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      一種太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法與流程

      文檔序號:12355312閱讀:676來源:國知局
      一種太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法與流程

      本發(fā)明涉及一種涂層,特別是涉及一種太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法。



      背景技術(shù):

      太陽光譜選擇性吸收涂層是太陽能集熱器光熱轉(zhuǎn)換核心材料,它在波長范圍為0.3μm-2.5μm的太陽光波段具有高吸收率,在波長范圍為2.5μm-50μm的紅外熱輻射波段具有低輻射率,因此可以實現(xiàn)高吸收低輻射散熱,最大限度將太陽能轉(zhuǎn)化為熱能。選擇性吸收涂層根據(jù)工作溫度的不同,可分為:低溫涂層(低于100℃)、中溫涂層(100-400℃)與高溫涂層(高于400℃)。其中,低溫涂層主要用于太陽能熱水器,中溫涂層主要應用于工業(yè)過程產(chǎn)熱、海水淡化和太陽能熱水器,高溫涂層主要用于集中式太陽能熱發(fā)電。

      集熱器工作溫度越高,對選擇性吸收涂層的耐溫性能、抗氧化性能、高低溫循環(huán)穩(wěn)定性等要求越高。其中,金屬氮(氧)化物是最常用的光譜選擇性吸收涂層之一,但是,基于金屬氮(氧)化物吸收的光譜選擇性吸收涂層主要用于中低溫領域,因為,基于金屬氮(氧)化物吸收的光譜選擇性吸收涂層隨工作溫度升高,涂層性能會劣化,劣化的原因主要有:1)紅外反射金屬層與金屬氮(氧)化物吸收層之間發(fā)生擴散導致輻射率升高、吸收率下降;2)大氣環(huán)境下金屬氮(氧)化物在高溫條件下被氧化,吸收率降低。

      因此,基于金屬氮(氧)化物吸收的光譜選擇性吸收涂層的工作溫度有待提高。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的主要目的在于,提供一種太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法,所要解決的技術(shù)問題是提高金屬氮(氧)化物吸收的光譜選擇性吸收涂層工作溫度,從而更加適于實用。

      本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。

      依據(jù)本發(fā)明提出的一種太陽能選擇性吸收涂層,所述的涂層從底層到表面依次包括基片、紅外反射層、吸收層和減反層,所述的吸收層由第一亞層、第二亞層和第三亞層組成,所述的第一亞層和第二亞層含有金屬氮化物,所述的第三亞層為金屬氮氧化物,所述的第一亞層與紅外反射層接觸,所述的第三亞層與減反層接觸。

      本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層,其中所述的第一亞層為不完全氮化的金屬氮化物,所述的第二亞層為金屬氮化物,所述的第三亞層為金屬氮氧化物。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層,其中所述的第一亞層為CrNx,其中,0<x<1,所述的x為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比;所述的第二亞層為CrNy,其中,1≤y≤1.5,所述的y為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比;所述的第三亞層為CrNmOn,其中,0<m≤1.5,0<n≤2,所述的m為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比,所述的n為O元素與Cr元素的原子個數(shù)比。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層,其中所述的第一亞層的厚度為20-40nm,所述的第二亞層的厚度為25-60nm,所述的第三亞層的厚度為30-60nm。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層,其中所述的基片為玻璃、鋁、銅或不銹鋼;所述的紅外反射層為Al、Cu、W、Mo、Au、Ag、Ni中的一種或兩種以上的組合;所述減反層為SiO2、Si3N4、Al2O3、ThO2、Dy2O3、Eu2O3、Gd2O3、Y2O3、La2O3、MgO或Sm2O3中的一種或兩種以上的組合。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層,其中所述的紅外反射層的厚度為80-200nm,所述的吸收層的厚度為75-160nm,所述的減反層的厚度為50-150nm。

