9]如果在步驟S120處滿足校正必要條件，在步驟S130處，控制器50確定是否滿足校正可行性條件。如果SCR催化器40的當前溫度在預先確定的溫度范圍之內(nèi)并且當前排放流速在預先確定的排放流速的范圍之內(nèi)，則滿足校正可行性條件。例如，如果SCR催化器40的溫度太低或排放流速太小，則通過反應模型60預測的NOx濃度可能是無意義的。如果基于無意義的值來校正參數(shù)，則校正的可靠性可能會較低并且會重復不必要的校正。因此，僅當通過反應模型60預測的SCR催化器40的反應可表示為在SCR催化器40中實際發(fā)生的反應時，執(zhí)行校正。
[0070]如果在步驟S130處不滿足校正可行性條件，則該方法返回至步驟S110。
[0071]如果在步驟S130處滿足校正可行性條件，則在步驟S140處，控制器50校正控制邏輯。例如，通過將誤差和輸入變量輸入到校正邏輯70中來確定校正系數(shù)，并且可根據(jù)校正系數(shù)來校正定義控制邏輯的多個參數(shù)。
[0072]此外，如果控制器50執(zhí)行校正，則在步驟S150處，計數(shù)校正的數(shù)量。也就是說，通過將之前的校正的數(shù)量加I來確定校正的當前數(shù)量。
[0073]之后，在步驟S160處，控制器50確定校正的適合性函數(shù)?；谥暗恼`差(在之前的校正之后確定的誤差)和當前的誤差(在當前的校正之后確定的誤差)來確定校正的適合性函數(shù)。例如，如果當前的誤差小于之前的誤差，則校正的適合性函數(shù)可以為I。此外，如果當前的誤差大于之前的誤差，則校正的適合性函數(shù)可以為-1。校正的適合性函數(shù)可以為在-1和I之間的值。
[0074]如果在步驟S160處確定校正的適合性函數(shù)，則在步驟S170處，控制器50確定適合性系數(shù)。通過將校正的適合性函數(shù)加至之前的適合性系數(shù)中來確定適合性系數(shù)。
[0075]之后，在步驟S180處，控制器確定校正的數(shù)量是否大于參考次數(shù)。當執(zhí)行了幾次校正時，防止控制邏輯由于不滿足的校正結(jié)果而被校正。此外，只有執(zhí)行參考次數(shù)的校正才確定適合性，從而能夠確保適合性確定的可靠性。
[0076]如果在步驟S180處，校正的數(shù)量小于或等于參考次數(shù)，則該方法返回至步驟
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[0077]如果在步驟S180處校正的數(shù)量大于參考次數(shù)，則在步驟S190處，控制器50確定校正的數(shù)量和適合性系數(shù)之差是否大于參考偏差。
[0078]如果在步驟S190處校正的數(shù)量和適合性系數(shù)之差小于或等于參考偏差，則在步驟S210處確定校正是適合的并且存儲當前誤差。之后，該方法返回至步驟S110。
[0079]如果在步驟S190處校正的數(shù)量和適合性系數(shù)之差大于參考偏差，則在步驟S200處確定校正是不適合的并且重置校正系數(shù)。例如，定義反應模型60的參數(shù)可被重置成默認值。之后，該方法返回至步驟S110。
[0080]圖4為示出了當校正適合時校正的適合性系數(shù)和數(shù)量的曲線圖，而圖5為示出了當校正不適合時校正的適合性系數(shù)和數(shù)量的曲線圖。在圖4和圖5中，虛線表示校正的數(shù)量，以及實線表示適合性系數(shù)。
[0081]參照圖4，隨著校正執(zhí)行，校正的數(shù)量從I逐漸增加到5。在第二次校正時適合性系數(shù)增加(因為在第二次校正時的誤差小于在第一次校正時的誤差)，并且在第三次校正時適合性系數(shù)減小(因為在第三次校正時的誤差大于在第二次校正時的誤差)。之后，隨著校正執(zhí)行，由于誤差減小，適合性系數(shù)連續(xù)增加。因此，校正的數(shù)量和適合性系數(shù)之差非常小。在這種情況下，確定校正是適合的。
[0082]參照圖5，隨著校正執(zhí)行，校正的數(shù)量從I逐漸增加到5。然而，隨著校正執(zhí)行，由于誤差增加，適合性系數(shù)連續(xù)減小。因此，如果校正的數(shù)量大于預先確定的次數(shù)，則校正的數(shù)量和適合性系數(shù)之差大于參考偏差。在這種情況下，確定校正是不適合的并且重置校正系數(shù)。
[0083]如上所示，由于確定校正是否適合，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案確保校正的可靠性。
[0084]此外，由于如果校正不適合，控制邏輯的參數(shù)被重置成默認值，因此可快速地恢復校正的適合性。
