3嘴Z32-i分別為在 式ΙΠ 中的z3i和z32-i的反向基團,且〇和'在每次出現(xiàn)時獨立地如上所定義,包括運些基團的 優(yōu)選含義,且其中L在每次出現(xiàn)時彼此獨立地優(yōu)選F、C1、CN、0H、N02或任選地經(jīng)氣化的具有1 至7個C原子的烷基、烷氧基或燒酷基,非常優(yōu)選為F、Cl、CN、OH、M)2、C也、C曲5、OC也、OC2也、 C0C 也、C0C2也、C00C也、C00C2也、CF3、0CF3、0CHF2、OC2F5,特別是F、C1、CN、C也、C2也、0C 也、C0C也 和OC的,最優(yōu)選為F、C1、C出、OC出和COC出,且從其中排除式I化合物。
      [02巧]根據(jù)本發(fā)明的特別優(yōu)選的混合物包含一種或多種式Ill-la至Ill-le和III-3a至 III-3b的化合物。
      [0238] 其中參數(shù)如上文所定義。
      [0239] 在本發(fā)明的一優(yōu)選實施方式中,液晶介質(zhì)由2至25,優(yōu)選3至15種式ΙΠ 化合物組 成。
      [0240] 按總混合物的重量計,在液晶介質(zhì)中的式III化合物的量優(yōu)選10%至95%,特別是 15%至90%,非常優(yōu)選為20%至85%。
      [0241 ] 優(yōu)選地,在介質(zhì)中的式Ill-la和/或III-化和/或III-lc和/或Ill-le和/或III-3a 和/或III-3b的化合物的總比例優(yōu)選至少70重量%。
      [0242] 根據(jù)本發(fā)明的特別優(yōu)選介質(zhì)包含至少一種或多種手性滲雜劑,其本身不必顯示出 液晶相并且本身不必給出良好均勻配向。
      [0243] 尤其優(yōu)選W下手性滲雜劑,其選自式IV
      [0247]包括個別(
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