      本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。

      依據(jù)本發(fā)明提出的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,包括,

      將紅外反射層沉積于所述的基片上;將吸收層沉積于所述的紅外反射層上;將減反層沉積于所述的吸收層上;所述的吸收層由第一亞層、第二亞層和第三亞層組成,所述的第一亞層和第二亞層含有金屬氮化物,所述的第三亞層為金屬氮氧化物。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,其中所述的第一亞層為不完全氮化的金屬氮化物,所述的第二亞層為金屬氮化物,所述的第三亞層為金屬氮氧化物。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,其中所述的第一亞層為CrNx,其中,0<x<1,所述的x為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比;所述的第二亞層為CrNy,其中,1≤y≤1.5,所述的y為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比;所述的第三亞層為CrNmOn,其中,0<m≤1.5,0<n≤2,所述的m為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比,所述的n為O元素與Cr元素的原子個數(shù)比。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,其中所述的第一亞層的厚度為20-40nm,所述的第二亞層的厚度為25-60nm,所述的第三亞層的厚度為30-60nm。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,其中所述的基片為玻璃、鋁、銅或不銹鋼;所述的紅外反射層為Al、Cu、W、Mo、Au、Ag、Ni中的一種或兩種以上的組合;所述減反層為SiO2、Si3N4、Al2O3、ThO2、Dy2O3、Eu2O3、Gd2O3、Y2O3、La2O3、MgO或Sm2O3中的一種或兩種以上的組合。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,其中所述的紅外反射層的厚度為80-200nm,所述的吸收層的厚度為75-160nm,所述的減反層的厚度為50-150nm。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,包括,在惰性氣體條件下,采用脈沖直流磁控濺射法,將所述的紅外反射層沉積于所述的基片上;在惰性氣體條件下,通入氮氣,采用脈沖直流磁控濺射法,將所述的吸收層的第一亞層沉積于所述的紅外反射層上;在惰性氣體條件下,通入氮氣,采用脈沖直流磁控濺射法,將所述的吸收層的第二亞層沉積于所述的第一亞層上;在惰性氣體條件下,通入氮氣和氧氣,采用脈沖直流磁控濺射法,將所述的吸收層的第三亞層沉積于所述的第二亞層上;在惰性氣體條件下,通入氮氣或氧氣,采用脈沖直流磁控濺射法,將所述的減反層沉積于所述的第三亞層上。

      優(yōu)選的,前述的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,其中所述的惰性氣體為氬氣。

      借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明一種太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法至少具有下列優(yōu)點:

      1、本發(fā)明提供了一種金屬氮(氧)化物太陽能選擇性吸收涂層,提高了金屬氮(氧)化物太陽能選擇性吸收涂層的工作溫度。

      本發(fā)明所述的太陽能選擇性吸收涂層,通過從底層到表面依次設置基片、紅外反射層、吸收層和減反層,所述吸收層依次為不完全氮化的金屬氮化物層、金屬氮化物層、金屬氮氧化物層三層,從而使本發(fā)明吸收涂層在太陽能光譜范圍0.3μm-2.5μm具有較高的吸收率,在熱輻射紅外區(qū)域2.5μm-48μm具有極低的輻射率,并且能夠使得紅外反射層、吸收層之間的界面應力得以有效降低,提高涂層之間的附著力,有利于提高所述選擇性吸收涂層的熱穩(wěn)定性,提高了金屬氮(氧)化物太陽能選擇性吸收涂層的工作溫度。

      2、本發(fā)明吸收層中的不完全氮化的金屬氮化物層是吸收亞層,也是阻擋層,阻擋了紅外反射層和吸收層之間的擴散,有效提高了涂層的吸收性及熱穩(wěn)定性。

      3、進一步的,本發(fā)明的太陽能選擇性吸收涂層只使用了單金屬的氮化物和氮氧化物做為吸收層,使用材料成本低,工藝簡單,易于規(guī)?;a(chǎn)。

      上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,并可依照說明書的內(nèi)容予以實施,以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。

