技術(shù)特征：

1.一種太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：

所述的涂層從底層到表面依次包括基片、紅外反射層、吸收層和減反層，

所述的吸收層由第一亞層、第二亞層和第三亞層組成，所述的第一亞層和第二亞層含有金屬氮化物，所述的第三亞層為金屬氮氧化物，

所述的第一亞層與紅外反射層接觸，所述的第三亞層與減反層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：

所述的第一亞層為不完全氮化的金屬氮化物，所述的第二亞層為金屬氮化物，所述的第三亞層為金屬氮氧化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：

所述的第一亞層為CrN_x，其中，0＜x＜1，所述的x為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比；

所述的第二亞層為CrN_y，其中，1≤y≤1.5，所述的y為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比；

所述的第三亞層為CrN_mO_n，其中，0＜m≤1.5，0＜n≤2，所述的m為N元素與Cr元素的原子個數(shù)比，所述的n為O元素與Cr元素的原子個數(shù)比。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的一種太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：

所述的第一亞層的厚度為20-40nm，

所述的第二亞層的厚度為25-60nm，

所述的第三亞層的厚度為30-60nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：

所述的基片為玻璃、鋁、銅或不銹鋼；

所述的紅外反射層為Al、Cu、W、Mo、Au、Ag、Ni中的一種或兩種以上的組合；

所述減反層為SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、ThO₂、Dy₂O₃、Eu₂O₃、Gd₂O₃、Y₂O₃、La₂O₃、MgO或Sm₂O₃中的一種或兩種以上的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：

所述的紅外反射層的厚度為80-200nm，

所述的吸收層的厚度為75-160nm，

所述的減反層的厚度為50-150nm。

7.一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于：

將紅外反射層沉積于所述的基片上；

將吸收層沉積于所述的紅外反射層上；

將減反層沉積于所述的吸收層上；

所述的吸收層由第一亞層、第二亞層和第三亞層組成，所述的第一亞層和第二亞層含有金屬氮化物，所述的第三亞層為金屬氮氧化物。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于：

在惰性氣體條件下，采用脈沖直流磁控濺射法，將所述的紅外反射層沉積于所述的基片上；

在惰性氣體條件下，通入氮?dú)猓捎妹}沖直流磁控濺射法，將所述的吸收層的第一亞層沉積于所述的紅外反射層上；

在惰性氣體條件下，通入氮?dú)?，采用脈沖直流磁控濺射法，將所述的吸收層的第二亞層沉積于所述的第一亞層上；

在惰性氣體條件下，通入氮?dú)夂脱鯕?，采用脈沖直流磁控濺射法，將所述的吸收層的第三亞層沉積于所述的第二亞層上；

在惰性氣體條件下，通入氮?dú)饣蜓鯕?，采用脈沖直流磁控濺射法，將所述的減反層沉積于所述的第三亞層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種太陽能選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于：

所述的惰性氣體為氬氣。