[0085]本發(fā)明的特定示例性實施例的上述描述是為了說明和描述而給出。它們不旨在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制于所描述的精確形式，而且鑒于以上教導，許多修改和變化顯然是可能的。它們不旨在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制于所描述的精確形式，而且鑒于以上教導，許多修改和變化以及各種替代方案和修改顯然是可能的。本發(fā)明的范圍旨在由所附權(quán)利要求及其等價技術(shù)方案定義。
【主權(quán)項】
1.一種確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的方法，所述方法包括: 在已執(zhí)行校正時基于之前誤差和當前誤差確定校正的適合性函數(shù)； 基于校正的適合性函數(shù)來確定適合性系數(shù)； 基于校正的數(shù)量和適合性系數(shù)確定校正是否適合；以及 當校正不適合時重置控制邏輯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的方法，其中在所述校正的數(shù)量大于參考次數(shù)時執(zhí)行確定校正是否適合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的方法，其中在所述校正的數(shù)量和所述適合性系數(shù)之差大于參考偏差時，校正是適合的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的方法，其中所述校正的適合性函數(shù)為在-1和I之間的值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的方法，其中通過將所述校正的適合性函數(shù)加至之前的適合性系數(shù)中來確定所述適合性系數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的方法，其中當所述校正適合時，所述方法進一步包括存儲當前誤差。
7.一種確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 控制邏輯，所述控制邏輯確定用于SCR催化器的還原劑的噴射量；以及 控制器，所述控制器至少根據(jù)所述還原劑的噴射量來控制還原劑的噴射， 其中所述控制器適合于在已執(zhí)行校正時基于之前誤差和當前誤差確定校正的適合性函數(shù)、基于校正的適合性函數(shù)確定適合性系數(shù)、基于校正的數(shù)量和適合性系數(shù)確定校正是否適合、以及當校正不適合時重置控制邏輯。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的系統(tǒng)，其中所述控制器適合于在所述校正的數(shù)量大于參考次數(shù)時確定校正是否適合。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的系統(tǒng)，其中所述控制器適合于在所述校正的數(shù)量和所述適合性系數(shù)之差大于參考偏差時確定校正是適合的。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的系統(tǒng)，其中所述校正的適合性函數(shù)為在-1和I之間的值。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的系統(tǒng)，其中所述適合性系數(shù)通過將所述校正的適合性函數(shù)加至之前的適合性系數(shù)中來確定。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的確定對SCR催化器的控制邏輯的校正的適合性的系統(tǒng)，其中所述控制器適合于在校正適合時存儲當前誤差。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種確定對催化器的控制邏輯的校正的適合性的方法和系統(tǒng)，所述確定對選擇性催化劑還原催化器的控制邏輯的校正的適合性的方法可包括在已執(zhí)行校正時基于之前的誤差和當前誤差確定校正的適合性函數(shù)、基于校正的適合性函數(shù)確定適合性系數(shù)、基于校正的數(shù)量和適合性系數(shù)確定校正是否可能適合、以及當校正可能不適合時重置控制邏輯。
【IPC分類】F01N9-00
【公開號】CN104727913
【申請?zhí)枴緾N201410452994
【發(fā)明人】趙志晧, 李津夏, H·巴斯蒂安, B·呂埃爾斯, A·沃夫克
【申請人】現(xiàn)代自動車株式會社, Fev有限責任公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2014年9月5日
【公告號】DE102014112381A1, US20150176457