      附圖說明

      圖1是本發(fā)明所述的太陽能選擇性吸收涂層的結(jié)構(gòu)示意圖。

      其中,1為基片,2為紅外反射層,3為吸收層,31為第一亞層,32為第二亞層,33為第三亞層,4為減反層。

      圖2是本發(fā)明所述的中高溫太陽能選擇性吸收涂層在未退火及250℃、400℃、500℃大氣環(huán)境退火后的光譜曲線。

      具體實施方式

      為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實施例,對依據(jù)本發(fā)明提出的一種太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法,其具體實施方式、結(jié)構(gòu)、特征,詳細說明如后。在下述說明中,不同的“一實施例”或“實施例”指的不一定是同一實施例。此外,一或多個實施例中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特點可由任何合適形式組合。

      實施例1

      本實施例提供一種太陽能選擇性吸收涂層,所述的涂層從底層到表面依次包括基片、紅外反射層、吸收層和減反層,所述的吸收層由第一亞層、第二亞層和第三亞層組成,所述的第一亞層和第二亞層含有金屬氮化物,所述的第三亞層為金屬氮氧化物,所述吸收層的第一亞層金屬氮化物、第二亞層金屬氮化物和第三亞層金屬氮氧化物的折射率和消光系數(shù)均依次降低,所述的第一亞層與紅外反射層接觸,所述的第三亞層與減反層接觸。所述的第一亞層為不完全氮化的金屬氮化物,所述的第二亞層為金屬氮化物,所述的第三亞層為金屬氮氧化物。本發(fā)明所述的不完全氮化的金屬氮化物為金屬與氮氣反應不完全所得的金屬氮化物,即,所述的不完全氮化的金屬氮化物包含金屬與金屬氮化物所組成的混合物。

      本實施例所制備的吸收涂層在太陽能光譜范圍0.3μm-2.5μm具有較高的吸收率,在熱輻射紅外區(qū)域2.5μm-48μm具有極低的輻射率,并且能夠使得紅外反射層、吸收層之間的界面應力得以有效降低,提高涂層之間的附著力,進一步有利于提高所述選擇性吸收涂層的熱穩(wěn)定性,提高了金屬氮(氧)化物太陽能選擇性吸收涂層的工作溫度。

      實施例2

      本實施例提供一種太陽能選擇性吸收涂層,其結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中,1為基片,2為紅外反射層,3為吸收層,31為第一亞層,32為第二亞層,33為第三亞層,4為減反層。

      其中,所述基片為鋁基片,其厚度為0.5mm。

      所述紅外反射層為Al層,其厚度為200nm。

      所述吸收層由下至上依次包括第一亞層、第二亞層和第三亞層,所述的第一亞層為CrNx,其中,0<x<1,所述的x為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比;所述的第二亞層為CrNy,其中,1≤y≤1.5,所述的y為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比;所述的第三亞層為CrNmOn,其中,0<m≤1.5,0<n≤2,所述的m為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比,所述的n為O元素與Cr元素的原子個數(shù)比。所述吸收層的總厚度為125nm,其中,第一亞層的厚度為30nm,第二亞層的厚度為45nm,第三亞層的厚度為50nm。

      所述減反層為SiO2,其厚度為90nm。

      所述的太陽能選擇性吸收涂層采用如下方法制備得到:

      (1)基片的預處理:

      先采用中性洗滌液和去離子水對所述基片進行初步清洗,之后在鍍膜設備進片室通過射頻離子源轟擊所述基片表面進行二次清洗,得到預處理后的基片;工藝參數(shù)設置如下:射頻電源濺射功率為200w,工作氣體為純度為99.99%的Ar,流量為45sccm,工作氣壓為9.8×10-2mTorr,濺射時間為360s;

      (2)在所述基片上沉積Al層作為所述紅外反射層:

      選取純度為99.7%Al靶材,通入純度為99.99%惰性工作氣體Ar,采用脈沖直流電源磁控濺射法通過轟擊純度為99.7%鋁靶實現(xiàn)在所述基片上沉積Al膜作為紅外反射層,其工藝參數(shù)設置如下:脈沖直流電源濺射功率為1200w,所述工作氣體的流量為50sccm,工作氣壓為5mTorr,所述基片的傳輸速率為0.4m/min,所述基片在Al靶材下方往返運動5次,基片的溫度為室溫;

      (3)在所述Al/基片上依次沉積所述第一亞層CrNx層、第二亞層CrNy層和第三亞層CrNmOn層:

      選取純度為99.7%的Cr靶材,先后通入純度均為99.99%惰性工作氣體Ar、第一反應氣體N2、第二反應氣體O2,采用脈沖直流電源磁控濺射法通過轟擊Cr靶,在所述Al/基片上依次沉積所述第一亞層CrNx層、第二亞層CrNy層和第三亞層CrNmOn層;

      沉積所述第一亞層CrNx層的工藝參數(shù)設置為:脈沖直流電源濺射功率為1500w,工作氣壓為3mTorr,所述工作氣體Ar的流量為50sccm,所述第一反應氣體N2的流量為10sccm,所述Al/基片的傳輸速率為1m/min,所述Al/基片在Cr靶材下方往返運動2次,溫度為室溫;

      沉積所述第二亞層CrNy層的工藝參數(shù)設置為:脈沖直流電源濺射功率為1500w,工作氣壓為3mTorr,所述工作氣體Ar的流量為50sccm,所述第一反應氣體N2的流量為50sccm,所述CrNx/Al/基片的傳輸速率為2m/min,所述CrNx/Al/基片在Cr靶材下方往返運動7次,溫度為室溫;

      沉積所述第三亞層CrNmOn的工藝參數(shù)設置為:脈沖直流電源濺射功率為1500w,工作氣壓為3mTorr,所述工作氣體Ar的流量為50sccm,所述第一反應氣體N2的流量為50sccm,所述第二反應氣體O2的流量為10sccm,所述CrNy/CrNx/Al/基片的傳輸速率為0.45m/min,所述CrNy/CrNx/Al/基片在Cr靶材下方往返運動5次,溫度為室溫;

      (4)在所述CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片上沉積所述減反層

      選取純度為99.7%的硅鋁靶材(Al含量30wt%),通入純度為99.99%惰性工作氣體Ar和第三反應氣體O2,采用脈沖直流電源磁控濺射法通過轟擊硅鋁靶材,在所述CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片沉積SiO2作為所述減反層;其工藝參數(shù)設置如下:脈沖直流電源濺射功率為2000w,工作氣壓為5mTorr,所述工作氣體的流量為30sccm,所述第三反應氣體O2的流量為14sccm,所述CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片的傳輸速率為1m/min,所述CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片在硅鋁靶材下方往返運動9次,溫度為室溫;

      (5)待完成上述制備步驟后,使樣品冷卻20min,出片,停機。

      采用日立U-4100分光光度計測試0.3μm-2.5μm波段的吸收率α,采用Bruker的Tensor27傅里葉紅外光譜儀測試2.5μm-48μm波段的輻射率ε,測試結(jié)果見表1。

      本實施例所制備的涂層的經(jīng)250℃、400℃、500℃不同退火時間下的吸收率α和輻射率ε進行檢測,結(jié)果如表2所示。

      實施例3

      本實施例提供一種太陽能選擇性吸收涂層,其結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中,1為基片,2為紅外反射層,3為吸收層,31為第一亞層1,32為第二亞層,33為第三亞層,4為減反層。其中,所述基片為玻璃片,其厚度為6mm。所述紅外反射層為Al層,其厚度為100nm。

      所述吸收層由下至上依次包括第一亞層、第二亞層和第三亞層,所述的第一亞層為CrNx,其中,0<x<1,所述的x為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比;所述的第二亞層為CrNy,其中,1≤y≤1.5,所述的y為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比;所述的第三亞層為CrNmOn,其中,0<m≤1.5,0<n≤2,所述的m為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比,所述的n為O元素與Cr元素的原子個數(shù)比。所述吸收層的總厚度為120nm,其中,第一亞層的厚度為40nm,第二亞層的厚度為40nm,第三亞層的厚度為40nm。

      所述減反層分別為Si3N4、SiO2,其厚度分別為20nm、130nm。

      所述的太陽能選擇性吸收涂層采用如下方法制備得到:

      (1)基片的預處理:

      先采用中性洗滌液和去離子水對所述基片進行初步清洗,之后在鍍膜設備進片室通過射頻離子源轟擊所述基片表面進行二次清洗,得到預處理后的基片;工藝參數(shù)設置如下:射頻電源濺射功率為200w,工作氣體為純度為99.99%的Ar,流量為45sccm,工作氣壓為9.8×10-2mTorr,濺射時間為360s;

      (2)在所述基片上沉積Al層作為所述紅外反射層

      選取純度為99.7%的Al靶材,通入純度為99.99%的惰性工作氣體Ar,采用脈沖直流電源磁控濺射法通過轟擊純度為99.7%的Al靶,實現(xiàn)在所述基片上沉積Al膜作為紅外反射層,其工藝參數(shù)設置如下:脈沖直流電源濺射功率為1200w,所述工作氣體的流量為50sccm,工作氣壓為5mTorr,所述基片的傳輸速率為0.8m/min,所述基片在Al靶材下方往返運動5次,基片的溫度為室溫;

      (3)在所述Al/玻璃基片上沉積所述第一亞層CrNx層、第二亞層CrNy層和第三亞層CrNmOn

      選取純度為99.7%的Cr靶材,先后通入純度均為99.99%的惰性工作氣體Ar、第一反應氣體N2、第二反應氣體O2,采用脈沖直流電源磁控濺射法通過轟擊Cr靶,在所述Al/基片上依次沉積所述第一亞層CrNx層、第二亞層CrNy層和第三亞層CrNmOn

      沉積所述第一亞層CrNx層的工藝參數(shù)設置為:脈沖直流電源濺射功率為1500w,工作氣壓為3mTorr,所述工作氣體Ar的流量為50sccm,所述第一反應氣體N2的流量為10sccm,所述Al/基片的傳輸速率為1.5m/min,所述Al/基片在Cr靶材下方往返運動4次,溫度為室溫;

      沉積所述第二亞層CrNy層的工藝參數(shù)設置為:脈沖直流電源濺射功率為1500w,工作氣壓為3mTorr,所述工作氣體Ar的流量為50sccm,所述第一反應氣體N2的流量為50sccm,所述CrNx/Al/基片的傳輸速率為0.95m/min,所述CrNx/Al/基片在Cr靶材下方往返運動3次,溫度為室溫;

      沉積所述第三亞層CrNmOn的工藝參數(shù)設置為:脈沖直流電源濺射功率為1500w,工作氣壓為3mTorr,所述工作氣體Ar的流量為50sccm,所述第一反應氣體N2的流量為50sccm,所述第二反應氣體O2的流量為10sccm,所述CrNy/CrNx/Al/基片的傳輸速率為0.45m/min,所述CrNy/CrNx/Al/基片在Cr靶材下方往返運動4次,溫度為室溫;

      (4)在所述CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片上沉積所述減反層Si3N4和SiO2

      選取純度為99.7%的硅鋁靶材(Al含量30wt%),通入純度為99.99%惰性工作氣體Ar和第三反應氣體N2(或O2),采用脈沖直流電源磁控濺射法通過轟擊硅鋁靶材,在所述CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片沉積Si3N4和SiO2作為所述減反層;

      沉積Si3N4的工藝參數(shù)設置如下:脈沖直流電源濺射功率為1300w,工作氣壓為2.5mTorr,所述工作氣體的流量為30sccm,所述第三反應氣體O2的流量為24sccm,所述CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片的傳輸速率為0.55m/min,所述CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片在硅鋁靶材下方往返運動1次,溫度為室溫;

      沉積SiO2的工藝參數(shù)設置如下:脈沖直流電源濺射功率為2000w,工作氣壓為5mTorr,所述工作氣體的流量為30sccm,所述第三反應氣體O2的流量為14sccm,所述Si3N4/CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片的傳輸速率為1m/min,所述Si3N4/CrNmOn/CrNy/CrNx/Al/基片在硅鋁靶材下方往返運動13次,溫度為室溫;

      (5)待完成上述制備步驟后,使樣品冷卻20min,出片,停機。

      采用日立U-4100分光光度計測試0.3μm-2.5μm波段的吸收率α,采用Bruker的Tensor27傅里葉紅外光譜儀測試2.5μm-48μm波段的輻射率ε,測試結(jié)果見表1。

      實施例4

      參照實施例2和實施例3所述的太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,本實施例制備的涂層的吸收層的第一亞層厚度為40nm,第二亞層厚度為25nm,第三亞層厚度為30nm。

      實施例5

      參照實施例2和實施例3所述的太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,本實施例制備的涂層的吸收層的第一亞層厚度為20nm,第二亞層厚度為45nm,第三亞層厚度為60nm。

      實施例6

      參照實施例2和實施例3所述的太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,本實施例制備的涂層的吸收層的第一亞層厚度為30nm,第二亞層厚度為60nm,第三亞層厚度為45nm。

      參照實施例2和實施例3所述的太陽能選擇性吸收涂層的制備方法,本發(fā)明涂層的基板還可以是銅或不銹鋼等;紅外反射層還可以是W、Mo、Au、Ag和/或Ni等;減反層還可以是Al2O3、ThO2、Dy2O3、Eu2O3、Gd2O3、Y2O3、La2O3、MgO和/或Sm2O3等。

      涂層性能測試:

      采用日立U-4100分光光度計對實施例2和3所制得的涂層進行0.3μm-2.5μm波段的吸收率α測試,采用Bruker的Tensor27傅里葉紅外光譜儀對實施例2和3所制得的涂層進行2.5μm-48μm波段的輻射率ε測試,測試結(jié)果測試結(jié)果見表1。

      實施例2所制備的涂層的經(jīng)250℃、400℃、500℃不同退火時間下的吸收率α和輻射率ε進行檢測,結(jié)果見表2。

      表1實施例2和3所制備的選擇性吸收涂層的吸收率和輻射率

      從表1中可以看出,實施例2和3所制備的選擇性吸收涂層的吸收率α高達96.13%和96.95%,輻射率ε低于5%,說明實施例2和3所制備的選擇性吸收涂層具有較高的吸收率α和較低的輻射率。

      表2實施例2所制備涂層經(jīng)不同條件處理后涂層的吸收率和輻射率

      從表2可以看出,實施例2所制備的涂層經(jīng)過大氣環(huán)境250℃退火200h和400℃退火420h后,吸收率α仍較高為95.76%,輻射率ε為3.74%,而α/ε升高到25.6,涂層經(jīng)過大氣環(huán)境500℃退火8h后,吸收率α仍較高為95.73%,輻射率ε為4.75%,而α/ε為20.2,本實施例2所制備的選擇性吸收涂層具有良好的熱穩(wěn)定性能,并在500℃大氣環(huán)境退火后仍具有較好的光譜選擇性。本實施例所制備的太陽能選擇性吸收涂層在未退火及250℃、400℃、500℃大氣環(huán)境退火后的光譜曲線如圖2所示。

      本發(fā)明其他實施例所制得的涂層的性能測試與實施例2和實施例3所制得的涂層的性能相近。

      以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。

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